КАРТОЧКА ПРОЕКТА,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

 

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ


Номер 18-73-10135

НазваниеРазработка эффективных методов моделирования образования квазидвумерных материалов и исследование их атмосферной стабильности

РуководительКвашнин Дмитрий Геннадьевич, Доктор физико-математических наук

Организация финансирования, регионФедеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля Российской академии наук, г Москва

Срок выполнения при поддержке РНФ07.2018 - 06.2021

КонкурсКонкурс 2018 года по мероприятию «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными

Область знания, основной код классификатора 03 - Химия и науки о материалах, 03-604 - Многомасштабное компьютерное моделирование структуры и свойств материалов

Ключевые словаОбразование двумерных материалов, эволюционный поиск, USPEX, теория функционала электронной плотности, атмосферная стабильность, планарные гетероструктуры

Код ГРНТИ31.15.00 29.19.16


 

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ


Аннотация
Основные усилия современного материаловедения направлены на получение новых материалов с перспективными свойствами контролируемым путём, для чего необходимо глубокое понимание механизмов их формирования. Также крайне важным является оценка стабильности атомной структуры полученных материалов в атмосфере. Эти задачи могут быть решены путём детального теоретического анализа современными методами компьютерного моделирования. Данный проект посвящён исследованию недавно открытого класса материалов – двумерных плёнок, многие представители которого демонстрируют уникальные свойства. Так, в проекте предлагается разработать эффективный метод, позволяющий решить такие важные задачи материаловедения как (i) понимание процессов образования двумерных наноструктур на подложках различного состава; (ii) контроль атмосферной стабильности 2D наноструктур. В первой части проекта будет проведена разработка, адаптация и расширение эволюционного алгоритма для проведения моделирования образования низкоразмерных наноструктур на подложках. Новый метод впервые позволит эффективно предсказывать кристаллическую структуру низкоразмерных материалов (2D плёнок из одного и нескольких слоёв и планарных гетероструктур на их основе) произвольного состава, состоящих из более чем 2х типов атомов, на различных подложках в зависимости от внешних параметров (температура, давление). В настоящий момент такие исследования в мире не проводятся. Во второй части проекта предлагается изучить атмосферную стабильность материалов, предсказанных на первом этапе выполнения проекта, а именно исследовать процесс дефектообразования в их структуре под влиянием различных молекулярных групп, содержащихся в атмосфере окружающей среды. Будут определены возможные способы стабилизации двумерных материалов в случае их нестабильности при нормальных условиях. Данное исследование принципиально важно для дальнейшего развития 2D материаловедения, поскольку позволит определить перспективные структуры способные работать длительное время в электронных устройствах.

Ожидаемые результаты
Основным результатом проекта будет являться создание эффективного метода на базе программного комплекса USPEX для моделирования процесса образования низкоразмерных наноструктур: 2D плёнок из одного и нескольких слоёв и планарных гетероструктур на их основе на подложках различного состава. Разработанный метод позволит определить влияние подложки на конечную атомную структуру желаемого материала. С помощью развития данного метода станет возможным определение основных параметров, влияющих на процесс формирования материала, таких как давление, температура, симметрия подложки, несоответствие параметров ячейки подложки и выращиваемой плёнки. Созданный метод приведёт к значительному расширению фундаментальных знаний о механизмах роста наноструктур под влиянием различных условий ещё до проведения сложных, дорогостоящих и длительных экспериментов. Разработанный метод будет применён для моделирования процессов образования известных двумерных наноструктур, таких как графен, h-BN и др., хлоридов щелочных металлов (NaCl, LiCl), а также гетероструктур на их основе (графен-BN, BxNyOz, BxCyNz, M1_nM2_(1-n)X_m, M_nX1_nX2_(2-n)), где M1, M2 - переходные металлы (например, Mo, W и др), X1, X2 - атомы халькогенов (например, S, Se и др.) на подложках различного состава. Также будут предсказаны новые двумерные наноструктуры. Будет получена информация об особенностях формирования двумерных структур в зависимости от типа и кристаллографической ориентации подложки, а также от внешних параметров (давление, температура). Комплексное исследование процессов образования низкоразмерных материалов в зависимости от основных параметров и изучение влияния данных параметров на физико-химические свойства получаемых материалов представляет огромный интерес для различных областей науки и техники, в том числе электроники, оптоэлектроники и др. Действительно, посредством варьирования концентрации того или иного компонента, входящего в требуемый материал, возможно формирование различной атомной геометрии или контролируемого образования дефектов, что приведёт к изменению электронных свойств материала. Моделирование процессов формирования двумерных материалов на атомарном уровне позволит оптимизировать процесс выбора подложки для роста новых материалов, а также лучше понять и объяснить природу изменения физико-химических свойств при изменении параметров роста и состава подложки. Будет получена фундаментальная информация о стабильности двумерных наноматериалов, в том числе о процессе дефектообразования и/или окисления их кристаллической структуры под влиянием различных компонентов, содержащихся в атмосфере окружающей среды. Из широкого многообразия предсказанных двумерных стабильных структур далеко не все могут существовать при нормальных условиях. В проекте будет оценена стабильность наиболее перспективных двумерных материалов. Полученные данные позволят изучить возможности контролируемого манипулирования дефектообразованием, включая эффект «залечивания», и его влияние на изменение механических, оптических и каталитических свойств материалов, а также позволят предложить возможные способы увеличения стабильности наноструктур. Кроме того, будут получены данные о возможности стабилизации двумерных материалов, например, посредством присоединения к его поверхности молекулярных групп различного типа, а также с помощью допирования различными элементами. В последнем случае допирование может привести к сдвигу края зоны проводимости к величине окислительно-восстановительного потенциала молекулы кислорода, что, в свою очередь, приведёт к увеличению стабильности материала к окислению. Полученные данные являются крайне важными для дальнейшего практического применения двумерных материалов в качестве элементов устройств электроники. Возможность стабилизации перспективных двумерных материалов приведёт к возможности разработки наноэлектронных устройств, способных работать при нормальных условиях окружающей среды в течении длительного времени без деградации их свойств. Решение основных задач проекта значительно расширит фундаментальные знания о двумерных материалах, в частности улучшит понимание процессов их образования и стабильности при различных условиях. Полученные результаты будут использованы при дальнейшем применении экспериментальных методов для получения таких наноструктур и в конечном итоге могут иметь долгосрочные перспективы для новых наукоёмких разработок и создания технологий отвечающих национальным интересам Российской Федерации.


 

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ


Аннотация результатов, полученных в 2018 году
Для дальнейшего описания образования двумерных материалов и тонких пленок на подложках различного состава методом эмпирических потенциалов были определены параметры электростатического взаимодействия, основываясь на результатах, полученных с помощью теории функционала электронной плотности. Энергия взаимодействия между поверхностями подложки и двумерного материала описывалась с помощью параметризации потенциала парного взаимодействия Леннард-Джонса 6-12. В результаты были определены основные параметры взаимодействия, такие как такие как глубина потенциальной ямы и расстояние, на котором энергия взаимодействия становится равной нулю. С помощью подобранных параметров были оценены значения энергий связывания между поверхностью подложки и желаемым материалов. Получено соответствие между результатами, полученными двумя подходами. Для моделирования процесса образования двумерного материала на подложке была проведена адаптация модуля эволюционного алгоритма USPEX. Была добавлена возможность определения дополнительного вакуумного промежутка между подложкой и добавляемыми атомами другого состава для того, чтобы избежать нереалистичного добавления атомов в структуру подложки. Кроме того, был написан программный интерфейс взаимодействия между программным комплексом USPEX и программным пакетом LAMMPS. Модифицирован алгоритм релаксации сгенерированных структур. Добавлен метод молекулярной динамики и отжиг. Результаты расчётов показали, что такой способ позволяет быстрее найти энергетический минимум исследованных структур. Для проверки и тестирования правильной работоспособности адаптированного алгоритма USPEX было проведено моделирование образования ранее известных 2D-материалов (в т.ч. графен, h-BN и др.) на металлических подложках различного состава (в т.ч. Cu, Ni и др.) с различной ориентацией поверхности (в т.ч. (001), (111) и др.). Результаты моделирования показали слабое влияние металлических подложек на образования стабильных двумерных материалов, таких как графен и h-BN. Результаты, полученные с помощью теории функционала электронной плотности и метода эмпирических потенциалов показали одинаковые результаты. Показано, что в силу меньшего различия между параметрами ячейки, графен на поверхности Ni образуется быстрее, чем на Cu. Следующим шагом было проведено моделирование более сложных систем – тонких пленок щелочных металлов, таких как NaCl и LiCl на металлических подложках и алмазе. Результаты моделирования пленок NaCl и LiCl на подложках Cu и Ag с кристаллографическими ориентациями (100) и (111) показали полное согласие с имеющимися экспериментальными данными, включая атомную структуру пленки и особенности ориентации пленки относительно поверхности подложки. Важным является то, что результаты моделирования NaCl на поверхностях Cu(311) и Ag(111) показали результат, отличающийся от предсказанных теоретических моделях, описанных в литературе. Важным является проведение моделирования образования пленки NaCl на поверхности алмаза. В отличие от металлических подложек сила связывания с поверхностью алмаза значительно больше, что может сказаться на атомную структуру образованной пленки. Действительно, расчеты показали, что при моделировании пленки NaCl на поверхности алмаза (110) образуются моноатомные гексагональные слои NaCl, структура которые диктуется симметрией подложки. Аналогичные результаты был получен в случае подложки алмаза (111). Сильное влияние алмазной подложки подтверждается расчетами энергии взаимодействия между алмазом и тонкой пленкой NaCl. Получено, что оно на порядок больше, чем в случае металлических подложек. Результаты данного исследования готовятся к публикации. Результаты исследований демонстрируют, что увеличение силы взаимодействия между подложкой и пленкой неизбежно ведет к изменению атомной структуры последней. Было изучено поведение осаждаемых атомов Na и Cl на поверхность кристалла NaCl в зависимости от кристаллографической ориентации поверхности. В данном случае взаимодействие между подложкой и желаемым материалом много больше, чем в случае металлических подложек и алмаза. Осаждение атомов на подложку того же состава приводит к образованию реконструкции поверхности, образованию энергетически более выгодной поверхности. Были рассмотрены две кристаллографические ориентации пленок NaCl, такие как (100) и (111). Для поверхности NaCl(100) с помощью алгоритма USPEX было найдено четыре стабильные реконструкции. Проведено детальное изучение особенностей их атомной структуры, а также проведена оценка областей стабильности каждой из найденных реконструкций в зависимости от химического потенциала хлора. Аналогичные исследования были проведены для случай полярной поверхности NaCl(111). Для этого типа поверхности было найдено пять стабильных реконструкций. Получено, что реконструкция поверхности, которая имеет большее разупорядочение на поверхности является энергетически более выгодной. Такой факт может быть связан с тем, что разупорядочение атомной структуры приводит к уменьшению дипольного момента, направленного нормально в поверхности NaCl(111). Данный эффект ранее был предсказан для слоев NaCl, не находящихся на подложках. По результатам исследований подготовлена научная статья для отправки в журнал. Одной из важных областей исследования данного проекта является изучение стабильности к окислению монослоев MoS2 и MoSe2. С помощью методов квантовой химии было получено, а затем экспериментально подтверждено, что окисление поверхности MoS2 происходить быстрее, чем поверхности MoSe2, что говорит об атмосферной нестабильности дисульфида молибдена. Следует отметить, что обратная ситуация наблюдается в случае окисления краев дихалькогенидов молибдена. Результаты исследований были опубликованы в журнале Nature Chemistry в 2018 году. Дальнейшее развитие данной темы заключается в исследовании возможности увеличить стабильность к окислению монослоев халькогенидов молибдена путем их допирования атомами галогенов. Для всех рассмотренных структур была оценена энергия образования вакансии вблизи допанта и на некотором расстоянии от него. Такое исследование позволило определить влияние примесных атомов на вероятность образования вакансий в плоскости дихалькогенидов молибдена. Получена сильная зависимость вероятности образования вакансии от типа допанта. Полученные результаты могут свидетельствовать о возможности управления стабильностью двумерного материала. Получено, что в монослое MoS2 энергетически выгодными является образование вакансии по атому S вблизи атома допанта Cl и Br, тогда как допирование атомами F снижает возможность образования вакансии рядом с ним. Кроме того, получено увеличение энергии образования вакансии при удалении от атома допанта, что свидетельствует о том, что энергетически более выгодно образование вакансий атомов серы непосредственно вблизи атома F и I. Управление свойствами двумерных структур представляется возможным как с помощью создания различных дефектов, так и при помощи адсорбции молекулярных групп на поверхность материала. В качестве предельного случая адсорбции молекулярных групп можно рассмотреть создание многослойных структур при комбинации слоев дихалькогенидов молибдена с графеном. Полученные результаты свидетельствуют о слабом Ван-дер-Ваальсовом взаимодействии между графеном и слоями дисульфида и диселенида молибдена, а допирование атомом фтора приводит к дальнейшему уменьшению энергии связывания между слоями MoS2 и MoSe2 с графеном. Исследование особенностей роста 2D материалов требует разработки оригинальных подходов, реализация которых возможна в рамках эволюционного алгоритма поиска стабильных структур USPEX. Результаты исследований этого года показали, что модифицирование и использование модуля 200 и существующего модуля 201 алгоритма USPEX привело к возможности корректного описания гомо и гетеро эпитаксиального образования тонких пленок на подложках различных составов. Полученные результаты дали основу для определения направлений улучшения и модернизации модуля 201 для предсказания структуры с количеством атомов в системе >2 (не включая подложку). Разработан алгоритм, позволяющий рассчитывать целевую функцию для определения термодинамически стабильных структур тонких пленок на подложках.

 

Публикации

1. Peto J., Ollar T., Vancso P., Попов З.И., Magda G.Z., Dobrik G., Hwang C., Сорокин П.Б., Tapaszto L. Spontaneous doping of the basal plane of MoS2 single layers through oxygen substitution under ambient conditions Nature Chemistry, 10,1246-1251 (год публикации - 2018).


Аннотация результатов, полученных в 2019 году
На втором этапе выполнения проекта была проведена модернизация модуля USPEX для возможности предсказания образования двумерных материалов на подложках различного состава. Для этого в алгоритм было добавлено и изменено два вариационных оператора: трансмутация и оператор удаления/добавления атомов. Так же, на программном уровне был добавлен критерий учета несоответствия между параметрами ячейки желаемого 2D-материала и подложки. Так, для каждой структуры базис выбирается как случайная линейная комбинация исходных базисных векторов подложки. Модуль конечных базисных векторов ограничивается так, чтобы максимальное отношение между площадью ячейки и площадью элементарной ячейки подложки не превышало некоторого порогового значения. Для оценки стабильности структур введена функция приспособленности (fitness function), описываемая энергией образования тонких пленок, приходящейся на единицу площади. Подверглась модернизации также оценка величины химического потенциала, который стал определяться из фазовой диаграммы в координатах «избыточная энергия – состав на единицу площади», на которой систематически улучшающийся набор лучших в поколении структур образует выпуклую оболочку. Этот подход может быть эффективно распространен на системы с произвольным числом компонент, где значения химических потенциалов выводятся как частные производные соответствующих гиперплоскостей многомерной выпуклой оболочки. Кроме того, был развит подход косвенного учета взаимодействия 2D-структур с подложкой за счет введения ограничений на параметры ячейки в плоскости 2D-структуры. Для этого был изменен процесс оптимизации сгенерированных структур в программе VASP, в блоке, отвечающем за изменение параметров ячейки в процессе оптимизации. Также была произведена модификация алгоритма USPEX в блоке, отвечающем за проверку сгенерированных структур. Данная модификация также позволила генерировать структуры с переменной стехиометрией элементов (A_xB_(1-x)). В совокупности полученный подход позволил производить поиск и оптимизацию структур, испытывающих напряжение по двум осям, что можно считать влиянием подложки в приближении сильного связывания двумерного материала. Для проверки предложенного алгоритма был произведен расчет системы Na_xCl_(1-x) c фиксированными параметрами ячейки, соответствующим параметрам поверхности грани алмаза [110]. В ходе поиска было получено 3 энергетически выгодных состава (Na, Cl и NaCl). Энергетически выгодная структура соответствует NaCl с гексагональной симметрией. Полученная структура h-NaCl соответствует ранним результатам исследований NaCl на подложках алмаза, где на подложке алмаза (110) была получена гексагональная структура NaCl. Для описания стабильности гексагональной фазы был рассчитан энергетический барьер перехода между кубической фазой NaCl и гексагональной, который составляет 0.1 эВ/ф.е., что свидетельствует о том, что гексагональная фаза в отсутствии стабилизирующих факторов будет переходить в стабильную кубическую фазу. Барьер перехода их кубической в гексагональную фазу был оценен как 0.35 эВ/ф.е. В результате проведенных работ по данному пункту был развит подход косвенного учета взаимодействия подложки (наложение ограничений на размеры расчётной ячейки) для моделирования образования двумерных материалов и тонких пленок. Обязательным условием применимости данного подхода является наличие сильного связывания между 2D-структурой и подложкой. Использование данного подхода при наличие слабого взаимодействия, как, например, в случае с металлическими подложками может привести к получению неверных результатов. С помощью эволюционного алгоритма было проведено исследование образования структур состава BxNyOz и BxCyNz без принятия во внимание атомной структуры подложки. Ее воздействие учитывалось через наложение ограничений на вектора трансляции. В ходе эволюционного поиска были найдены новые термодинамически стабильные структуры составов BCN и BNO с различной концентрацией углерода и кислорода, соответственно. Были найдены уникальные структуры тройного состава, ранее неизученные. Кроме того, были проанализированы структуры, находящиеся выше линии декомпозиции. Результаты поиска новых BNO-структур показали, что в случае дефицита атомов бора или азота, встраивание кислорода происходит только в положениях замещения атомов азота, что согласуется с ранее полученными данными и свидетельствуют о корректности применения такого метода для предсказания новых двумерных материалов. Были детально проанализированы особенности атомных структур предсказанных материалов. В ходе исследования процесса образования BNO и BCN-структур на подложках (методом косвенного учета) показано, что несоответствие параметров ячейки приводит лишь к образованию искривлений в образованных слоях. Уникальная атомная структура полученных нанообъектов в совокупности со стабильностью двумерной кристаллической решетки к деформациям свидетельствует о необходимости более глубокого исследования их физико-химических свойств для понимания эффектов, связанных с воздействием подложки на двумерный материал. По результатам исследования подготовлена статья для отправки в журнал Physical Chemistry Chemical Physics. Были изучены особенности электронных и магнитных свойств дихалькогенидов молибдена, допированных атомами галогенов (F, Cl, Br, I). Получено, что добавление атома халькогена в качестве допанта, приводит к возникновению магнитного момента в его окрестности. Полученный магнитный моменты равен ~1 µ в расчете на суперъячейку, содержащую один атом галогена. Проведен детальный анализ спинового упорядочения в зависимости от типа галогена. Кроме того, получено, что внедрение атомов Cl, Br, I в структуру MoS2 приводит к появлению полуметаллических свойств и наведению 100% спиновой поляризации вблизи уровня Ферми для атомов Mo и галогена. Дальнейшим шагом были исследованы особенности электронных свойств гетероструктур на основе графена и дихалькогенидов молибдена, допированных атомами галогена. Графен был рассмотрен как предельный случай покрытие слоев ДПМ. Получено, что допирование дихалькогенидов молибдена приводит к наведению спиновой поляризации носителей на графене. Получена зависимость спиновой поляризации от электроотрицательности атома галогена. Кроме того, нами были изучены электронные свойства диселенида молибдена, покрытого мономолекулярным слоем PTCDA, изучены особенности перераспределение заряда между слоями гетероструктуры. В ходе исследования были оценены энергии связывания как между слоями, так и внутри мономолекулярного слоя. Анализ DOS гетероструктуры MoSe2/PTCDA показал наличие незанятых электронных состояний в области энергий 0,8 эВ. Было получено наличие переноса заряда между слоями гетероструктуры на основе анализа DOS, где было получено присутствие вклада от монослоя MoSe2. На основе проведенных расчетов можно сделать вывод о том, что наличие слоя PTCDA приводит к возникновению электронных состояний в запрещенной зоне у монослоя MoSe2 и p-допированию, что может отразиться на изменении его оптических свойствах. На основе расчетов методом Бадера и дифференциальной плотности зарядов было показано, что в гетероструктуре происходит накопление электронов на слое PTCDA и отток электронов со слоя MoSe2. Анализ зарядов с помощью метода Бадера подтверждает данный факт, также указывая на перетекание электронов со слоя MoSe2 на слой PTCDA (0,06 e на молекулу). По результатам исследований были подготовлены и отправлены две статьи для публикации в журналах Nanoscale и Письма в ЖЭТФ. Предсказание новых фаз составов M1_nM2_(1-n)X_m, M_nX1_nX2_(2-n), где M=Mo, W и др., X=O, S, Se с помощью эволюционного алгоритма показали наличие термодинамически стабильных промежуточных фаз, представляющих собой сплавы с равномерно замещенными атомами металлов и халькогенов соответствующих составов в рамках одного монослоя ДПМ в H-фазе. Для каждого из представленных составов были рассчитаны диаграммы в координатах состав – энтальпия образования. На основе полученных данных была построена выпуклая линия по границах энергетически выгодных соединений. Были детально проанализированы полученные структуры. Помимо термодинамически стабильных структуры были также рассмотрены метастабильные, находящиеся выше линии декомпозиции не более, чем на 1 эВ/атом. Кроме того, был проведен эволюционный поиск соединений состава MoS_(2-x)Se_(x) на подложке золота. Получено, что присутствие подложки привело к изменению набора стабильных структур. Так, были найдены три стабильные фазы. Две из которых представляют собой слои ДМП на поверхности золота с равномерным перемешиванием атомов халькогенов S и Se с различной концентрацией. Интересным результатом является предсказание необычной структуры при равном количестве фракций MoS2 и MoSe2. Данная структура не имеет аналогов среди известных 2D-материалов. Также она не была найдена в ходе эволюционного поиска структур состава MoS_(2-x)Se_(x) без подложки. Одной из важных частей проекта является исследование стабильности к окислению монослоев ДПМ в присутствии подложки. В настоящее время в области квантово-химического моделирования не существует универсального подхода, позволяющего эффективно предсказать и оценить стабильность к окислению двумерных материалов. Была исследована энергия образования вакансий в зависимости от количества электронов, перетекших на монослой. В качестве элемента допирующего электронами были рассмотрены атомы лития. Полученные результаты говорят о томе, что с увеличением количества электронной плотности, перетекшей на монослой MoX2 энергия образования вакансии уменьшается. Получено, что увеличение степени допирования электронами приводит к более легкому образованию вакансий в монослое. Было показано, что при допировании MoS2 на величину 0.097e/ф.е. энергия отсоединения SO с созданием вакансии в слое MoS2 отличается на 0.8 эВ, что свидетельствует о снижении стабильности к окислению в случае допирования монослоя. На основе полученных результатов были выявлены закономерности, влияющие на окисление монослоев MoS2 и MoSe2, что стало предпосылкой для дальнейшего создания универсального подхода для описания окисления двумерных материалов с помощью данных, полученных из квантово-химического моделирования.

 

Публикации

1. Ванчо П., Попов З.И., Пето Дж., Оллар Т., Добрик Г., Пап Дж.С., Хванг Ч.Ю., Сорокин П.Б., Тапасто Л. Transition metal chalcogenide single-layers as an active platform for singleatom catalysis ACS Energy Letters, 8, 4, 1947-1953 (год публикации - 2019).

2. Квашнин А.Г., Квашнин Д.Г., Оганов А.Р. Novel Unexpected Reconstructions of (100) and (111) Surfaces of NaCl: Theoretical Prediction Scientific Reports, 9,14267-14275 (год публикации - 2019).

3. Суханова Е.В., Попов З.И., Квашнин ДГ Теоретическое исследование электронных и оптических свойств гетероструктуры на основе молекул органического полупроводника PTCDA и MoSe2 Письма в ЖЭТФ, - (год публикации - 2020).

4. Тихомирова К.А., Тантардини К., Суханова Е.В., Попов З.И., Евлашин С.А., Тархаров М.А., Жданов В.Л., Дудин А.А., Оганов а.Р., Квашнин Д.Г., Квашнин А.Г. Exotic Two-Dimensional Structure: The First Case of Hexagonal NaCl The Journal of Physical Chemistry Letters, 11, 3821-3827 (год публикации - 2020).