КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

 

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

Номер 19-72-30023

НазваниеФизико-химические основы создания функциональных полупроводниковых наносистем

РуководительЛатышев Александр Васильевич, Доктор физико-математических наук

Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирская обл

Период выполнения при поддержке РНФ 2023 г. - 2025 г. 

Конкурс Конкурс на продление сроков выполнения проектов, поддержанных грантами Российского научного фонда по мероприятию «Проведение исследований научными лабораториями мирового уровня в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными (33).

Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе, 02-203 - Поверхность и тонкие пленки

Ключевые словаПоверхность, полупроводниковые, гибридные и искусственные наносистемы, нанофотоника, СВЧ техника, КНИ структуры, границы раздела, дислокации, высокоразрешающая электронная микроскопия, нанолитография, нанодиагностика, моделирование квантовых наносистем

Код ГРНТИ29.19.16 29.19.22

 

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ

Аннотация
В проекте запланировано продолжение работ по развитию технологий создания низкоразмерных систем на основе изучения фундаментальных физико-химических процессов на поверхности и в объёме полупроводниковых гетеросистем с использованием современных технологических, диагностических и вычислительных квантово-химических методов. Для создания новых материалов будут использованы передовые технологии создания материалов с контролируемой размерностью на основе молекулярно-лучевой эпитаксии в сочетании со способами наноструктурирования методами электронной литографии. Проведение фундаментальных и прикладных исследований будет базироваться на современных высокоразрешающих методах структурно-химического анализа, методиках низкотемпературных измерений электронных и оптических свойств, численных квантово-химических и ab initio расчетах, а также на моделировании методами молекулярной динамики. Среди диагностических методов in situ методы – сверхвысоковакуумная отражательная (СВВ ОЭМ) и высокоразрешающая электронная микроскопия (ВРЭМ) – являются наиболее адекватными для изучения элементарных процессов на поверхности и в объёме полупроводников. Численные квантово-химические, ab initio (DFT) расчеты и молекулярная динамика, предсказывающие изменения электронных, оптических и структурных свойств наносистем, будут неотъемлемой частью проекта. Комплексное применение современных экспериментальных и теоретических методов исследования процессов на поверхности и в объёме кристалла (атомных и электронных) позволит глубже понять физическую картину и механизмы структурно-химических трансформаций при создании принципиально новых материалов с новыми свойствами, что обеспечивает новизну и актуальность исследований. Работы будут проводиться по пяти направлениям, в рамках которых будут решаться следующие задачи: 1) Процессы на поверхности кристалла – анализ структурно-морфологических изменений и кинетики примесно-индуцированного массопереноса на поверхностях халькогенидов металлов и кремния при адсорбции примесных элементов; 2) Моделирование структуры поверхности кристаллов – определение атомной и электронной структуры поверхностей Si, Ge и Bi2Te3 с различной ориентацией, включая диффузионные процессы, на основе аb initio расчетов и молекулярной динамики; 3) Структурная диагностика гетеросистем, включая наносистемы – получение данных о структурно-химических особенностях многослойных гетеросистем для солнечных батарей и барьеров Шоттки, а также структуре дефектов (кластеров) в Si, введенных низкодозовой имплантацией и излучающих в диапазоне ~1.4-1.5мкм, перспективных для реализации монолитной Si фотоники; 4) Квантовый транспорт в низкоразмерных системах – изучение магнитополевой чувствительности нелокального сопротивления мезоскопических систем с искусственным графеном, низкотемпературного микроволнового фотоотклика Si нанотранзистора и короткого квантового точечного контакта в разных вариантах гетероструктур GaAs/Al(Ga)As; 5) Разработка технологий для оптики и фотоэлектроники – поиск материалов и разработка технологий на основе использования явления низкотемпературной твёрдотельной несмачиваемости с целью получения плотного массива компактных частиц с большим показателем преломления (теллур либо другой), обладающими широкополосными антиотражающими свойствами. Полученные результаты станут основой разработок новых технологий по созданию элементов наноэлектроники, спинтроники, Si фотоники и солнечной энергетики. Результаты по управлению морфологическими трансформациями поверхности кристалла Si при сублимации и разработке технологии создания уникальных атомно-гладких зеркал лягут в основу мелкосерийного изготовления отечественного оптического интерферометра-профилометра нового поколения с разрешением по высоте ~0.3 нм (совместно с Партнёрами Проекта).

Ожидаемые результаты
1) Процессы на поверхности кристалла С использованием метода in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии (СВВ ОЭМ) будут экспериментально исследованы атомные процессы на поверхности Si в условиях электромиграции покрытий Sn и адсорбции покрытий Sb. Будет установлено влияние электромиграции доменов разупорядоченной фазы Sn на перераспределение атомных ступеней на поверхности Si. Будут впервые изучены закономерности морфологических трансформаций на поверхности Si с широкими атомно-гладкими террасами при формировании примесно-индуцированных реконструкций Sb. Будет определено влияние Sb как сурфактантного покрытия на процессы 2D зарождения и роста и переход к 3D росту Ge (GeSi) при его осаждении на широкие террасы Si. Результаты позволят понять влияние Sb на формировании экстремально широких (более 200 мкм) атомно-гладких террас, необходимых в качестве опорных зеркал и калибровочных тест-объектов для создания отечественного оптического профилометра нового поколения с разрешением по высоте ~0.3 нм, разрабатываемого в сотрудничестве с Партнёрами Проекта. На основе in situ СВВ ОЭМ экспериментов будет получена информация о структурно-морфологических трансформациях поверхности халькогенидов металлов (Bi2Te3, Bi2S3 или других, включая твердые растворы), связанных с сублимацией при повышенных температурах. Объективная информация о динамике процессов на поверхности слоистых материалов (в том числе топологических изоляторов) и эволюции морфологии в процессе сублимации принципиально важна для дальнейшего развития эпитаксии ван-дер-ваальсовых гетеросистем. Данные о трансформациях морфологии поверхности теллуридов металлов при отжиге в атмосфере селена и возможном перемешиванием верхних слоев в литературе отсутствуют. Исследования по данному направлению опережают мировой уровень ввиду использования уникального метода in situ отражательной электронной микроскопии, позволяющего в условиях сублимации и роста, не доступных другим методам микроскопии, визуализировать процессы на поверхности кристаллов на уровне атомных ступеней и поверхностных фаз. 2) Моделирование структуры поверхности кристаллов Теоретически, на основе расчетов из первых принципов, будет исследована диффузия атомов Ge по упруго напряженной и релаксированной поверхностям Ge(111) со структурами 5×5 и 7×7. Это позволит определить, почему изменение структуры поверхности не влияет на диффузию адатомов, а напряжение сжатия приводит к увеличению диффузионных барьеров. Решение этой задачи позволит глубже понимать атомные процессы, происходящие при росте тонких пленок Ge на поверхности Si(111), являющихся основой формирования различных наноструктур. Используя ab initio (DFT) расчеты, будет установлена атомная структура блока, входящего в состав сложных реконструкций поверхностей Si(110) и Ge(110), таких как 16×2, 5×8 и с(8×10). Будут определены зонные структуры этих поверхностей и локализация электронных состояний. В литературе имеется значительный пробел в понимании структуры и свойств этих поверхностей, в то время как поверхности (100) и (111) кремния и германия в значительной степени уже изучены. Поверхности Si(110) и Ge(110) обладают значительной анизотропией и могут служить подложкой для формирования наноструктур, которые нельзя сформировать на поверхностях (100) и (111). В рамках теории функционала плотности будут рассчитаны энергии перехода атомов в позиции замещения на поверхности халькогенида металла (Bi2Te3 или другого). Помимо этого, будут определены конфигурации с минимальной энергией в случаях, когда в расчетной ячейке число атомов в позициях замещения больше одного. Это позволит выявить возможность формирования сверхструктур, легирования или формирования твёрдого раствора на поверхности данного материала. Будет разработан комплекс методик, позволяющий интерпретировать результаты молекулярно-динамического моделирования диффузии в контексте макроскопических представлений о процессе поверхностной диффузии на поверхности Si. Предполагаемый результат имеет ключевое значение в понимании механизмов диффузии, а также в количественных оценках ее параметров. С помощью этих методик будут проведены расчеты параметров диффузии на поверхности полупроводников (Si и другого) в различных условиях. Мировой уровень предполагаемых результатов обеспечен большим опытом использования ab initio расчетов структуры поверхности кремния и селенидов металлов, а также перспективностью использования исследуемых поверхностей для создания функциональных наносистем. 3) Структурная диагностика гетеросистем, включая наносистемы Будут получены данные о кластерной структуре {113} дефектов в Si в условиях преимущественного взаимодействия дивакансий и междоузельных атомов и путях перехода в другие (предположительно дислокационные) конфигурации, как в условиях in situ ВРЭМ облучения Si электронами в сочетании с ab initio расчетами, так и при имплантации ионов (Xe+, Ge+). {113} дефекты, как известно, возникают в Si и Ge независимо от вида радиационного воздействия и обеспечивают люминесценцию в интервале 1.4-1.5 мкм, что предопределяет возможность ее использования для развития цифровых фотонных технологий на Si платформе. Для оптимизации излучения на определенной длине волны требуется понимание механизмов образования дефектов и способов управления их структурой при вариации дозы облучения. Работы по созданию светодиодов и одиночных источников фотонов на основе Si с использованием малых доз имплантации ведутся во всем мире и определенные успехи уже продемонстрированы [A. Fischer et al. APL Photonics 7, 050901 (2022); M. Hollenbach et al. Optic Express 28, 26111 (2020)]. Однако природа излучающих центров, связанных с кластеризацией точечных дефектов на ранних стадиях облучения, не определена из-за чрезвычайной сложности этих процессов, которую обнаруживает in situ ВРЭМ облучение Si. Авторы являются лидерами в области применения in situ ВРЭМ и ВЭМ облучения электронами для изучения процессов накопления радиационных повреждений в Si и Ge, которые позволили сформулировать концепцию универсальности плоскости {113} для совместной кластеризации вакансий и междоузельных атомов независимо от вида радиационного воздействия [L.I. Fedina et al. In: Advance in semiconductor nanostructures. ch. 16, pp.383-407, Elsevier (2017)]. Полученные результаты опережают мировой уровень работ в данной области. С помощью безаберрационной ВРЭМ с использованием электронного микроскопа Titan 80-300 cubed (FEI) будут получены новые данные об атомном строении пленок и границ раздела монослойных и многослойных нанокристаллов силицидов хрома и железа на поверхности и в объёме кремния для термо- и оптоэлектроники. Практический интерес представляют сверхрешетки с двумя типами нанокристаллов (β-FeSi2 и CrSi2) с разной шириной запрещенной зоны. Учитывая, что такие сверхрешётки с квантовыми точками совместимы с кремниевой планарной технологией, они потенциально могут быть использованы для создания охлаждающих элементов в кремниевых интегральных схемах, а также для создания и тестирования кремний-силицидных фотодиодных структур с расширенным спектром фоточувствительности для оптоэлектроники [N.G. Galkin, Approaches to growth of multilayer silicon – silicide heterostructures with semiconductor silicide nanocrystallites, Thin Solid Films 515 (2007) 8179 – 8188]. С помощью ВРЭМ и сканирующей просвечивающей электронной микроскопии (STEM) будут определены структурно-химические особенности полупроводниковых гетероструктур Mg2Si/black-Si/Si(111) и Mg2Ge/black-Ge/Ge(001). Синтез силицида магния на структурированной поверхности кремния в виде конусов (black-Si) увеличивает поглощение света почти до 90%, что открывает перспективы использования гетеросистемы Mg2Si/black-Si/Si для высокоэффективных солнечных батарей [A. Shevlyagin et al. Applied Surface Science. 602, 154321 (2022)]. С помощью ВРЭМ и сканирующей просвечивающей электронной микроскопии (STEM) будут получены новые данные о структурно-химических особенностях полупроводниковой гетероструктуры SiOx/metal/ quartz (glass). Эта гетеросистема интересна, в основном, с научной точки зрения из-за возможности реализации металл-индуцированной кристаллизации при сравнительно низких температурах (менее 500°С) [DriesVan Gestel. Solar Energy Materials and Solar Cells 119, 261 (2013)]. В результате такой кристаллизации структура SiOx/metal/ quartz (glass) трансформируется в структуру КНИ в виде metal/Si/ quartz (glass). Детальный механизм этого процесса до конца не изучен и является предметом исследований в рамках проекта. Многослойная гетероструктура Au/Pt/Ti/n-InAlAs будет детально изучена методами ВРЭМ, STEM и EDX, и будут получены новые кристаллохимические данные о слоях и границах раздела. Она представляет интерес для создания барьеров Шоттки, являющихся составным элементом микроволновых полевых транзисторов и быстродействующих фотодетекторов, в которых барьер Шоттки играет роль управляемого затвора [A.L. Chizh et al. Tech. Phys. Lett. 45, 739 (2019)]. Мировой уровень ожидаемых результатов обеспечивается большим опытом ведущих сотрудников данного направления (более 590 публикаций, индексируемых в Scopus), а также использованием передовых методов безаберрационной высокоразрешающей и сканирующей просвечивающей электронной микроскопии. 4) Квантовый транспорт в низкоразмерных системах Будет достигнуто понимание механизма работы мезоскопических систем с полупроводниковым искусственным графеном, а также кремниевого нанотранзистора и короткого квантового точечного контакта в разных вариантах гетероструктур GaAs/Al(Ga)As с двумерным электронным газом. Ожидаемые результаты являются логическим продолжением работ, выполненных в сотрудничестве с ведущими мировыми научными центрами, и соответствуют мировому уровню исследований. Гигантская чувствительность к внешним полям и к деталям формирования рассматриваемых наноструктур (по сравнению с известными прототипами и явлениями) определяют актуальность и новизну решаемых задач. Опубликование ожидаемых результатов поможет дальнейшему совершенствованию полупроводниковых нанотехнологий. Работа по данному направлению в рамках Проекта 2019 с ведущими научными центрами — Кавендишская лаборатория (Великобритания), Университет Нового Южного Уэльса (Австралия) — подтверждает мировой уровень ожидаемых результатов. 5) Разработка технологий для оптики и фотоэлектроники Будет разработана технология получения плотных массивов компактных частиц на основе теллура посредством использования явления твёрдотельной несмачиваемости при сравнительно низких температурах, а именно около 250°С. Будет установлен спектральный диапазон, в котором покрытия из таких диэлектрических частиц обладают сильными антиотражающими свойствами, перспективными для использования в качестве покрытий для оптоэлектронных преобразователей. Будет проведён поиск других материалов, у которых явление твёрдотельной несмачиваемости может происходить при невысоких температурах, и которые могли бы быть совместимы с технологией изготовления солнечных элементов. Предлагаемый подход является технологически перспективным ввиду простоты получения покрытий из диэлектрических частиц на больших площадях, что, в сочетании с эффективными антиотражающими свойствами, обеспечивает мировой уровень предполагаемых результатов. В целом ожидается, что результаты выполнения данного Проекта будут соответствовать мировому уровню исследований, поскольку он является логическим продолжением Проекта 2019, результаты которого опубликованы в высокорейтинговых зарубежных научных изданиях (Applied Surface Science, Physical Review B, Journal of Physical Chemistry C, Optical Materials, Scientific Reports, полный перечень приведён в п. 1.9 заявки).

 

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Аннотация результатов, полученных в 2023 году
Методом in situ СВВ ОЭМ экспериментально исследованы морфологические трансформации на поверхности Si(111), индуцированные электромиграцией доменов разупорядоченной фазы “1×1”-Sn при Т=200–830°C и формированием пассивирующих монослойных покрытий Sb при Т=600–800°C. Дрейф доменов “1×1”-Sn поперёк восходящих атомных ступеней, а также вдоль их краёв, приводит к эмиссии атомов Si из ступеней и последующему неоднородному массопереносу Si доменами “1×1”-Sn, что вызывает травление краёв ступеней и появление двумерных островков вдоль них. Подвергаясь травлению доменом “1×1”-Sn, ступень смещается в сторону соседней вышерасположенной ступени и образует с ней ступень двойной атомной высоты —происходит кластеризация ступеней. Рассмотрены сверхструктурные переходы (7×7) ⇒ “1×1”-Sb и 1×1”-Sb ⇒ (√3×√3)-Sb, индуцированные осаждением до 1 МС Sb на чистую поверхность Si(111) при Т=400–800°C. Последовательные примесно-индуцированные структурные переходы приводят к перераспределению атомов Si в приповерхностном слое Si(111) и неравномерному зарождению двумерных островков Si, покрывающих до 10% площади террас. Методом in situ ОЭМ исследованы высокотемпературные трансформации поверхности Bi2Te3(0001). Впервые наблюдалось периодичное зарождение двумерных вакансионных островков в результате сублимации теллурида висмута. После длительной сублимации с высокой скоростью показано, что поверхность теллурида висмута демонстрирует террасы с высотами кратными 1 нм, а также террасы с высотами N+0,4 нм и N+0,6 нм (N — целое число), что свидетельствует о нарушении стехиометрического состава приповерхностного слоя. На начальных стадиях адсорбции селена в процессе сублимации Bi2Te3 наблюдалось зарождение и исчезновение 3D островков. Последующий отжиг Bi2Te3 при воздействии молекулярного пучка селена приводит к формированию эпитаксиальных треугольных островков высотой 1 нм, образующихся в результате зарождения и направленного движения пар винтовых дислокаций. Измерения потенциала поверхности методом зонда Кельвина демонстрируют более высокий потенциал вдоль ступеней треугольных островков с разностью потенциалов относительно поверхности около 0,1 В. С помощью расчетов из первых принципов исследовано влияние структуры и деформации поверхности Ge(111) на диффузию адсорбированных атомов Ge. Найдено, что скорости диффузии адатомов Ge на реконструированных поверхностях Ge(111) со структурами 5×5 и 7×7 — одинаковы. Напротив, диффузионный барьер на упруго-сжатой поверхности Ge(111) выше, чем на недеформированной, что согласуется с экспериментальными результатами, опубликованными ранее. Сравнимые скорости диффузии на поверхностях со структурами 5×5 и 7×7 объясняются одинаковой локальной атомной структурой таких поверхностей. Увеличение диффузионного барьера на деформированной поверхности объясняется усилением связи в димерах в составе структур 5×5 или 7×7 при сжатии поверхности, что приводит к ослаблению связи между адатомом Ge и димером. Проведено исследование из первых принципов адсорбции атомов селена на поверхности теллурида висмута и возможность замещения поверхностного атома теллура атомом селена на поверхности Bi2Te3(0001). Выявлено, что наиболее выгодной позицией адсорбции является вершинная позиция и значение энергии адсорбции равно −1,781 эВ. Также в результате проведенных расчетов показано, что энергетический минимум для атома селена в позиции замещения на 0,144 эВ ниже, чем в позиции адсорбции. Разработан комплекс методик расчета коэффициента самодиффузии в системах с большой степенью неоднородности по одному из направлений, таких как тонкие пленки и другие слоистые структуры. На базе эмпирического потенциала Кумагаи (модифицированный потенциал Терсоффа) на поверхности Si (111) рассчитан коэффиент самодиффузии в интервале температур 1250–1600 К и степенях покрытия от 0 (один адатом) до 0,5 монослоев. Коэффициент самодиффузии в пределе нулевой степени покрытия (один адатом) изменялся в интервале от 1,5·10^−6 см^2/с до 14,4·10^−6 см^2/с прямо пропорционально увеличению температуры от 1250 К до 1600 К. Макроскопический активационный барьер, усредненный по данному интервалу температур равен 1,02 эВ. При температуре 1600 К коэффициент самодиффузиии уменьшался от 14,4·10^−6 см^2/с до 7,5·10^−6 см^2/с при увеличении степени покрытия от 0 (один адатом) до 0,5 монослоев. С использованием in situ ВРЭМ облучения электронами, HyperChem-(mm+) моделирования и DFT расчетов показано, что кластерные дивакансионные структуры в плоскости {113} стабилизируются при взаимодействии с собственными междоузельными атомами в условиях их избытка. Это обеспечивает формирование {113} дефектов, состоящих из гексагональных конфигураций атомов Si, чередующихся в плоскости {113} с алмазными. Полученные результаты подтверждают фундаментальную идею о возможной блокировке переориентации V2 в Si за счет прикреплении к ней I, которая была высказана давно [G.D. Watkins and J.W. Corbett, Phys.Rev. 138, A543 (1965)] и в настоящее время обобщена для любых радиационных воздействий [M. Fleming, et al, JAP 107 (2010), 053712]. Однако эта идея впервые получила прямое подтверждение. С помощью, HRTEM и STEM исследована структура многослойной гетеросистемы из металлических пленок Au/Pt/Ti, осажденных на слое n-InAlAs для контактов Шоттки. Изучено влияние температуры и времени отжига на морфологию и химическую однородность границ раздела (Au/Pt)-Ti и Ti-InAlAs. Установлено, что аморфный слой толщиной около 2 нм на границе раздела Ti-InAlAs до отжига и после кратковременного отжига (до 5 минут) при 350°C является характерной особенностью гетерограницы Ti-InAlAs. Отжиг при температуре 400°C (~10 минут) приводит к формированию слоя TiAs толщиной около 20 нм на границе раздела Ti-InAlAs и кластеров, обогащенных индием в форме пирамид, распространяющихся от границы раздела Ti-InAlAs в слой InAlAs. С помощью просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, сканирующей электронной микроскопии, атомно-силовой и оптической микроскопии исследована система со структурой подложка из плавленого кварца/тонкая пленка золота/тонкая пленка a-SiO(0,9) после отжига при 350°C и остывания. Показано, что в процессе синтеза поликристаллический кремний формируется в нижнем слое (на подложке) неравномерно, при этом золото формируется как на подложке, так и переходит в поры верхнего слоя субоксида кремния. Выполнено моделирование низкотемпературного транспорта электронов в полупроводниковом искусственном графене и дырок в короткоканальном кремниевом транзисторе. В случае 4-терминальной системы с графеноподобной решеткой антиточек расчетом найдены особенности на магнитополевых зависимостях холловского и нелокального сопротивления, в том числе, дираковская точка, осцилляции с периодом в квант магнитного потока на площадь элементарной ячейки решетки и плато квантового эффекта Холла. В случае короткоканального транзистора расчетами установлена причина ступенек и резонансов на затворных характеристиках кондактанса и СВЧ-фотокондактанса. Проведено комплексное исследование роста слоёв теллура в высоковакуумной камере посредством термического испарения на кремниевые подложки, покрытые тонким слоем оксида кремния или плёнкой оксида индия-олова (ITO). Определено, что высокая анизотропия процессов роста теллура и его испарения приводит к формированию нанопроволок теллура разной длины и диаметра (обычно до 30 нм) в зависимости от условий их получения. Компактные частицы теллура с латеральными размерами более 100 нм получены при осаждении теллура на поверхность, покрытую плотным слоем наночастиц TeO2, на которых происходило зарождение и срастание близлежащих частиц теллура. Поверхности с такими покрытиями демонстрируют антиотражающие свойства, а исследование тонких проволок теллура показало усиление в них сигнала комбинационного рассеяния света, по сравнению с сигналом объемного Te, что связано с усилением взаимодействия электромагнитного излучения с полями резонансов Ми, возбуждаемыми в нанопроволоках.

 

Публикации

1. Жачук Р.А., Латышев А.В., Коутиньо Ж. Impact of strain and surface reconstruction on long-range diffusion of Ge atoms on Ge(111) surface Physical Review B, v. 107, p. 245305 (год публикации - 2023) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.107.245305

2. Петров А.С., Рогило Д.И., Вергулес А.И., Мансуров В.Г., Щеглов Д.В., Латышев А.В. Sn-mediated transformations on Si(111) surface: Reconstructions, Electromigration, Homoepitaxy Surface Science, v. 741, p. 122418 (год публикации - 2024) https://doi.org/10.1016/j.susc.2023.122418

3. Поборчий В.В., Сачков В.А., Шкляев А.А., Фокин А.В., Гешев П.И. Photonic and phononic properties of oriented 5 nm diameter tellurium nanowires Journal of Physics and Chemistry of Solids, v. 185, p. 111806 (год публикации - 2024) https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2023.111806

4. Бацанов С.А., Вдовин В.И., Гутаковский А.К., Замчий А.О., Баранов Е.А. Низкотемпературная золото-индуцированная кристаллизация аморфного субоксида кремния "Объединенная конференция «Электронно-лучевые технологии и рентгеновская оптика в микроэлектронике», КЭЛТ - 2023, Тезисы докладов, г. Черноголовка, 13 – 17 ноября 2023 г.", с.30-32 (год публикации - 2023)

5. Жачук Р.А., Латышев А.В., Коутиньо Ж. Влияние упругих деформаций и структуры поверхности Ge(111) на диффузию атомов Ge Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. ММMЭК–2023. 23–25 октября 2023 г., Москва : Материалы V Международной конференции., с. 67-69 (год публикации - 2023) https://doi.org/10.29003/m3588.MMMSEC-2023/67-69

6. Ткаченко В.А. Туннелирование в поле электромагнитного излучения ОФКС-2023: Тезисы докладов Школы молодых учѐных по оптическим и фотоэлектрическим свойствам полупроводниковых квантовых систем «Оптика и фотоэлектрика квантовых систем, Новосибирск, 8–9 ноября 2023 г., с. 17-18 (год публикации - 2023)

7. Ткаченко О.А., Ткаченко В.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П. Магнитотранспорт в графеноподобной полупроводниковой сверхрешетке Программа и тезисы докладов Четвертой российской конференции «Графен: молекула и 2D-кристалл», с. 99 (год публикации - 2023) https://doi.org/10.26902/Graphene-23-097

8. Ткаченко О.А., Ткаченко В.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П. Влияние модуляции потенциала и длинноволнового беспорядка на магнитотранспорт в полупроводниковом искусственном графене Совещание по теории твердого тела. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 17-19 мая 2023 г., с. 49 (год публикации - 2023)

9. Ткаченко О.А., Ткаченко В.А., Бакшеев Д.Г., Ярошевич A.C., Квон З.Д., Антонов В.А., Попов В.П. Гигантский микроволновой фотокондактанс кремниевого транзистора: моделирование и эксперимент ФОТОНИКА 2023 : Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г., с. 153 (год публикации - 2023) https://doi.org/10.34077/RCSP2023-153