КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

 

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ


Номер 22-79-10159

НазваниеРазработка многофункциональных гетероструктур с электрической бистабильностью, обеспечивающих генерацию мощного импульсного лазерного излучения в спектральном диапазоне 1300-1500нм

РуководительПодоскин Александр Александрович, Кандидат физико-математических наук

Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г Санкт-Петербург

Период выполнения при поддержке РНФ 07.2022 - 06.2025 

Конкурс№71 - Конкурс 2022 года «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными.

Область знания, основной код классификатора 09 - Инженерные науки, 09-701 - Электронная элементная база информационных систем

Ключевые словалазер-тиристор, электрическая бистабильность, мощный импульсный полупроводниковый лазер

Код ГРНТИ29.19.31


 

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ


Аннотация
Предлагаемый проект направлен на решение научной проблемы, связанной с разработкой многофункциональных полупроводниковых гетероструктур AlInGaAs/InGaAsP/InP для источников мощного оптического излучения в спектральном диапазоне 1300-1500нм и высокоэффективных токовых ключей, обеспечивающих нс и суб-нс времена переходных процессов и длительностей импульсов. Основная идея сводится к использованию многопереходных низковольтных гетероструктур AlInGaAs/InGaAsP/InP тиристорного типа с оптической обратной связью (т.е. гетероструктур с тремя p-n переходами), в которых реализованы условия электрической бистабильности и малосигнального управления, а также интегрированной лазерной частью. Предлагаемый подход обладает следующими преимуществами: (1) Электрическая бистабильность позволит реализовать функции токового ключа за счет двух устойчивых состояний многопереходной гетероструктуры: закрытое – без электропроводности и открытое – с низким омическим сопротивлением. (2) Низковольтность (блокирующие напряжения до 50В) за счет использования малых толщин эпитаксиальных блокирующих слоев, дает низкое сопротивления и малое остаточное напряжение в открытом состоянии, что должно обеспечить высокую эффективность работы в широком диапазоне длительностей генерируемых импульсов. (3) Малые толщины блокирующих слоев (до 10мкм) позволят реализовать условия низких значений встроенных емкостей, что даст возможность повысить частоты повторения генерируемых импульсов до МГц уровня. (4) Малые сигналы управления, реализуемые за счет оптической обратной связи, позволят эффективно включать как одиночные ключи, так и наборные решетки ключей, как результата повысить амплитуду коммутируемых импульсов тока до кА уровня. (5) Для реализации функции лазерного источника на длины волн 1300-1500нм в многопереходную гетероструктуру будет интегрирована лазерная часть AlInGaAs/InGaAsP. Т.к. разрабатываемый в рамках данного проекта подход позволяет объединить функции сильноточного ключа и лазерного излучателя спектрального диапазона ~1500нм в одной монолитной гетероструктуре, то это существенно упрощает конструкцию импульсного лазерного источника, делает такой источник компактным (нет необходимости в использовании дискретных элементов ключей и драйверов). (6) Монолитная интеграция позволяет снизить паразитные связи в контуре тока накачки, что ведет к повышению эффективности, а также повышению скорости переходных процессов и сокращению длительностей генерируемых импульсов тока до нс значений при повышении их амплитуды, что позволит повысить выходную пиковую мощность лазерного излучения до уровня в десятки Вт для одиночных источников и в дальнейшем до сотен Вт для многоэлементных источников в спектральном диапазоне 1300-1500нм, а также реализовать условия для получения суб-нс длительностей в режиме gain switching. Данные преимущества крайне важны при создании лазерных ЛИДАРов, неотъемлемым элементом которых являются мощные импульсные полупроводниковые лазеры, излучающие в спектральном диапазоне 1300-1500нм. Выбор данного спектрального диапазона обосновывается высокой пороговой мощностью лазерного излучения, которая безопасна для глаз, что позволяет поднять разрешающую способность и дальнодействие ЛИДАРа за счет большей допустимой мощности рабочего излучателя. Кроме этого, в данном диапазоне атмосфера является естественным фильтром для фонового излучения, что упрощает задачу регистрации полезного сигнала, отраженного от препятствия. Актуальность результатов проекта для практического использования обусловлена тем, что в настоящее время бурно развивается направление, связанное с разработкой беспилотных транспортных средств, где участвуют ведущие мировые лидеры в области информационных технологий (Google, Yandex и др.) и автомобилестроения (Ford, Hyundai и др.). Ключевая задача для данного направления связана с разработкой систем мониторинга окружающего пространства, которые основаны на использовании 3D ЛИДАРов, где в качестве источников излучения применяются импульсные полупроводниковые лазеры на длину волны 1500нм. Таким образом, реализуемые преимущества разрабатываемого в проекте подхода для создания мощных импульсных источников излучения в спектральном диапазоне 1300-1500нм, по сравнению с существующими решениями, открывает широкие возможности для практического использования результатов проекта, в том числе для создания лазерных систем мониторинга для транспортных средств (в том числе и беспилотных). Результаты проекта также востребованы Российскими производителями. В частности подтвердил заинтересованность в результатах проекта АО «НИИ Полюс» и скорейшее внедрение будет реализовано за счет согласования и апробации разрабатываемых технологий сотрудниками предприятия, являющимися участниками проекта. Также важно отметить, что результаты проекта могут быть использованы для создания новой компонентной базы твердотельной импульсной электроники высоких мощностей, где разрабатываемые быстрые токовые ключей могут использоваться как запускающие драйверы. Предлагаемые решения для генераторов импульсов лазерного излучения и тока по совокупности характеристик (длительность, частота, амплитуда, спектральный диапазон) не имеют аналогов в мире. Научная новизна Впервые многопереходные гетероструктуры с электрической бистабильностью будут реализованы на базе системы твердых растворов AlInGaAs/InGaAsP/InP как многофункциональные устройства обеспечивающие генерацию импульсов тока и мощного лазерного излучения для спектрального диапазона 1300-1500нм с длительностью в суб-нс и нс-диапазоне и уровнем пиковой выходной оптической мощности десятки Вт для одиночных источников. Решение поставленной задачи будет связано с (1) теоретическими исследованиями транспорта и лазерной генерации в могопереходных гетероструктурах AlInGaAs/InGaAsP/InP в условиях сверхвысоких плотностей токов и мощности лазерного излучения, (2) экспериментальными исследованиями в части технологии создания кристаллов мощных импульсных источников излучения на основе многопереходных гетероструткру AlInGaAs/InGaAsP/InP с электрической бистабильностью и (3) экспериментальными исследованиями статических и динамических электро-оптических характеристик многопереходных гетероструктур с электрический бистабильностью и мощных импульсных источников излучения в спектральном диапазоне 1300-1500нм на их основе. В результате проекта будет исследована возможность создания компактного генератора лазерных импульсов в спектральном диапазоне 1300-1500нм с интегрированным токовым ключом, обеспечивающим уникальный набор характеристик: суб-нс и нс длительности импульсов, пиковые мощности более 20Вт с частотами повторения в МГц диапазоне.

Ожидаемые результаты
В рамках предлагаемого проекта будут разработаны многофункциональные полупроводниковые гетероструктуры для источников мощного импульсного лазерного излучения в спектральном диапазоне 1300-1500нм и высокоэффективных токовых ключей, обеспечивающих нс и суб-нс времена переходных процессов и длительностей импульсов. Базовый подход будет основан на многопереходных гетероструктурах AlInGaAs/InGaAsP/InP с электрической бистабильностью, обеспечивающей эффективную генерацию импульсов тока при малосигнальном управлении, и интегрированной лазерной частью, обеспечивающей генерацию мощного лазерного излучения для спектрального диапазона 1300-1500нм без использования внешних генераторов импульсов тока. Для решения поставленных задач будут разработаны нелокальные двухмерные модели транспорта носителей заряда в многопереходных гетероструткурах, учитывающие эффекты, проявляющиеся в сильных электрических полях: насыщение скорости дрейфа в протяженных областях электрического поля и баллистический транспорт в узких доменах электрических полей, ударная ионизация, конечное время энергетической релаксации. С использованием разработанных моделей будут исследованы механизмы обратной связи в многопереходных гетероструктурах AlInGaAs/InGaAsP/InP с гетеропереходами второго рода, а также эффекты пространственной локализации тока при формировании узких ионизирующих доменов электрических полей. Будут исследованы закономерности формирования ионизирующих доменов сильных электрических полей в многопереходных гетероструктурах и описание механизмов транспорта через такие домены в условиях сверхвысоких плотностей токов. Проведенные исследования позволят определить фундаментальные ограничения при реализации нс и суб-нс времен переходных процессов и амплитуд коммутируемых токов как в токовых ключах, так и при генерации мощного лазерного излучения. Разработанные модели и полученные результаты в дальнейшем могут быть использованы для разработки мощных сильноточных транзисторов и диодов на основе полупроводниковых гетероструктур различных типов и материалов. Основные ожидаемые результаты (1) Будут исследованы процессы лазерной генерации в спектральном диапазоне 1300-1500нм в гетероструктурах AlInGaAs/InGaAsP/InP при сверхвысоких уровнях токовой накачки в условиях динамической пространственной неоднородности токовой накачки с характерными временами переходных процессов в суб-нс и нс-диапазонах. Полученные результаты будут использованы как для оптимизации лазерной части многопереходной гетероструктуры, так и для последующих исследований и разработок мощных высокоэффективных импульсных полупроводниковых лазеров с прямой импульсной токовой накачкой, в том числе на основе других материалов и других спектральных диапазонах, что важно для области исследований полупроводниковых лазеров в целом. (2) Будут развиты подходы для анализа многоэлементных интегральных конструкций на основе многопереходных гетероструктур, учитывающие как эффекты транспорта в сильных электрических полях, так и генерацию лазерного излучения, что необходимо для решения задачи повышения выходной оптической мощности и амплитуды коммутируемого тока. На основании проведенных исследований будут разработаны конструкции многофункциональных полупроводниковых гетероструктур для источников мощного импульсного лазерного излучения в спектральном диапазоне 1300-1500нм и высокоэффективных токовых ключей. Разрабатываемые динамические модели наполненные эффектами, проявляющимися при транспорте носителей в сильных электрических полях, позволят в дальнейшем проводить имитационное моделирование с экспериментальной точностью в широком спектре полупроводниковых твердых растворов, а также проводить исследования и разработки мощных твердотельных ключей с временами переходных процессов в нс и суб-нс диапазоне. (3) Будут разработаны базовые технологии создания экспериментальных образцов многопереходных гетероструктур AlInGaAs/InGaAsP/InP с электрический бистабильностью, включая технологию роста с использованием метода MOCVD эпитаксии, технологии формирования планарных волноводных и многоэлектродных конструкций, а также их пассивации. (4) Будут экспериментально исследованы подходы для создания мощных импульсных источников лазерного излучения с использованием многопереходных гетероструктур AlInGaAs/InGaAsP/InP с электрической бистабильностью и малосигнальным управлением. В результате проекта будет исследована возможность создания компактного генератора лазерных импульсов в спектральном диапазоне 1300-1500нм с интегрированным токовым ключом, обеспечивающим уникальный набор характеристик: суб-нс и нс длительности импульсов, пиковые мощности более 20Вт с частотами повторения в МГц диапазоне, а также возможность создания многоэлементных источников излучения, позволяющих повышать выходную мощность. Планируемые результаты, полученные при выполнении теоретических и экспериментальных исследований, будут продемонстрированы впервые, а совокупность достигаемых характеристик разрабатываемых приборов (пиковая мощность, длительность, эффективность, массогабаритные характеристики) превышает существующий мировой уровень. Разрабатываемые источники мощного импульсного лазерного излучения обладают преимуществом по сравнению с существующими аналогами на основе одиночных полупроводниковых лазеров. В первую очередь это выражается в отсутствии необходимости использования внешних схем для генерации импульсов тока накачки, т.к. в предлагаемом решении токовый ключ интегрирован в структуру кристалла, что обеспечивает компактность и эффективность за счет отсутствия промежуточных элементов токового контура. Кроме этого, интегральное исполнение позволит решать задачи снижения длительности лазерных импульсов и повышения пикового тока накачки и пиковой мощности за счет отсутствия паразитных связей, что необходимо для повышения дальности и разрешения при решении задач дальнометрии. Таким образом, разрабатываемые в проекте решения будут востребованы для создания компактных дальномеров и ЛИДАРов как российскими наукоемкими производствами, одно из которых организовано на базе АО НИИ «Полюс», так и зарубежными.


 

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ


Аннотация результатов, полученных в 2022 году
В рамках работ первого года проекта были достигнуты следующие основные результаты: 1. Была разработана двумерная гибридная модель с дрейф-диффузионным приближением транспорта носителей заряда с учетом ударной ионизации (модель Зельберхерра) и отрицательной дифференциальной подвижности в слое p0 InP базы гетероструктуры низковольтного тиристора, учитывающая оптическую обратную связь. 2. С использованием разработанной модели проведены численные исследования серии конструкций гетероструктур низковольтных гомотиристоров InP. В качестве базовой рассматривалась конструкция со слоем объемного заряда, сформированным в области р-базы n-p-n транзисторной части. Исследованы динамические характеристики и процессы, определяющие скорость перехода во включенное состояние. Показано, что при увеличении толщины р-базы с 1 до 2.6мкм достигаемые максимальные токи в открытом состоянии для приборов с размерами 200х500мкм увеличиваются с 70 до 90А, при этом минимальное время перехода во включенное состояние достигает 11нс при максимальном блокируемом напряжении 55В. Продемонстрировано, что эффективность работы во включенном состоянии определяется остаточным напряжением, величина которого снижается при уменьшении толщины р-базы. 3. Для мощных полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP на длину волны 1550 нм было показано, что использование слоя в виде широкозонного энергетического барьера имеет решающее значение для прекращения утечки электронов и значительного увеличения выходных характеристик лазера. Так же было показано, что оптимальным является расположение барьерного слоя между слоями AlGaInAs p-волновода и InP p-эмиттера. Применение AlInAs барьерного слоя позволило достичь максимальной оптической мощности непрерывного излучения 2 Вт при размере апертуры 40 мкм при комнатной температуре теплоотвода. 4. Была разработана конструкция чипа тиристорного токового ключа на основе многопереходных гетероструктур InP. Дизайн конструкции чипа выбран в соответствии с параметрами экспериментальной и модельных гетероструктур. Основная цель - создание импульсных лазерных излучателей гибридной конструкции (вертикальная сборка токовых ключей и излучающих лазерных линеек). Ключевая особенность предложенной конструкции заключается в отсутствии лазерного резонатора Фабри-Перо. Предложенная конструкция позволяет увеличить эффективность экспериментальной оценки и анализа выходных электрических характеристик разрабатываемых гетероструктур и создавать токовые ключи на их основе для накачки линеек лазерных излучателей. 5. В рамках экспериментальной части были разработаны, изготовлены и исследованы токовые ключи на основе низковольтных InP-гетеротиристоров с максимальным блокирующим напряжением 20В. Конструкция токовых ключей включала анодный контакт шириной 200мкм и две секции управления по 200мкм шириной по бокам от анодного контакта. В режиме генерации импульсов тока продемонстрирована эффективная работа InP-гетеротиристоров с низкоомной нагрузкой в виде конденсатора. Показано, что для токовых ключей с длиной кристалла 700мкм минимальное время задержки включение составляет 6нс при амплитуде тока управления 60мА. Продемонстрирована возможность генерации импульсов тока длительностью 53-154нс и амплитуд 38-130А при изменении номиналов конденсаторов в диапазоне 56-1000нФ.

 

Публикации

1. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Гаврина П.С., Кириченко Ю.К., Шувалова Н.В., Рудова Н.А., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Шушканов И.В., Золотарев В.В., Крючков В.А., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Яроцкая И.В. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50-150нс Письма в журнал технической физики, - (год публикации - 2023)

2. Слипченко С.О., Соболева О.С., Подоскин А.А., Кириченко Ю.К., Багаев Т.А., Яроцкая И.В., Пихтин Н.А. Исследование динамики включения низковольных InP-гомотиристоров Физика и техника полупроводников, - (год публикации - 2023)


Аннотация результатов, полученных в 2023 году
1. Были проведены теоретические исследования динамики низковольтных многопереходных гетероструктур тиристорного типа. Для проведения исследований была разработаны и использованы двумерные численные модели транспорта носителей заряда, описывающие локализацию тока управления в лазерной части гетероструктуры лазер-тиристора и локализацию протекания сквозного рабочего тока в полной конструкции многопереходной гетероструктуры. Было показано, что в гетероструктурах с полосковым анодом и боковым контактом неоднородность плотности тока управления возрастает с увеличением амплитуды сигнала управления. Так же показано, что расположение области локализации сквозного рабочего тока через структуру изменяется при различных уровнях тока управления. Малые токи управления соответствуют режиму с локализацией области протекания тока в центре полоскового анодного контакта. С повышением амплитуды тока управления область локализации располагается на краях полоскового анода. 2. Был проведен анализ эффективности лазерной генерации и оптимизация параметров лазерной части для многопереходной тиристорной гетероструктуры, работающей в режиме генерации мощных лазерных импульсов (пиковая мощность более 20Вт) в спектральном диапазоне 1300-1550нм и длительностями от единиц до сотен наносекунд. Для проведения анализа была построена двухмерная модель, учитывающая транспорт носителей заряда (поперечно слоям гетероструктуры) и распределение фотонов вдоль резонатора лазерной части многопереходной гетероструктуры. Модель транспорта носителей заряда позволяет учитывать эффекты, связанные с накоплением избыточных носителей заряда в слоях гетероструктуры, которые определяют внутренние оптические потери (сечения рассеяния электронов и дырок), а также потери, связанные со спонтанной излучательной рекомбинацией, безызлучательной рекомбинацией Шокли-Рида-Холла и Оже рекомбинацией. Разработанная модель позволяет проводить поиск оптимальных параметров лазерного резонатора Фабри-Перо (длина резонатора, коэффициенты отражения зеркал), позволяющих получить максимальную выходную оптическую мощность при заданной амплитуде импульсного тока накачки. Так, было показано, что для амплитуды тока 150А оптимальные параметры кристалла L = 1 mm, R = 1% позволяют получить выходную мощность до 32Вт с излучающей апертуры шириной 100мкм. 3. В рамках работ по разработке технологии MOCVD эпитаксии многопереходных тиристорных гетероструктур AlGaInAs/InGaAsP/InP была предложена конструкция лазер-тиристора, содержащая InP n-p-n транзисторную часть и верхнюю лазерную часть на длину волны 1480нм. Лазерная часть была выполнена в системе твердых растворов AlGaInAs/InGaAsP/InP на основе асимметричной конструкции с волноводом толщиной 2мкм и активной областью, содержащих 2 AlGaInAs квантовых ямы на длину волны 1470нм. Транзисторная часть включала p0 InP базу, сильнолегированный n-InP коллектор и сильнолегированный n-InP эмиттер. Дополнительно со стороны эмиттера был добавлен легированный слой p InP для предотвращения смыкания области объемного заряда коллекторного и эмиттерного переходов при высоких напряжениях смещения (питания). На образцах лазер-тиристорных кристаллов с трехэлектродной полосковой конструкцией было показано, что добавка легированного слоя в р-базу приводит к снижению эффективности управления и отсутствию переключения в открытое (низкоомное) состояние. При этом статическое напряжение блокировки сохраняется (до 17В на предложенной гетероструктуре). Верхняя лазерная часть так же демонстрирует эффективную лазерную генерацию с выходной оптической мощностью до 3Вт при амплитуде накачки 10А/200нс. 4. В рамках экспериментальных исследований динамических характеристик многопереходных AlGaInAs/InGaAsP/InP гетероструктур была продемонстрирована возможность создания гибридных сборок «низковольтный тиристорный ключ-лазерный диод» для источников излучения с длительностью импульса от 60-70нс с возможностью снижения длительности до единиц наносекунд. Демонстрация эффективной работы тиристорного токового ключа на основе гетероструктуры Al-In-Ga-As-P/InP в контуре с нагрузкой в виде мощного торцевого полупроводникового лазера, излучающего на длине волны порядка 1475нм позволяет говорить о возможности создания в дальнейшем монолитной эпитаксиальной структуры с конструкцией лазер-тиристора, в которой будут объединены функции, как тиристорного токового ключа, так лазерного источника излучения. В разработанных гибридных сборках при длительности импульса 65нс значения пиковой оптической мощности лазерных импульсов достигали 20Вт при общей ширине излучающей апертуры 200мкм, что сравнимо с оптической мощностью излучения дискретных мощных полосковых лазерных диодов на длину волны 1.47мкм. Расчетные значения амплитуды тока при этом достигали 80А. В вертикальной сборке, оптимизированной для получения коротких оптических импульсов, была достигнута выходная оптическая мощность 3Вт (с апертуры шириной 100мкм) при длительности импульса менее 3нс и максимальной амплитуде тока накачки до 7А. Диапазон рабочих напряжений питания в обоих случаях составлял от 5В до 15В. Полученные результаты демонстрируют высокий потенциал для разработки источников как с большей пиковой оптической мощностью за счет расширения излучающей апертуры, так и меньшей длительностью импульсов за счет оптимизации токового контура. Достигнутые выходные параметры делают предложенные низковольтные токовые ключи перспективными источниками импульсов токовой накачки для излучателей, применяемых в ToF-лидарах, поскольку такие длительности позволят существенно повысить пространственное разрешение подобных лидарных систем. Так же важно отметить, что рассматриваемый в данном проекте диапазон длин волн 1400-1600нм удовлетворяет требованиям безопасности излучения, предъявляемым к современным излучателям ToF-лидаров, применяемых в автомобильных системах автономного управления.

 

Публикации

1. - Усилие света: ученые сумели повысить мощность полупроводниковых лазеров Известия, 06.11.2023 (год публикации - )

2. - ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ СТАЛИ НА 30% МОЩНЕЕ БЛАГОДАРЯ БАРЬЕРАМ ОТ «УТЕЧКИ» ЭЛЕКТРОНОВ «Научная Россия» - электронное периодическое издание, 07.11.2023 11:30 Информация взята с портала «Научная Россия» (https://scientificrussia.ru/) (год публикации - )

3. - Барьеры для электронов Полит.ру, Ноябрь 8, 2023 PRO SCIENCE (год публикации - )

4. - Российские учёные придумали, как повысить мощность полупроводниковых лазеров с помощью барьерных слоёв Хабр, 7 ноя в 15:48 (год публикации - )

5. - Увеличить мощность полупроводниковых лазеров на 30% позволили барьерные слои Поиск - новости науки и техники, 07.11.2023 (год публикации - )

6. - Барьерные слои позволили увеличить мощность полупроводниковых лазеров на 30% InSciense, Вт 07 ноября, 2023 (год публикации - )

7. - Барьерные слои позволили увеличить мощность полупроводниковых лазеров на 30% Indicator, 07 НОЯБРЯ 2023 (год публикации - )

8. - УЧЕНЫЕ ПОВЫСИЛИ МОЩНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ наука.рф, 8 НОЯБРЯ 2023 (год публикации - )

9. - Усилие света: ученые сумели повысить мощность полупроводниковых лазеров Лазерный мир (лазер.рф), 07.11.2023 (год публикации - )

10. А.А.Подоскин, И.В.Шушканов, С.О.Слипченко, Н.А.Пихтин, Т.А.Багаев, В.Н.Светогоров, И.В Яроцкая, М.А.Ладугин, А.А.Мармалюк, В.А.Симаков Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al-In-Ga-As-P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5мкм) наносекундной длительности Физика и техника полупроводников, - (год публикации - 2024)

11. А.А.Подоскин, И.В.Шушканов, С.О.Слипченко, Н.А.Пихтин, Т.А.Багаев, В.Н.Светогоров, Ю.Л.Рябоштан, М.А.Ладугин, А.А.Мармалюк, В.А.Симаков Гибридные сборки тиристорный ключ - полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al-In-Ga-As-P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400-1500нм) Физика и техника полупроводников, - (год публикации - 2024)

12. Веселов Д.А., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Кириченко Ю.К., Подоскин А.А., Шувалова Н.В., Рудова Н.А., Вавилова Л.С., Растегаева М.Г., Багаев Т.А., Светогоров В.Н,, Падалица А.А., Рябоштан Ю.Л., Ладугин М.А., Мармалюк А.А. Implementation of energy barrier layers for 1550 nm high-power laser diodes Journal of Luminescence, vol. 263. p. 120164. (год публикации - 2023) https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2023.120164