Оптоэлектроника — одно из современных направлений, основанное на взаимодействии электромагнитных волн с носителями заряда в твердом теле. Так можно либо конвертировать свет в электричество, либо, напротив, переводить электричество в свет, а порой и все вместе.
С каждым годом оптоэлектронные устройства находят все больше применений в самых разнообразных задачах: от генерации и преобразования сигнала до хранения и отображения информации. В сравнении с традиционными чисто полупроводниковыми системами они обладают высокой частотой работы, меньшей чувствительностью к внешним факторам, а еще требуют меньше энергии и почти не греются.
«Гонка за созданием все более миниатюрных и эффективных оптоэлектронных устройств требует от нас изучения новых наноматериалов и их свойств. Некоторые из самых ярких открытий связаны с изучением двумерных кристаллов — очень тонких пленок толщиной всего в несколько атомов. Особенно интересны дихалькогениды переходных металлов (в основном соединения вольфрама или молибдена с серой или селеном). Такие вещества обладают большим потенциалом для хранения и передачи информации посредством взаимодействия электронных спинов с циркулярно поляризованным светом. Их изучение привело к множеству открытий принципиально новых физических явлений»,— рассказывает Тобиас Корн, профессор Ростокского университета.
В своей новой работе исследователи из Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург) вместе с коллегами из Ростокского университета (Германия), Регенсбургского университета (Германия), Калифорнийского университета (США), Университета Неймегена (Нидерланды) и Дрезденского технического университета (Германия) изучили свойства муаровых структур на основе селенидов молибдена и вольфрама. Такая система представляет собой наложение двух тонких кристаллов; в зависимости от поворота их друг относительно друга (как если сложить вместе ладони и начать поворачивать их относительно центра) будут различаться и оптические свойства всей структуры. Это обусловлено взаимодействием квазичастиц разных слоев: экситонов, связанных с электронным возбуждением и представляющих собой взаимосвязанные отрицательный электрон и положительную дырку — место ухода электрона, и фононов, связанных с колебаниями атомов в решетке.
В ответ на облучение лазером исследуемые муаровые структуры испускают свечение, однако его волна оказывается вращающейся (поляризованной) — эффект, применяемый, например, в 3D-кинотеатрах. Если приложить внешнее магнитное поле, спины (моменты импульса) частиц образца изменяют свое направление — происходит спиновая поляризация, которая также влияет на поляризацию испускаемого света.
Во время экспериментов оказалось, что при определенном значении поля, 24 Тесла, достигается максимум поляризации, причина которого требовала объяснения.
В ходе теоретических расчетов авторы выяснили, что все дело в долинном магнитофононном резонансе. В селенидах молибдена и вольфрама фононы хиральные, то есть колеблются не как обычные — вперед-назад, вверх-вниз и вправо-влево,— а по кругу. При значении магнитного поля в 24 Тесла частота таких колебаний совпадает с частотой спиновых переходов, когда направление спина меняется на противоположное (их также называют междолинным рассеянием). Получается наложение, поляризация усиливается.
«Мы впервые продемонстрировали долинный магнитофононный резонанс в муаровой системе на основе селенидов молибдена и вольфрама и объяснили его причину. Этот эффект позволит тонко настраивать свойства подобных структур в составе квантовых устройств и любых других оптоэлектронных приборов. Наша работа — яркий пример активного международного сотрудничества, которое позволяет достичь принципиально новых фундаментальных научных результатов»,— подводит итог Дмитрий Смирнов, кандидат физико-математических наук, научный сотрудник ФТИ им. А. Ф. Иоффе.
Результаты работы
опубликованы в журнале 2D Materials.
Если вы хотите стать героем публикации и рассказать о своем исследовании, заполните форму на сайте РНФ.
