КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 19-72-30023
НазваниеФизико-химические основы создания функциональных полупроводниковых наносистем
Руководитель Латышев Александр Васильевич, Доктор физико-математических наук
Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук , Новосибирская обл
Конкурс №33 - Конкурс 2019 года по мероприятию «Проведение исследований научными лабораториями мирового уровня в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными 2019_33
Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе; 02-203 - Поверхность и тонкие пленки
Ключевые слова Поверхность, полупроводниковые, гибридные и искусственные наносистемы, нанофотоника, СВЧ техника, КНИ структуры, границы раздела, дислокации, высокоразрешающая электронная микроскопия, нанолитография, нанодиагностика, моделирование квантовых наносистем
Код ГРНТИ29.19.16 29.19.22
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Аннотация
Целью проекта является развитие технологий создания низкоразмерных систем на основе изучения фундаментальных явлений на поверхности и в объёме полупроводниковых наносистем с использованием современных технологических, диагностических и вычислительных квантово-химических методов. В настоящее время самый высокий уровень востребованности для проведения как фундаментальных исследований, так и прикладных разработок в области твердотельных нанотехнологий, базирующихся на использовании высокотехнологичных методов получения наносистем с контролируемой размерностью (молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)), имеют высокоразрешающие методы структурно-химического анализа в сочетании с электронно-литографическими способами наноструктурирования, низкотемпературными измерениями электронных свойств и численными квантово-химическими расчетами. Среди технолого-диагностических методов in situ и ex situ сверхвысоковакуумная отражательная (СВВ ОЭМ) и высокоразрешающая безаберрационная электронная микроскопия (ВРЭМ) являются наиболее адекватными для изучения элементарных процессов на поверхности и объёме атомно-чистых полупроводников. Численные квантово-химические расчёты, предсказывающие изменяющиеся электронные, оптические, магнитные и другие свойства наносистем являются неотъемлемой частью передовых мировых исследований. Комплексное применение продвинутых методов исследования позволяет глубже понять физическую картину и механизмы структурно-химических трансформаций при создании принципиально новых материалов с новыми свойствами и обеспечивает новизну и актуальность исследований.
Полученные результаты станут фундаментальной основой новых технологий создания элементов наноэлектроники, инфракрасной (ИК) фотоники и радиофотоники, в основе которой лежит модуляция лазерного излучения (как правило ближнего ИК диапазона) СВЧ сигналом для дальнейших преобразований уже в оптическом диапазоне. Замена электрона на фотон позволит улучшить функциональное построение радиоаппаратуры, снять вопросы электромагнитной совместимости, на несколько порядков поднять скорости и объем передачи информации, существенно снизить вес, габариты и энергопотребление, например, тех же РЛС дальнего и сверхдальнего обнаружения. В рамках проекта на основе полученных результатов планируется разработка и мелкосерийное изготовление отдельных компонентов и интегрированной элементной базы радиофотоники. Направления работ:
1) процессы на атомно-чистой поверхности,
2) структурная диагностика наносистем,
3) численное моделирование квантовых систем,
4) разработка новых технологий,
5) технология выращивания сверхрешеток А3В5 для радиофотоники и выход на мелкосерийное производство.
Для достижения поставленной цели планируется решение следующих задач:
- Поиск и конструирование новых материалов для нанофотоники, СВЧ техники и радиофотоники.
- Определение кинетических параметров массопереноса на поверхности Si, GaAs, КНИ структур и Bi2Se3 подложках при сублимации и эпитаксиальном росте. Выяснение роли деформаций в КНИ структурах в кинетике движения моноатомных ступеней. Получение количественных данных, характеризующих распределение концентрации адатомов на террасе при их выходе из ступеней. Изучение влияния тяжелых элементов (Au, Sn, Bi и др.) и сильных электрических полей на процессы морфологических перестроек поверхности.
- Определение механизмов выглаживания и разупорядочения поверхности GaAs при высокотемпературном отжиге в квазиравновесных условиях в капилляре. Выявление роли скользящих дислокаций в разупорядочении поверхности.
- Получение детальных данных об атомном строении гетероструктур HfO2/SiO2/Si, AlN/Si, GaN/Si и систем A3В5 с силицидами металлов в матрице кремния.
- Идентификация типа и структуры ядра скользящих дислокаций и связанных с ними деформационных полей в пластически деформированных полупроводниках.
- Создание новых разновидностей квантовых наноструктур (наноконтакты, искусственный графен) в системе AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. Численные расчеты фотон-ассистированного квантового транспорта в туннельных точечных наноконтактах и экспериментальная проверка их отклика при облучении микроволнами в диапазоне частот 100-1700 ГГц (совместно с Университетом Регензбурга (Германия)).
- Изучение эффектов самоорганизации и экранировки зарядов на поверхности полупроводниковых квантовых ультрачистых гетероструктур с двумерным электронным и дырочных газом (совместно с Университетом Нового Южного Уэльса (Австралия) и Кавендишской лабораторией (Англия)).
- Разработка технологии создания антиотражающих поверхностей (метаповерхностей) на основе Ge/Si/SiO2 для инфракрасной нанофотоники. Влияние поверхностной электромиграции на формирование развитых метаповерхностей гетероструктур Ge/Si/SiO2.
- Поисковая разработка технологии совмещения сверхпроводящих покрытий с наноструктурами на основе A3B5 для получения управляемых обратимых переходов при воздействии фотонов. Изучение динамических квантовых фазовых переходов в системах с управляемыми параметрами.
- Исследование процессов получения и электронных свойств графеноподобных слоев и наноструктур AlN и GaN на поверхности Si (111).
- Расчёт конструкций гетероэпитаксиальных структур AlInAs/InGaAs/InP (ГЭС), обеспечивающих наиболее сильную электрооптическую связь и наилучшие параметры электрооптических модуляторов и быстродействующих волноводных фотодетекторов, и позволяющих реализовать эффективное соединение элементов монолитных интегральных радиофотонных схем (МИРС) и стыковку МИРС с оптическим волокном.
- Разработка базовых основ технологии цифрового роста рассчитанных ГЭС и селективного роста различных ГЭС в выделенных местах МИРС.
- Разработка технологии создания элементной базы радиофотоники для мелкосерийного производства совместно с индустриальным партнером.
Новизна и актуальность планируемых исследований обеспечиваются поставленными задачами, решаемыми при использовании современного диагностического и уникального научно-технологического оборудования, передовых технологий выращивания полупроводниковых наносистем и численных квантово-химических расчетов.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Публикации
1.
Жачук Р.А., Долбак А.Е., Шкляев А.А.
Atomic structure of high Miller index Si(47 35 7) surface
Surface Science, v. 693, p. 121549 (2020) (год публикации - 2020)
10.1016/j.susc.2019.121549
2.
Дабард С., Шкляев А.А., Армбристер В.А., Асеев А.Л.
Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior
Thin Solid Films, v. 693, p. 137681 (год публикации - 2020)
10.1016/j.tsf.2019.137681
3.
Бацанов С.А., Гутаковский А.К.
Analysis of the Properties of Metal Sulfide Nanocrystals Synthesized by the Langmuir—Blodgett Technique
JETP Letters, v. 109, no. 11, p. 700-703 (год публикации - 2019)
10.1134/S0021364019110055
4.
Гуляев Д., Дмитриев Д., Торопов А., Валишева Н., Царёв А., Колосовский Е., Федучин Л., Горчаков А., Журавлёв К.
Heterostructure InGaAlAs/InAlAs on the InP substrate for the electro-optical modulator based on the quantum confined Stark effect
ITM Web of Conferences, v.30, p.14004 (год публикации - 2019)
10.1051/itmconf/20193014004
5.
Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Ткаченко В.А., Квон З.Д., Ярошевич А.С., Родякина Е.Е., Латышев А.В.
Photon-Assisted Electron Transmission through a Quantum Point Contact
Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, v. 55, № 5, p. 480-485 (год публикации - 2019)
10.15372/AUT20190510
6.
Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П., Ткаченко В.А.
Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком
Марчуковские научные чтения-2019: Тезисы Международной конференции "Актуальные проблемы вычислительной и прикладной математики/ Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН" - Новосибирск, ИПЦ НГУ, с.60 (год публикации - 2019)
10.24411/9999-017A-2019-10120
7.
Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П., Ткаченко В.А.
Влияние самоорганизации поверхностных зарядов на квантовый микроконтакт
Марчуковские научные чтения-2019: Тезисы Международной конференции "Актуальные проблемы вычислительной и прикладной математики/ Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН" - Новосибирск, ИПЦ НГУ, с.122 (год публикации - 2019)
10.24411/9999-017A-2019-10251
8.
Гутаковский А.К., Вдовин В.И., Федина Л.И.
Структура ядра недиссоциированных 60º дислокаций
Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, Часть 2. – Новосибирск, ФБГУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, – М, Издательство Перо., с.307 (год публикации - 2019)
10.34077/Semicond2019-307
9.
Ткаченко В.А., Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П.
Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы
Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. МММЭК-2019, 21-23 октября, 2019, Москва: Материалы I международной конференции. – Москва: МАКС Пресс, с.43-46 (год публикации - 2019)
10.29003/m682.MMMSEC-2019
10.
Ткаченко В.А., Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Квон З.Д., Ярошевич А.С., Родякина Е.E., Латышев А.В.
Гигантская микроволновая и терагерцовая фотопроводимость квантового точечного контакта в туннельном режиме: моделирование и эксперимент
Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. МММЭК-2019, 21-23 октября, 2019, Москва: Материалы I международной конференции. – Москва: МАКС Пресс, 2019, с.156-159 (год публикации - 2019)
10.29003/m682.MMMSEC-2019
11.
Жачук Р.А., Кутиньо Ж.
Структура поверхности Si(331)-12x1
Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. МММЭК-2019, 21-23 октября, 2019, Москва: Материалы I международной конференции. – Москва: МАКС Пресс, с.77-79 (год публикации - 2019)
10.29003/m682.MMMSEC-2019
12. Миргазизова Е.Ф., Рогило Д.И. Исследование процессов на поверхности Bi2Se3 методом in situ отражательной электронной микроскопии Программа и тезисы докладов Школы молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем" - Новосибирск, ФБГУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, типография ООО"ДигитПро", 2019, с.74-75 (год публикации - 2019)
13. Петров А.С., Рогило Д.И. Сверхструктурные переходы и морфологические трансформации на поверхности Si(111), индуцированные осаждением Sn Программа и тезисы докладов Школы молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем" - Новосибирск, ФБГУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, типография ООО"ДигитПро", с.68-69 (год публикации - 2019)
14. Бацанов С.А., Гутаковский А.К. Возможности получения массивов нанокристаллов сульфидов металлов с заданными параметрами при синтезе на основе технологии Ленгмюра-Блоджетт Программа и тезисы докладов Школы молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем" - Новосибирск, ФБГУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, типография ООО"ДигитПро", 2019, с.78-79 (год публикации - 2019)
15. Гутаковский А.К. Применение аналитической высокоразрешающей электронной микроскопии для исследования структурно-химических особенностей полупроводниковых низкоразмерных гетеросистем в субнанометровом диапазоне Программа и тезисы докладов Школы молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем" - Новосибирск, ФБГУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, типография ООО"ДигитПро", с.17-18 (год публикации - 2019)
16.
Петров А.С., Рогило Д.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В.
Кинетика двумерно-островкового зарождения при субмонослойном осаждении Si и Ge на атомно-чистую поверхность Si(111) и с поверхностными фазами, индуцированными оловом
Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, Часть 1. – Новосибирск, ФБГУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, – М, Издательство Перо, с.79 (год публикации - 2019)
10.34077/Semicond2019-79
17.
Будажапова А.Е., Шкляев А.А.
О сублимации Ge при высокотемпературном осаждении Ge на Si
Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, Часть 1. – Новосибирск, ФБГУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, – М, Издательство Перо., с.91 (год публикации - 2019)
10.34077/Semicond2019-91
18.
Уткин Д.Е., Шкляев А.А.
Формирование упорядоченных дисков Ge на поверхности SiO2
Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, Часть 2. – Новосибирск, ФБГУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, – М, Издательство Перо, с.413 (год публикации - 2019)
10.34077/Semicond2019-413
19.
Шкляев А.А.
Массивы диэлектрических частиц SiGe и Ge на несмачиваемых поверхностях Si и SiO2
Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, Часть 1. – Новосибирск, ФБГУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, – М, Издательство Перо, с.83 (год публикации - 2019)
10.34077/Semicond2019-83
20. Будажапова А.Е., Шкляев А.А. Коэффициент прилипания Ge при высокотемпературном осаждении на подложку Si Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тез. докл. 21-й Всерос. молодеж. конф., 25–29 ноября 2019 г. – СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, с.39 (год публикации - 2019)
21.
Степина Н.П., Пушкарев Р.В., Зиновьева А.Ф., Кириенко В.В., Богомяков А.С., Гутаковский А.К., Файнер Н.И., Двуреченский А.В.
Magnetic properties of granulated SiCxNy:Fe films with different structure of a-Fe nanoclusters
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, v. 499, p. 166242 (год публикации - 2020)
10.1016/j.jmmm.2019.166242
Публикации
1.
Казанцев Д.М., Ахундов И.О., Рудая Н.С., Кожухов А.С., Альперович В.Л., Латышев А.В.
Thermal roughening of GaAs surface by unwinding dislocation-induced spiral atomic steps during sublimation
Applied Surface Science, v. 529, p. 147090 (год публикации - 2020)
10.1016/j.apsusc.2020.147090
2.
Рогило Д.И., Ситников С.В., Пономарев С.А., Щеглов Д.В., Федина Л.И., Латышев А.В.
Structural and morphological instabilities of the Si(1 1 1)-7 × 7 surface during silicon growth and etching by oxygen and selenium
Applied Surface Science, v. 540, p. 148269 (год публикации - 2021)
10.1016/j.apsusc.2020.148269
3. Рогило Д.И., Ситников С.В., Родякина Е.Е., Петров А.С., Пономарев С.А., Щеглов Д.В., Федина Л.И., Латышев А.В. In situ отражательная электронная микроскопия для анализа процессов на поверхности кремния: сублимации, электромиграции, адсорбции примесных атомов Кристаллография, т. 66 (год публикации - 2021)
4. Федина Л.И., Гутаковский А.К., Вдовин В.И., Шамирзаев Т.С. Трансформации структуры ядра дислокаций в Si и их связь с фотолюминесценцией Кристаллография, т. 66 (год публикации - 2021)
5.
Шкляев А.А., Латышев А.В.
Dewetting behavior of Ge layers on SiO2 under annealing
Scientific Reports, v. 10, p. 13759 (год публикации - 2020)
10.1038/s41598-020-70723-6
6.
Уткин Д.Е., Аникин К.В., Вебер С.Л., Шкляев А.А.
Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio
Optical Materials, v. 109, p. 110466 (год публикации - 2020)
10.1016/j.optmat.2020.110466
7.
Тимофеев В., Машанов В., Никифоров А., Скворцов И., Гаврилова Т., Гуляев Д., Гутаковский А., Четырин И.
Effect of Sn for the dislocation-free SiSn nanostructure formation on the vapor-liquid-crystal mechanism
AIP Advances, v. 10, p. 015309 (год публикации - 2020)
10.1063/1.5139936
8.
Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Ткаченко В.А.
Осцилляции Ааронова—Бома и распределения равновесных токов в открытой квантовой точке и кольцевом интерферометре
Известия вузов. Материалы электронной техники, т. 22, № 4, с. 290-297 (год публикации - 2019)
10.17073/1609-3577-2019-4-290-297
9.
Ткаченко О.А., Ткаченко В.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П.
Моделирование квантового эффекта Холла в образцах с длинноволновым слабым беспорядком
Письма в ЖЭТФ, т. 112, № 3, с. 196-202 (год публикации - 2020)
10.31857/S1234567820150094
10.
Абрамкин Д.С., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Ненашев А.В., Есин М.Ю., Васев А.В., Путято М.А., Богомолов Д.Б., Гутаковский А.К., Преображенски В.В.
Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Физика и техника полупроводников, т. 55, № 2, с. 139-146 (год публикации - 2021)
10.21883/ftp.2021.02.50500.9529
11.
Петров А.C., Рогило Д.И.
Структурные изменения на поверхности Si(111) при адсорбции Sn в условиях повышенных температур и электромиграции
Международный форум «Микроэлектроника – 2020». Школа молодых ученых «Микроэлектроника – 2020. XIII Международная конференция «Кремний – 2020». XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагности, с. 130-133 (год публикации - 2020)
10.29003/m1578.Silicon-2020/130-133
12. Шкляев А.А., Уткин Д.Е., Аникин К.В., Вебер С.Л. Антиотражающие покрытия на основе массивов субмикронных частиц германия и кремния Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", т. 2, с. 807-808 (год публикации - 2020)
13. Казанцев Д.М., Хорошилов В.С., Альперович В.Л., Купю К., Драуэ М. Кинетика антипересечения вицинальных и дислокационно-индуцированных атомных ступеней на поверхностях кристаллов Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", т. 2, с. 603-604 (год публикации - 2020)
14. Бацанов С.А., Гутаковский А.К. Возможности ВРЭМ в анализе атомного строения и механизмов формирования нанокристаллов сульфидов металлов, полученных с применением технологии Ленгмюра-Блоджетт Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», с. 15-16 (год публикации - 2020)
15. Игошкин А.М., Рогило Д.И. Молекулярно-динамическое моделирование поверхности Si (100)-2×1 Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», с. 29 (год публикации - 2020)
16. Петров А.С., Рогило Д.И. Перераспределение атомных ступеней на поверхности Si(111) при структурных переходах, индуцированных адсорбцией и десорбцией Sn Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», с. 52-53 (год публикации - 2020)
17. Уткин Д.Е., Шкляев А.А. Методика формирования упорядоченных частиц Ge и Si на поверхности SiO2 Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», с. 63-64 (год публикации - 2020)
18.
Жачук Р.А., Долбак А.Е., Шкляев А.А.
Атомная структура поверхности Si(47 35 7)
Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК-2020. Материалы II международной конференции, с. 88-89 (год публикации - 2020)
10.29003/m1527.ММMSEC2020/88-89
19. Петров А.С., Рогило Д.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В. Structural transformations on the Si(111) surface observed during Sn adsorption, desorption, and electromigration Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, p. 72 (год публикации - 2020)
20. Ткаченко О.А., Ткаченко В.А., Сушков О.П. Тонкая структура уровней Ландау и одномерных токовых состояний в квантовом эффекте Холла XXIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020), с. 90-91 (год публикации - 2020)
Публикации
1.
Пономарев С.А., Рогило Д.И., Курусь Н.Н., Басалаева Л.С., Кох К.А., Милехин А.Г., Щеглов Д.В., Латышев А.В.
In situ reflection electron microscopy for investigation of surface processes on Bi2Se3(0001)
Journal of Physics: Conference Series, v.1984, no. 1, p. 012016 (год публикации - 2021)
10.1088/1742-6596/1984/1/012016
2.
Гутаковский А.К., Латышев А.В.
Specific Features of the Atomic Structure of Iron Silicide Nanocrystals in a Silicon Matrix
Crystallography Reports, v. 66, no. 4, p. 601-607 (год публикации - 2021)
10.1134/S1063774521040088
3.
Зиновьев В.А., Зиновьева А.Ф., Смагина Ж.В., Двуреченский А.В., Вдовин В.И., Гутаковский А.К., Федина Л.И., Бородавченко О.М., Живулько В.Д., Мудрый А.В.
Si-based light emitters synthesized with Ge+ ion bombardment
Journal of Applied Physics, v. 130, p. 153101 (год публикации - 2021)
10.1063/5.0063592
4.
Журавлев К.С., Чиж А.Л., Микитчук К.Б., Гилинский A.M., Чистохин И.Б., Валишева Н.А., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Аксенов М.С.
High-power InAlAs/InGaAs Schottky barrier photodiodes for analog microwave signal transmission
Journal of Semiconductors, v. 43, p. 012302 (год публикации - 2022)
10.1088/1674-4926/43/1/012302
5.
Уткин Д.Е., Царев А.В., Уткин Е.Н., Латышев А.В., Шкляев А.А.
Широкополосные просветляющие покрытия из частиц SiGe субволнового размера
Автометрия, т. 57, №5, с. 58-69 (год публикации - 2021)
10.15372/AUT20210507
6.
Жачук Р.А., Рогило Д.И., Петров А.С., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Колонна С., Рончи Ф.
Atomic structure of a single step and dynamics of Sn adatoms on the Si(111) − √3 × √3−Sn surface
Physical Review B, v. 104, p. 125437 (год публикации - 2021)
10.1103/PhysRevB.104.125437
7.
Йе М., Курода К., Отроков М.М., Рябищенкова А.Г., Цзян К., Эрнст А., Чулков Е.В., Накатаке М., Арита М., Окуда Т., Мацусита Т., Тот Л., Даймон Х., Шимада К., Уэда Ю., Кимура А.
Persistence of the Topological Surface States in Bi2Se3 against Ag Intercalation at Room Temperature
The Journal of Physical Chemistry C, v. 125, p. 1784-1792 (год публикации - 2021)
10.1021/acs.jpcc.0c07462
8.
Ткаченко В.А., Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П.
Effect of surface charge self-organization on gate-induced 2D electron and hole systems
Modern Electronic Materials, v. 6, no. 3, p. 101-106 (год публикации - 2020)
10.3897/j.moem.6.3.63361
9.
Постолова С.В., Миронов А.Ю., Баррена В., Бенито-Ллоренс Х., Родриго Х.Г., Судеро Х., Бакланов М.Р., Батурина Т.И., Винокур В.М.
Superconductivity in a disordered metal with Coulomb interactions
Physical Review Research, v. 2, p. 033307 (год публикации - 2020)
10.1103/PhysRevResearch.2.033307
10.
Ткаченко В.А., Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П.
Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники., т. 23, № 2, с. 142-150 (год публикации - 2020)
10.17073/1609-3577-2020-2-142-150
11.
Журавлев К.С., Гилинский A.M.,Чистохин И.Б.,Валишева Н.А., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Аксенов М.С., Чиж А.Л., Микитчук К.Б.
Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Журнал технической физики, том 91, вып. 7 с.1158-1163 (год публикации - 2021)
10.21883/JTF.2021.07.50957.347-20
12.
Воронцова Ю.А., Ситников С.В.
Дрейф двумерных вакансионных островков на поверхности Si(100) в условиях электромиграции
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, т. 21, № 5, с. 664-669 (год публикации - 2021)
10.17586/2226-1494-2021-21-5-664-669
13.
Разживина М.Э., Родякина Е.Е., Ситников С.В.
Кинетика трансформации формы эшелонов атомных ступеней на поверхности Si(001) в условиях электромиграции
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, т. 21, № 5, с. 679-685 (год публикации - 2021)
10.17586/2226-1494-2021-21-5-679-685
14.
Уткин Д., Шкляев А.
Shapes of Ge and Si Particles Created on a Si/SiO2 Substrate by Lift-off Technique
2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), p. 33-36 (год публикации - 2021)
10.1109/EDM52169.2021.9507661
15. Жачук Р.А., Коутиньо Х. Comment on “Experimental Evidence for a New Two-Dimensional Honeycomb Phase of Silicon: A Missing Link in the Chemistry and Physics of Silicon Surfaces?” The Journal of Physical Chemistry C (год публикации - 2021)
16.
Жачук Р.А., Рогило Д.И., Петров А.С., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Colonna S., Ronci F.
Атомная структура ступени и динамика адатомов Sn на поверхности Si(111) - √3×√3-Sn
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ в материаловедении электронных компонентов ММMЭK–2021 Материалы III Международной конференции, с. 108-111 (год публикации - 2021)
10.29003/m2486.ММMSEC-2021/108-111
17. Вергулес А.И., Петров А.С., Рогило Д.И. Морфологические изменения на поверхности Si(111) при формировании примесно-индуцированной реконструкции (√3×√3)-Sn Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», с. 9-10 (год публикации - 2021)
18. Уткин Д.Е.,Шкляев А.А. Формы частиц Ge и Si созданных на поверхности SiO2 методами электронной и обратной литографии Объединённая конференция "Электронно-лучевые технологии и рентгеновская оптика в микроэлектронике" КЭЛТ - 2021. Тезисы докладов, с. 238-239 (год публикации - 2021)
19.
Уткин Д.Е.,Шкляев А.А.
Формирование упорядоченных субмикронных частиц Ge и Si на поверхности SiO2 подложки методом lift-off
ФОТОНИКА 2021 : Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), с. 106 (год публикации - 2021)
10.34077/RCSP2021-106
20.
Феклистов К.В., Лемзяков А.Г., Шкляев А.А., Кривякин Г.К., Комонов А.И., Просвирин И.П., Гуляев Д.В., Абрамкин Д.С., Спесивцев Е.В., Пугачев А.М.
Барьеры для инжекции носителей в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3:Er на кремнии
ФОТОНИКА 2021 : Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), с. 61 (год публикации - 2021)
10.34077/RCSP2021-61
21.
Феклистов К.В., Лемзяков А.Г., Шкляев А.А., Кривякин Г.К., Комонов А.И., Просвирин И.П., Гуляев Д.В., Абрамкин Д.С., Спесивцев Е.В., Пугачев А.М.
Механизм протекания тока в ВЧ-магнетронно напыленных пленках In2O3:Er на кремнии
ФОТОНИКА 2021 : Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), с. 132 (год публикации - 2021)
10.34077/RCSP2021-132
22. Хорошилов В.С., Казанцев Д.М. Альперович В.Л., Копю С., Дрют М. Interaction of vicinal and dislocation-induced atomic steps on crystal surfaces Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science – Solar Renewable Energy News, p. 29-32 (год публикации - 2021)
Публикации
1.
Казанцев Д.М., Хорошилов В.С., Кожухов А.С., Альперович В.Л.
Transition from Sublimation to Growth in Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces
International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM, p. 25-28 (год публикации - 2022)
10.1109/EDM55285.2022.9854872
2.
Хорошилов В.С., Казанцев Д.М. Альперович В.Л., Копю С., Дрют М.
Asymmetry of anticrossing between atomic steps on metal and semiconductor surfaces
Journal of Physics: Conference Series, v. 2227, p. 012008 (год публикации - 2022)
10.1088/1742-6596/2227/1/012008
3.
Жачук Р.А., Коутиньо Х.
Crucial role of vibrational entropy in the Si(111)-7 × 7 surface structure stability
Physical Review B, v. 105, p. 245306 (год публикации - 2022)
10.1103/PhysRevB.105.245306
4.
Петров А.С., Рогило Д.И., Жачук Р.А., Вергулес А.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В.
Structural transitions on Si(111) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM
Applied Surface Science, v. 609, p. 155367 (год публикации - 2023)
10.1016/j.apsusc.2022.155367
5.
Астанкова К.Н., Кожухов А.С., Кривякин Г.К., Живодков Ю.А., Щеглов Д.В., Володин В.А.
Interaction of low-fluence femtosecond laser pulses with a composite layer containing Ge nanoclusters: A novel type of nanofoam formation
Journal of Laser Applications, v. 34, p. 022002 (год публикации - 2022)
10.2351/7.0000620
6.
Ткаченко О.А. Ткаченко В.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П.
Диаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена
Письма в ЖЭТФ, т. 116, вып. 9, с. 616 (год публикации - 2022)
10.31857/S1234567822210091
7. Ткаченко О.А. Ткаченко В.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П. Электронно-транспортные свойства мезоскопических систем с полупроводниковым искусственным графеном XV Российская конференция по физике полупроводников: Тезисы докладов, стр. 161 (год публикации - 2022)
8. Ткаченко В.А., Ярошевич А.С., Кузьмин Н.С., Квон З.Д., Бакаров А.К., Ткаченко О.А., Родякина Е.Е., Латышев А.В. СВЧ-фотокондактанс структур с квантовым точечным контактом XV Российская конференция по физике полупроводников: Тезисы докладов, стр. 266 (год публикации - 2022)
9.
Феклистов К.В., Лемзяков А.Г., Шкляев А.А., Комонов А.И., Просвирин И.П., Гуляев Д.В., Абрамкин Д.С., Спесивцев Е.В., Пугачев А.М., Володин В.А., Кочубей С.А., Ершов К.С., Сафронов Л.Н., Гутаковский А.К., Вдовин В.И., Живодков Ю.А. и др.
Зонная структура гетероперехода Si\In2O3:Er
XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ 2022», стр. 46 (год публикации - 2022)
10.34077/SILICON2022-46
10.
Уткин Д.Е., Царёв А.В., Шкляев А.А.
Резонансные оптические свойства решёток дисков Ge на ITO
XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ 2022», стр. 107 (год публикации - 2022)
10.34077/SILICON2022-107
11. Уткин Д.Е., Шкляев А.А. Особенности резонансного отражения для решёток Ge-дисков на подложках Si, обусловленные междисковым расстоянием XV Российская конференция по физике полупроводников: Тезисы докладов, стр. 323 (год публикации - 2022)
12.
Шкляев А.А.
Резонансные оптические свойства покрытий из частиц германия и кремния субволнового размера
XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ 2022», стр. 88 (год публикации - 2022)
10.34077/SILICON2022-88
13. Ткаченко О.А. Ткаченко В.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П. Влияние беспорядка на магнитотранспорт в полупроводниковом искусственном графене Письма в ЖЭТФ (год публикации - 2023)
14.
Жачук Р.А., Шкляев А.А., Коутиньо Х.
Пентамер с межузельным атомом как универсальный структурный блок поверхностей (110), (331), (113) кремния и германия
XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ 2022», стр. 59 (год публикации - 2022)
10.34077/SILICON2022-59
15.
Жачук Р.А., Рогило Д.И., Петров А.С., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Ронси Ф., Колонна С.
Динамика адатомов Sn вблизи ступени на поверхности Si(111)- √3 × √3-Sn
XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ 2022», стр. 103 (год публикации - 2022)
10.34077/SILICON2022-103
16.
Бацанов С.А., Вдовин В.И., Гутаковский А.К., Замчий А.О., Баранов Е.А.
ВРЭМ исследования структурно-морфологических трансформаций при золотоиндуцированной кристаллизации субоксида кремния
XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ 2022», стр. 25 (год публикации - 2022)
10.34077/SILICON2022-25
17.
Жачук Р.А., Коутиньо Х., Черепанов В., Фойхтлендер Б.
Структура напряженных слоев Si на поверхности Ge(111)
XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ 2022», стр. 113 (год публикации - 2022)
10.34077/SILICON2022-113
18. Пономарев С.А., Рогило Д.И., Курусь Н.Н., Басалаева Л.С., Кох К.А., Милехин А.Г., Щеглов Д.В., Латышев А.В. In situ imaging of van der Waals epitaxy and sublimation of the Bi2Se3(0001) surface Sixth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings, p. 39-40 (год публикации - 2022)
19. Рогило Д.И., Ситников С.В., Пономарев С.А., Щеглов Д.В., Федина Л.И., Латышев А.В. Silicon growth and etching by oxygen and selenium: evolution of Si(111)-7×7 surface structure and morphology Sixth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings, p. 64-65 (год публикации - 2022)
20. Петров А.С., Рогило Д.И., Вергулес А.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В. Morphological transformations on Si(111) surface induced by (√3×√3)-Sn reconstruction formation Sixth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings, p. 32-33 (год публикации - 2022)
21. Рогило Д.И., Ситников С.В., Пономарев С.А., Щеглов Д.В., Федина Л.И., Латышев А.В. Структурные и морфологические нестабильности Si(111)-7×7 в процессе роста кремния и травления кислородом и селеном XV Российская конференция по физике полупроводников: Тезисы докладов, с. 85 (год публикации - 2022)
22. Федина Л.И., Жачук Р.А., Гутаковский А.К. Новая наноструктурная форма гексагонального Si в плоскости {113} дефектов как результат кластеризации дивакансий и междоузельных атомов Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», с. 21-22 (год публикации - 2022)