КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

 

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ


Номер 22-12-00342

НазваниеИнновационные методы локального контроля в низкотемпературной и низко-диссипативной наноэлектронике

РуководительХрапай Вадим Сергеевич, Кандидат физико-математических наук

Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук, Московская обл

Период выполнения при поддержке РНФ 2022 г. - 2024 г. 

Конкурс№68 - Конкурс 2022 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами».

Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе, 02-204 - Нано- и микроструктуры

Ключевые словашумовая и транспортная спектроскопия и термометрия, однофотонные детекторы, эффект близости, сверхпроводящая спинтроника

Код ГРНТИ29.19.22


 

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ


Аннотация
Вклад российской экспериментальной науки в современные наукоемкие технологии, к сожалению, очень мал. К такому положению дел приводит множество факторов, в основном экономических. В то же время, важнейшим фактором является и традиционная оторванность передовых фундаментальных исследований от прикладных разработок. Уже само по себе такое разделение как будто отрицает взаимосвязь инновационных идей, возникших в процессе чисто научного исследования, и их дальнейшего применения в новых поколениях приборов и инструментов. Предлагаемый проект направлен на создание точки роста в ИФТТ РАН, объединяющей усилия высококлассных молодых исследователей из различных научных организация в РФ с передовым опытом работы в смежных областях низкотемпературной и низко-диссипативной наноэлектроники и некоторым опытом прикладных исследований.  Предлагаемые в нашем проекте исследования объединены общей целью - разработки инновационной технологии локального контроля электронных конфигураций в низко-температурной низко-диссипативной наноэлектронике. В основе технологии лежат оригинальные разработки коллектива в области локальной шумовой спектроскопии. Реализация трех экспериментальных направлений позволит всесторонне подойти к решению проблемы, отработать не только основную технологию, но и методы независимой проверки получаемых с ее помощью результатов анализа неравновесных электронных конфигураций на наномасштабе.  В комплексе, такой подход обеспечивает, на наш взгляд, качество и целостность проекта. Область локальной шумовой спектроскопии и термометрии только начинает развиваться в мире. Реализация проекта позволит закрепить отечественные наработки на уровне лабораторного образца шумового микроскопа, в полном соответствии с мировыми тенденциями и приоритетами научно-технического развития РФ.

Ожидаемые результаты
Работа многих современных электронных приборов уже напрямую ограничена законами квантовой механики, поскольку характерный размер рабочего элемента, как правило, не превышает одного или сразу нескольких микроскопических масштабов (длина волны, корреляционная длина в сверхпроводящем эффекте близости,  длина энергетической, спиновой или фазовой релаксации и т.п.).  В то же время, разнообразие используемых комбинаций материалов, необходимость учета размерных и интерфейсных эффектов делает предсказание характеристик планируемого прибора из первых принципов почти безнадежной задачей. Таким образом, разработка новых технологий контроля неравновесных электронных конфигураций, определения характерных пространственных, и связанных с ними временных, масштабов в электронной системе и управления ими, играет решающее значение для будущего практических нанотехнологий.  В рамках предлагаемого проекта будет решен следующий круг задач фундаментального и прикладного характера, отвечающих этой цели: 1. Отработка методов создания и контроля электронных неравновесностей разного характера --- зарядовой, спиновой, энергетической и их комбинаций с использованием транспортных методик. 2. Отработка методов среднего и пространственно-разрешенного неинвазивного контроля неравновесности в проводниках со встроенной наноскопической неоднородностью 3. Отработка методов сканирующей туннельной и шумовой спектроскопии применительно к характеризации квазичастичного транспорта в сверхтонких пленках сверхпроводников, используемых в однофотонных устройствах 4. Исследование шумовых характеристик и теплового транспорта в новых гибридных материалах, перспективных для термоэлектрического применения. Отличительной особенностью предлагаемого проекта является непосредственное применение и апробация всех практических разработок в передовых  фундаментальных научных исследованиях международного коллектива исследователей. Эти исследования и разработки лягут в основу предлагаемой инновационной технологии локального контроля.  Главным прикладным результатом выполнения проекта будет создание лабораторного прототипа головки сканирующего шумового микроскопа, работающего на принципе локальной шумовой термометрии.


 

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ


Аннотация результатов, полученных в 2022 году
Направление 1. Нанопроволоки: термо-ЭДС, шум. Получена серия образцов подвешенных нанопроволок InAs со сверхпроводящим островком из эпитаксиального Al, оборудованных завторами для глобального и селективного изменения плотности носителей. Образцы также снабжены нагревателями контактного типа, которые служат для создания управляемого градиента температуры вдоль провода. Обнаружена возможность создания одиночных квантовых точек, управляемых затворами, с зарядовой энергией около 1 мэВ, с помощью точек получен термоэлектрический отклик такой структуры. Показано, что подавление сверхпроводимости в островке происходит скачком в результате аналога разогревного эффекта при достаточно больших напряжениях. Положение соответствующего небольшого скачка на ВАХ испытывает осцилляции в продольном магнитном поле вследствие эффекта Литтла-Паркса в сверхпроводнике, охватывающем нанопроволоку целиком. Направление 2. Шумовой СТМ Опробованы методики сканирования топографии, и скоростной съемки ВАХ и дробового шума туннельной иглы при температуре жидкого гелия на примере подложки пиролитического графита. Получено значение фактора Фано дробового шума, близкое к пуассоновскому значению F=1, на примере туннельного сопротивления около 100 МОм, в диапазоне напряжений на игле +/- 500 мВ. Полученное разрешение ~ 10 нм пока заметно хуже атомарного, но уже достаточно для планируемых в дальнейшем экспериментов. Направление 3. Неравновесная сверхпроводимость. Проведено исследование нелокальных неравновесных эффектов в Джохзефсоновских контактах на основе металлических стурктур. Исследованы зависимости нелокального криттока от тока инжекции и положения инжектора, представляющего собой нормальный контакт вблизи места слабой связи. Получены оценки длины зарядового разбаланса в ниобии в низкотемпературном пределе. Произведены образцы гибридных структур сверхпроводника с магнетиком для последующих запланированных экспериметов по спиновому разбалансу. Направление 4. Теория Предпринята попытка расчета теплопроводности нормальной металлической пленки, находящейся в условиях эффекта близости к объемному сверхпроводнику. Предложен новый тип квазичастичного интерферометра на краевых каналах квантового эффекта Холла при факторе заполнения 2. В этом приборе внутрь интерферометра типа Фабри-Перо помещен заземленный сверхпроводящий контакт, так что в интерференции участвуют Боголюбовские квазичастицы, представляющие собой суперпозицию электронного и дырочного возбуждений. Рассчитаны вероятности нелокального прохождения, Андреевского и кросс-Андреевского отражения, получены выражения для матрицы кондактанса. Предложена отдельная геометрия интерферометра, позволяющая резонансно усилить сколь угодно малую вероятность Андреевского отражения до единичного значения.

 

Публикации


Аннотация результатов, полученных в 2023 году
ОПУБЛИКОВАННЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ: Исследовано влияние транспортного тока на сверхпроводящий параметр порядка в сверхпроводящих островках в эпитаксиальных нанопроволоках Al-InAs с full-shell оболочкой. В зависимости от конструкции устройства подавление сверхпроводимости происходит тремя принципиально разными способами — критическим током в случае сверхпроводящих резервуаров и критическим напряжением или критической джоулевой мощностью в случае нормальных резервуаров. В последнем случае коллапс сверхпроводящего состояния зависит от соотношения времени пребывания и времени электрон-фононной релаксации квазичастиц в островке. При низкоомной и высокоомной связи с резервуарами реализуются, соответственно, безрелаксационный режим и режим сильной электрон-фононной релаксации. Наши результаты проливают свет на потенциальные недостатки транспортной спектроскопии с конечным напряжением смещения на «подвешенных» островках (https://arxiv.org/abs/2311.10676). Экспериментально исследованы неравновесные явления в планарных джозефсоновских SNS наноструктурах с Nb в качестве сверхпроводника (S) и Cu или Au в качестве нормального металла (N). При помощи дополнительных N-электродов, присоединенных к S-берегам джозефсоновского SNS контакта, выполнены транспортные измерения при низких температурах с инжекцией квазичастиц при использовании локальных и нелокальных схем подключения. Впервые экспериментально определена длина релаксации зарядового разбаланса в ниобии при температурах существенно ниже температуры сверхпроводящего перехода. «Письма в ЖЭТФ» Для куперовского сплиттера без кулоновской блокады предложен подход, позволяющий охарактеризовать его работу как по элементам матрицы рассеяния, так и по измеряемым величинам. В геометрии трехполюсного одноканального устройства получены явные выражения для вероятности расщепления (p11) и эффективности расщепления (K), в частности, содержащие двухчастичные интерференционные члены, недоступные из измерений проводимости. Показано, что знак кросс-коррелятор тока нормальных терминалов не определяет значение K и, что противоречит интуиции, наибольшее значение p11 сосуществует с максимально антикоррелированными токами в нормальных терминалах (https://arxiv.org/abs/2311.11954). Исследовано получение ван дер ваальсовых гетероструктур слоистых материалов, в частности из графита и гексагонального нитрида бора различными способами. Результаты измерения транспортных свойств получившихся структур при различных температурах демонстрируют эффект поля, но ряд особенностей – сильное смещение по затвору точки нейтральности, большое сопротивление вдали от точки нейтральности, малая подвижность – свидетельствуют о проблеме с качеством получившихся образцов. Изображения получившихся структур в электронном микроскопе выявили большое количество загрязнений на поверхности флеек, с которыми мы связываем соответствующее качество наших образцов. Приведены предварительные результаты очистки флеек химическими соединениями и температурной обработкой (отжигом). «ПОВЕРХНОСТЬ. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования».

 

Публикации

1. Лакунов И.С., Егоров С.В., Муханова Е.Д.,Батов И.E., Голикова Т.Е., Рязанов В.В. Неравновесные явления в планарных мезоскопических джозефсоновских SNS структурах на основе сверхпроводящего Nb Письма в ЖЭТФ, Письма в ЖЭТФ, том 118, вып. 9, с. 656 – 663 (год публикации - 2023) https://doi.org/10.31857/S123456782321005X

2. Храпай В.С. Quantum Hall Bogoliubov interferometer Physical Review B, PHYSICAL REVIEW B 107, L241401 (2023) (год публикации - 2023) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.107.L241401

3. Шевчун А.Ф., Прокудина М.Г., Егоров С.В., Тихонов Е.С. МЕТОДИКА ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ВАН-ДЕР-ВААЛЬСОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования», - (год публикации - 2024)

4. - Найден новый способ генерации квантовой запутанности электронов сайт Российской Академии Наук, - (год публикации - )

5. - НАЙДЕН НОВЫЙ СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ КВАНТОВОЙ ЗАПУТАННОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ Портал «Научная Россия», - (год публикации - )

6. - Найден новый способ генерации квантовой запутанности электронов портал InScience.News, - (год публикации - )

7. - Квантовую запутанность предложили генерировать в сверхпроводнике портал colab.ws, - (год публикации - )