Новости

4 сентября, 2017 14:21

Терагерцовый лазер помог изучить нагревание кристаллов

Источник: Индикатор
Ученые исследовали тепловые и световые искажения в кристалле при его взаимодействии с высокочастотным терагерцовым излучением. В результате было установлено, как в кристалле изменяется температура. Работа опубликована в журнале Laser Physics Letters. Исследование было поддержано грантом Российского научного фонда (РНФ).

Терагерцовым излучением на

Фото: Wikimedia Commons

Терагерцовым излучением называют электромагнитные волны с частотами между инфракрасным и сверхвысокочастотным диапазонами, оно также называется субмиллиметровым. Это излучение легко проходит через большинство материалов, обладающих плохой электропроводностью. Источником терагерцового излучения малой мощности являются лазеры.

Нелинейная оптика изучает взаимодействия света и вещества. Эти взаимодействия различаются в зависимости от интенсивности света. В большинстве веществ оптическая нелинейность наблюдается только при высокой интенсивности света, достигаемой при помощи лазеров.

В ходе работы использовался чувствительный к повышенной температуре кристалл фосфида галлия (GaP). На его примере были разработаны универсальные методы численных расчетов распределения температуры и термооптических параметров, позволяющие оптимизировать процессы генерации терагерцового излучения.

«При нелинейно-оптической генерации излучения терагерцового диапазона возникают тепловые эффекты. Получено общее точное решение квазистационарного распределения температуры нелинейной среды при периодической лазерной накачке», — рассказала автор исследования, профессор физического факультета МГУ Галия Китаева. По ее словам, результаты работы важны для проектирования схем генерации классических и квантовых полей терагерцового диапазона.

29 февраля, 2024
Лишайники будут выделять больше парниковых газов при изменении климата
Красноярские ученые впервые обнаружили, что лишайники, растущие на живых деревьях, при повышении в...
29 февраля, 2024
Как смочить полимер: перспективы пучково-плазменных технологий
Исследователи из МФТИ, ОИВТ РАН и ИБХФ им. Н. М. Эмануэля РАН при учас...
Версия для печати