Спиновая электронная структура немагнитных полупроводниковых кристаллов и гетероструктур с сильным спин-орбитальным взаимодействием как основа нового поколения материалов и структур для спинтроники

КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

Номер проекта 17-12-01047

НазваниеСпиновая электронная структура немагнитных полупроводниковых кристаллов и гетероструктур с сильным спин-орбитальным взаимодействием как основа нового поколения материалов и структур для спинтроники

Руководитель Терещенко Олег Евгеньевич, Доктор физико-математических наук

Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук , Новосибирская обл

Конкурс №18 - Конкурс 2017 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами»

Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе; 02-202 - Полупроводники

Ключевые слова графено-подобные системы, топологические изоляторы, фермионы Вейля, системы с гигантским рашбовским расщеплением, тонкие пленки, гетерострутуры, МЛЭ, квазидвумерные системы, фотоэмиссия с угловым и спиновым разрешением, спин-зависимый транспорт, синтез новых соединений, эффективные термоэлементы, спиновый термогенератор

Код ГРНТИ29.19.31

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ

Аннотация
Управление спиновым транспортом в твердотельных гетероструктурах традиционно осуществляют с помощью магнитного поля или ферромагнитных материалов. Однако существует альтернативный подход, основанный на использовании немагнитных материалов, при котором для управления спином используют спин-орбитальное взаимодействие в низкоразмерных структурах. Когда спин-орбитальное взаимодействие (СОВ) имеет место в системах с достаточно низкой кристаллической симметрией, возникает эффективное магнитное поле Bэфф~[gradV(r)×p], где V(r) - кристаллический потенциал и р - импульс, что приводит к спиновому расщеплению и спиновой поляризации даже в немагнитных материалах. Известный в трехмерном (3D) кристаллическом потенциале эффект Дрессельхауза, возникающий вследствие инверсной асимметрии в объеме, и в двумерных (2D) квантовых ямах и гетероструктурах - эффект Рашбы, как результат 2D структурной инверсионной асимметрии. Для систем с пониженной размерностью, важная роль отводится двумерным графено-подобным системам и квазидвумерным топологическим изоляторам (ТИ), особенность которых заключается в том, что они, будучи изоляторами в объеме, обладают бесщелевыми состояниями на поверхности, благодаря которым возможно протекание спин-поляризованного тока практически без потерь энергии. Кроме того, в квазидвумерных материалах на основе соединений V-VI-VII отсутствие центра инверсии, а также инверсионная асимметрия собственно объема кристалла, приводят к линейному по волновому вектору k спиновому расщеплению энергетических подзон, которое контролирует спиновую релаксацию и, таким образом, позволяет управлять спином свободных носителей при помощи внешнего электрического поля. Это свойство может быть использовано для создания спинового транзистора, управляемого электрическим полем. Цель настоящего проекта – создание новых материалов и гетероструктур на основе элементов с большим спин-орбитальным взаимодействием и исследование их атомной, электронной и спиновой структуры с помощью современных экспериментальных методов и теоретических расчетов для разработки перспективных устройств спинтроники. Реализация проекта основана на объединении исследований нескольких научных групп из различных научных организаций, обладающих существенным опытом и активно работающих в заявленной области: (1) ИФП СО РАН, ИМГ СО РАН, НГУ (г. Новосибирск) – рост объемных кристаллов, рост гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и исследование их структурных, транспортных и оптических свойств; (2) СПбГУ (Санкт-Петербург) – исследование электронной и спиновой структуры методом фотоэмиссии с угловым и спиновым разрешением. Работа над проектом будет организована от роста совершенных 2D, 3D кристаллов и гетероструктур и изучения физико-химических объёмных и поверхностных свойств до исследования спин-зависимых эффектов изучаемых материалов и анализа возможности создания на их основе спин-зависимых устройств. Основное внимание проекта будет сфокусировано на открытии и разработке новых квантовых материалов и гетероструктур, которые могут быть эффективно использованы в спинтронике и на понимании их фундаментальных электронных и спиновых свойств. В области экспериментального и теоретического изучения спиновой структуры интерфейсов с сильным спин-орбитальным взаимодействием будут проведены исследования и проанализирована спиновая электронная структура систем на основе топологических изоляторов, графено-подобных и Рашба систем с сильным спин-орбитальным взаимодействием при контакте с традиционными полупроводниками с целью использования данных систем для эффективного формирования спиновых токов с высокой селективностью спиновой поляризации. Будет охарактеризована спиновая структура топологических состояний вблизи точки Дирака, обеспечивающая бездиссипативный канал транспорта электронов на уровне Ферми. Дополнительное внимание будет обращено на исследования гибридных слоистых структур на основе комбинации топологических изоляторов, графено-подобных систем и традиционных полупроводников, имеющих высокие перспективы использования в спинтронике. В качестве графено-подобной системы представляет научный и практический интерес система, состоящая из монослоя висмута на поверхности InAs(111) с двумерным электронным газом. Ожидается получить эффект, как в спиновом расщеплении 2D состояний электронного газа по эффекту Рашбы, так и спин-поляризованное состояние Дирака с щелью в самом монослое висмута, индуцированные сильным спин-орбитальным взаимодействием. Другим интересным графено-подобным объектом исследования будет кристаллический черный фосфор. Методом фотоэмиссионной спектроскопии с угловым и спиновым разрешением будут исследованы квазичастицы, обладающих свойствами фермионов Вейля, и ведущих себя как безмассовые частицы в таких материалах как TaAs, TaP, NbAs, Cd2As3. Будут изучены новые псевдобинарные соединения в системе GeTe-Sb2Te3 (GST), известные как материалы, испытывающие фазовый переход при нагревании, с переключением между кристаллическим и аморфным состоянием. Данные материалы рассматриваются как следующее поколение энергонезависимой памяти на основе фазового перехода. Недавно было теоретически предсказано, что некоторые соединения GST (GeSb2-xBixT5, GeSb4Te7) могут проявлять свойства топологических изоляторов, которые возможно контролировать изменением стехиометрии между Ge и Sb атомами, а также добавлением атомов Bi. Данные исследования могут открыть новые возможности в области лазер-индуцированного формирования топологических фаз на основе фазового перехода. Будут исследованы возможности управления уровнем Ферми на поверхности и в объёме широкого класса трёхмерных топологических изоляторов (ТИ) на основе соединений Sb2Te3, Bi2Se3 и Bi2Te3 с добавлением различных примесей с целью контролируемой модификации спиновой структуры формируемых соединений и выделения поверхностных металлических спин-поляризованных состояний электронов. Экспериментально и теоретически будет изучен вклад поверхностных дираковских спин-поляризованных состояний в транспортные явления в гетероструктурах на основе изолирующих пленок узкозонных кристаллических топологических изоляторов PbSnTe, выращенных методом МЛЭ. Из имеющегося у авторов задела следует, что в определенных диапазонах напряженности электрического и магнитного полей, а также их взаимной ориентации, ток носителей, инжектируемых в пленки PbSnTe:In крайне чувствителен к свойствам поверхности. Это положено в основу предлагаемых экспериментальных методик, направленных на выявление вклада поверхностных спин-поляризованных дираковских состояний в протекание тока в гетероструктурах, а также построение модели и анализ возможности создания на основе исследованных гетероструктур спинового транзистора. Для установления взаимосвязи между объёмными и поверхностными электронными свойствами кристаллических слоев предполагается изучить зарядовое состояние атомов в объёме и на интерфейсе, положение уровня Ферми, а также зонную структуру электронных поверхностных состояний и их спиновую поляризацию методом фотоэмиссии с высоким угловым и энергетическим разрешением, а также с разрешением по спину с использованием синхротронного излучения и ультрафиолетовой фотоэмиссии. Для количественного описания атомного и электронного строения границы раздела система Рашбы – топологический изолятор и границ раздела с графено-подобными системами будут привлекаться теоретические расчеты из первых принципов. В создаваемых гетероструктурах мы надеемся добиться полного снятия вырождения электронных состояний в топологических материалах и получить полностью спин-поляризованный ток в транспортных измерениях. Наконец, будет создана новая установка для выращивания объемных кристаллов при высокой температуре (1500-2000 K) и давлениях до 400 атм., что позволит значительно расширить класс изучаемых материалов с электронными свойствами топологических изоляторов и систем с гигантским спиновым расщеплением Рашбы. Поставленные в проекте научные задачи и проблемы находятся в русле актуальных проблем современной физики, обусловленных потребностями интенсивного развития современной наноэлектроники и спинтроники, и будут решаться с использованием самых современных научных тенденций, экспериментальных и теоретических подходов, развиваемых в последнее время во всем мире, что обуславливает высокую научную значимость и перспективность проводимых исследований.

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Публикации

1. O.O. Shvetsov, V.A. Kostarev, A. Kononov, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, E.V. Deviatov Conductance oscillations and zero-bias anomaly in a single superconducting junction to a three-dimensional Bi2Te3 topological insulator EPL (Europhysics Letters), 119, 57009 (год публикации - 2017)

2. M. M. Otrokov, A. Ernst, K. Mohseni, H. Fulara, S. Roy, G. R. Castro, J. Rubio-Zuazo, A. G. Ryabishchenkova, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, Z. S. Aliev, M. B. Babanly, E. V. Chulkov, H. L. Meyerheim, and S. S. P. Parkin Geometric and electronic structure of the Cs-doped Bi2Se3 (0001) surface Physical Review B (год публикации - 2017)
10.1103/PhysRevB.95.205429

3. A. A. Rodionov, V.A. Golyashov, I.B. Chistokhin, A.S. Jaroshevich, I.A. Derebezov, V.A. Haisler, T.S. Shamirzaev, I.I. Marakhovka, A.V. Kopotilov, N.V. Kislykh, A.V. Mironov, V.V. Aksenov, and O.E. Tereshchenko Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes PHYSICAL REVIEW APPLIED (год публикации - 2017)
10.1103/PhysRevApplied.8.034026

4. K. Sumida, Y. Ishida, S. Zhu, M.Ye, A. Pertsova, C. Triola, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, A.V. Balatsky, S. Shin , A. Kimura Prolonged duration of nonequilibrated Dirac fermions in neutral topological insulators Scientific Reports, 7, 14080 (год публикации - 2017)
10.1038/s41598-017-14308-w

5. Д.А. Естюнин, И.И.Климовских, В.Ю.Ворошнин, Д.М.Состина, Л. Петача, Г. ДиСанто, А.М.Шикин ФОРМИРОВАНИЕ КВАЗИСВОБОДНОГО ГРАФЕНА С ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ В ТОЧКЕ ДИРАКА ПРИ ИНТЕРКАЛЯЦИИ АТОМОВ Pb ПОД ГРАФЕН НА Re(0001) ЖЭТФ (год публикации - 2017)
10.7868/S0044451017110050

6. А. Э. Климов, В. С. Эпов Гигантское магнетосопротивление пленок PbSnTe:In в режиме токов, ограниченных пространственным зарядом: угловые особенности и влияние поверхности Письма в ЖЭТФ (год публикации - 2017)
10.7868/S0370274X17190067

7. I.I. Klimovskikh, A.M. Shikin , M.M. Otrokov, A. Ernst, I. P. Rusinov, O. E. Tereshchenko, V.A. Golyashov, J. Sánchez-Barriga, A.Yu. Varykhalov, O. Rader, K. A. Kokh & E. V. Chulkov Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study Scientific Reports, 7, 3353 (год публикации - 2017)
10.1038/s41598-017-03507-0

8. A. M. Shikin, V. Yu. Voroshin, A .G. Rybkin, K. A. Kokh, O.E. Tereshchenko, Y. Ishida, A. Kimura Gigantic 2D laser-induced photovoltaic effect in magnetically doped topological insulators for surface zero-bias spin-polarized current generation 2D Materials, 5, 015015 (год публикации - 2018)
10.1088/2053-1583/aa928a

Публикации

1. A.M. Shikin, V.Yu. Voroshin, A.G. Rybkin, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, Y. Ishida, A. Kimura Gigantic 2D laser-induced photovoltaic effect in magnetically doped topological insulators for surface zero-bias spin-polarized current generation 2D Materials, 5, 015015 (год публикации - 2018)
10.1088/2053-1583/aa928a

2. А.К. Кавеев, С.М. Сутурин, Н.С. Соколов, К.А. Кох, О.Е. Терещенко A Study of the Crystal Structure of Co40Fe40B20 Epitaxial Films on a Bi2Te3 Topological Insulator Technical Physics Letters, Vol. 44, No. 3, pp . 184 (год публикации - 2018)
10.21883/0000000000

3. M.V. Filianina, I.I. Klimovskikh, I.A. Shvets, A.G. Rybkin, A.E. Petukhov, E.V. Chulkov, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, C. Polley, T. Balasubramanian, M. Leandersson, A.M. Shikin Spin and electronic structure of the topological insulator Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2 Materials Chemistry and Physics, v.207, р.253 (год публикации - 2018)
10.1016/j.matchemphys.2017.12.035

4. M. Nurmamat, E. E. Krasovskii, Y. Ishida, K. Sumida, Jiahua Chen, T. Yoshikawa, E. V. Chulkov, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, S. Shin, and Akio Kimura Ultrafast dynamics of an unoccupied surface resonance state in Bi2Te2Se PHYSICAL REVIEW B, v. 97, p. 115303 (год публикации - 2018)
10.1103/PhysRevB.97.115303

5. A.K. Kaveev, N.S. Sokolov, S.M. Suturin, N.S. Zhiltsov, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, I.P. Prosvirin, O.E. Tereshchenko, and M. Sawada Crystalline structure and magnetic properties of structurally ordered cobalt‐iron alloys grown on Bi- containing topological insulators and systems with giant Rashba splitting CrystEngComm, V. 20, p.3419-3427 (год публикации - 2018)
10.1039/C8CE00326B

6. Ю. А. Сурнин, И. И. Климовских, Д. М. Состина, К. А. Кох, О. Е. Терещенко, А. М. Шикин ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОК Pb НА ПОВЕРХНОСТНЫЕ ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ И КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ СОСТОЯНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ ИЗОЛЯТОРОВ Bi2Se3 И Sb2Te3 ЖЭТФ, том 153, вып. 4, стр. 649–655 (год публикации - 2018)
10.7868/S0044451018040120

7. A. M. Shikin, A. A. Rybkina, D. A. Estyunin, D. M. Sostina, I. I. Klimovskikh, V. Yu. Voroshnin, A. G. Rybkin, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, L. Petaccia, G. Di Santo, A. Kimura, P. N. Skirdkov, K. A. Zvezdin, A. K. Zvezdin Dirac cone intensity asymmetry and surface magnetic field in V-doped and pristine topological insulators generated by synchrotron and laser radiation Scientific Reports, 8, 6544 (год публикации - 2018)
10.1038/s41598-018-24716-1

8. R. Akiyama, K. Sumida, S. Ichinokura, R. Nakanishi, A. Kimura, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko and S. Hasegawa Shubnikov–de Haas oscillations in p and n-type topological insulator (BixSb1−x)2Te3 J. Phys.: Condens. Matter, 30, 265001 (год публикации - 2018)
10.1088/1361-648X/aac59b

9. E. Annese, T. Okuda, E. F. Schwier, H. Iwasawa, K. Shimada, M. Natamane, M. Taniguchi, I. P. Rusinov, S. V. Eremeev, K. A. Kokh, V. A. Golyashov, O. E. Tereshchenko, E. V. Chulkov, and A. Kimura Electronic and spin structure of the wide-band-gap topological insulator: Nearly stoichiometric Bi2Te2S Phys. Rev. B, 97, 205113 (год публикации - 2018)
10.1103/PhysRevB.97.205113

10. T. Yoshikawa, Y. Ishida, K. Sumida, J. Chen, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, S. Shin, and A. Kimura Enhanced photovoltage on the surface of topological insulator via optical aging Appl. Phys. Lett., 112, 192104 (год публикации - 2018)
10.1063/1.5008466

11. M. F. Islam and C. M. Canali, A. Pertsova, A. Balatsky, C. Carbone, A. Barla, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, E. Jimenez, P. Gargiani, M. Valvidares, S. Schatz, T. R. F. Peixoto, H. Bentmann, F. Reinert, J. Jung, T. Bathon, K. Fauth, M. Bode, P. Sessi Systematics of electronic and magnetic properties in the transition metal doped Sb2Te3 quantum anomalous Hall platform Phys. Rev. B, 97, 155429 (год публикации - 2018)
10.1103/PhysRevB.97.155429

12. A. M. Shikin, A. A. Rybkina, D. A. Estyunin, D. M. Sostina, I. I. Klimovskikh, A. G. Rybkin, Yu. A. Surnin, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, G. Di Santo, P. N. Skirdkov, K. A. Zvezdin, A. K. Zvezdin, A. Kimura, E. V. Chulkov, and E. E. Krasovskii Signatures of in-plane and out-of-plane magnetization generated by synchrotron radiation in magnetically doped and pristine topological insulators Physical Review B, 97, 245407 (год публикации - 2018)
10.1103/PhysRevB.97.245407

13. S. Fiedler, S.V. Eremeev, V.A. Golyashov, A.K. Kaveev, O.E. Tereshchenko, K.A. Kokh, E.V. Chulkov, H. Bentmann and F. Reinert Topological states induced by local structural modification of the polar BiTeI(0001) surface New J. Phys., 20, 063035 (год публикации - 2018)
10.1088/1367-2630/aac75e

14. I.V. Zhevstovskikh, Y.S. Ponosov, S.G. Titova, N.S. Averkiev, V.V. Gudkov, M.N. Sarychev, T.V. Kuznetsova, K.A. Kokh, and O.E. Tereshchenko Anomalous Behavior of the Elastic and Optical Properties in Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2 Topological Insulator Induced by Point Defects Phys. Status Solidi B, 1800264 (год публикации - 2018)
10.1002/pssb.201800264

15. P. Rüßmann, S.K. Mahatha, P. Sessi, M.A. Valbuena, T. Bathon, K. Fauth, S. Godey, A. Mugarza, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, P. Gargiani, M. Valvidares, E. Jiménez, N.B. Brookes, Matthias Bode, G. Bihlmayer, S. Blügel, P. Mavropoulos, C. Carbone, A. Barla Towards microscopic control of the magnetic exchange coupling at the surface of a topological insulator J. Phys.: Mater., 1, 015002 (год публикации - 2018)
10.1088/2515-7639/aad02a

16. J. Reimann, S. Schlauderer, C.P. Schmid, F. Langer, S. Baierl, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, A. Kimura, C. Lange, J. Güdde, U. Höfer, R. Hube Subcycle observation of lightwave-driven Dirac currents in a topological surface band Nature, 562, 396 (год публикации - 2018)
10.1038/s41586-018-0544-x

17. A. S. Ketterl, S. Otto, M. Bastian, B. Andres, C. Gahl, J. Minár, H. Ebert, J. Braun, O. E. Tereshchenko, K.A. Kokh, Th. Fauster, and M. Weinelt Origin of spin-polarized photocurrents in the topological surface states of Bi2Se3 Phys. Rev. B, 98, 155406 (год публикации - 2018)
10.1103/PhysRevB.98.155406

18. А.Н. Акимов, А.Е. Климов, В.С. Эпов Field Effect in PbSnTe:In Films with Low Conductivity in the Mode of Injection from Contacts and Space-Charge Limitation of the Current Semiconductors, Vol. 52, No. 12, pp. 1505–1510 (год публикации - 2018)
10.1134/S1063782618120035

19. O. Storz, P. Sessi, S. Wilfert, C. Dirker, T. Bathon, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko Landau Level Broadening in the Three-Dimensional Topological Insulator Sb2Te3 Phys. Status Solidi RRL, 1800112 (год публикации - 2018)
10.1002/pssr.201800112

Публикации

1. K Sumida., M. Kakoki, J. Reimann, M. Nurmamat, S. Goto, Y. Takeda, Y. Saitoh, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, J. Güdde, U. Höfer and A. Kimura Magnetic-impurity-induced modifications to ultrafast carrier dynamics in the ferromagnetic topological insulators Sb2-xVxTe3 New Journal of Physics, 21, 093006 (год публикации - 2019)
10.1088/1367-2630/ab3ac6

2. A.M. Shikin, D.A. Estyunin, Yu.I. Surnin, A.V. Koroleva, E.V. Shevchenko, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, S. Kumar, E.F. Schwier, K. Shimada, T. Yoshikawa, Y. Saitoh, Y. Takeda, A. Kimura Dirac gap opening and Dirac fermion-mediated magnetic coupling in antiferromagnetic Gd doped topological insulators and their manipulation by synchrotron radiation Scientific Reports, 9, 4813 (год публикации - 2019)
10.1038/s41598-019-41137-w

3. T. Yoshikawa, K. Sumida, Y. Ishida, J. Chen, M. Nurmamat, K. Akiba, A. Miyake, M. Tokunaga, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, S. Shin, and A. Kimura Bidirectional surface photovoltage on a topological insulator Physical Review B, 100, 165311 (год публикации - 2019)
10.1103/PhysRevB.100.165311

4. K. Sumida, Y. Ishida, T. Yoshikawa, J. Chen, M. Nurmamat, K.A. Kokh, O. E. Tereshchenko, S. Shin, and A. Kimura Inverted Dirac-electron population for broadband lasing in a thermally activated p-type topological insulator Physical Review B, 99, 085302 (год публикации - 2019)
10.1103/PhysRevB.99.085302

5. P. K. Das, T. J. Whitcher, M. Yang, X. Chi, Y. P. Feng, W. Lin, J. S. Chen, I. Vobornik, J. Fujii, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, C. Z. Diao, Jisoo Moon, Seongshik Oh, A. H. Castro-Neto, M. B. H. Breese, A. T. S. Wee, and A. Rusydi Electronic correlation determining correlated plasmons in Sb-doped Bi2Se3 Physical Review B, 100, 115109 (год публикации - 2019)
10.1103/PhysRevB.100.115109

6. Atuchin V.V., Gavrilova T.A., Kokh K.A., Kuratieva N.V., Pervukhina N.V., Surovtsev N.V. and Tereshchenko O.E. Structural and vibrational properties of PVT grown BiTeCl microcrystals Materials Research Express, 6, 4, 045911 (год публикации - 2019)
10.1088/2053-1591/aafd45

7. Тарасов А.С., Ищенко Д.В., Акимов А.Н., Ахундов О.И., Голяшов В.А., Климов А.Э., Пащин Н.С., Супрун С.П., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н., Терещенко О.Е. Modification of the surface properties of PbSnTe<In> epitaxial layers with composition near band inversion Technical Physics, 64, 11, 1704–1708 (год публикации - 2019)
10.1134/S1063784219110264

8. Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Эпов В.С., Терещенко О.Е. Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion Semiconductors, 53, 9, 1182-1186 (год публикации - 2019)
10.1134/S1063782619090094

9. Kaveev A.K., Golyashov V.A., Klimov A.E., Schwier E.F., Suturin S.M., Tarasov A.S., Tereshchenko O.E. Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb0.71Sn0.29Te crystalline topological insulator Materials Chemistry and Physics, 240, 122134 (год публикации - 2020)
10.1016/j.matchemphys.2019.122134

10. I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, K.A. Kokh, D.A. Kustov, R.A. Soots, V.A. Golyashov, O.E. Tereshchenko Electrochemically exfoliated thin Bi2Se3 films and van der Waals heterostructures Bi2Se3/graphene Nanotechnology (год публикации - 2020)
10.1088/1361-6528/ab5cd5