Физико-технологические принципы создания интегральных многоэлементных фотонных схем на основе полупроводниковых наногетероструктур для мощных источников лазерного излучения с использованием технологии селективной эпитаксии

КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

Номер проекта 19-79-30072

НазваниеФизико-технологические принципы создания интегральных многоэлементных фотонных схем на основе полупроводниковых наногетероструктур для мощных источников лазерного излучения с использованием технологии селективной эпитаксии

Руководитель Копьев Петр Сергеевич, Доктор физико-математических наук

Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук , г Санкт-Петербург

Конкурс №33 - Конкурс 2019 года по мероприятию «Проведение исследований научными лабораториями мирового уровня в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными 2019_33

Область знания, основной код классификатора 09 - Инженерные науки; 09-708 - Лазерно-информационные технологии

Ключевые слова Многоэлементные гетероструктуры, многоэлементные лазерные системы, полупроводниковые гетероструктуры, полупроводниковые лазеры, модовая сруктура, мощное лазерное излучение

Код ГРНТИ29.33.15

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ

Аннотация
Достижения в области разработки и создания мощных лазеров на основе полупроводниковых наногетероструктур за последнее десятилетие привели к широкому внедрению лазерных технологий в различные области: от машиностроения и обработки материалов до медицины и энергетики. Малые размеры, высокая надежность, рекордная энергоэффективность (КПД более 60%) делают источники на основе полупроводниковых лазеров незаменимыми для решения задач оптической накачки активных сред твердотельных и волоконных технологических лазеров. Использование современных технологических лазеров позволяет существенно повысить эффективность и качество стандартных операций, связанных с обработкой материалов, а также проводить ранее недоступные операции по прецизионной микрообработке, упрочнению и профилированию различных типов материалов. Интеграция лазеров в аддитивные технологии позволяет осуществить переход к передовым цифровым, интеллектуальным технологиям в производстве изделий повышенной точности и высоким уровнем детализации. Кроме мощных технологических лазеров в ведущих странах мира реализуются проекты, направленные на разработку сверхмощных лазерных систем для исследования процессов управляемого термоядерного синтеза, как источника энергии нового типа (установки LIFE, HiPER и др.). В России такой проект реализуется в рамках создания лазерной установки УФЛ 2М. Принципиальным отличием от высокоэнергетических установок предыдущего поколения (Искра-5) является использование в качестве активной среды неодимового фосфатного стекла. Оптическая накачка только одного канала таких установок требует использование решеток полупроводниковых лазеров мульти МВт уровня. В качестве примера, установка LIFE имеет 384 лазерных канала на основе Nd-стекла с требуемой мощностью системы накачки на основе полупроводниковых лазеров до 132 МВт на каждый канал. В общей сложности система накачки высокоэнергетической лазерной установки для исследования управляемого термоядерного синтеза может потребовать до 100млн. единиц линеек мощных полупроводниковых лазеров с выходной оптической мощностью 500 Вт. В настоящее время увеличение оптической мощности в лазерных системах на основе полупроводниковых гетероструктур реализуется за счет расширения излучающей апертуры (увеличение ширины области излучения в линейках и количества линеек в решетках), что позволяет преодолеть кВт уровень. Однако такой подход теряет свою эффективность как при решении задач создания высокоэффективной накачки, так и разработки полностью полупроводниковых мощных лазерных систем. Это связано с катастрофическим ухудшением таких ключевых параметров как спектральная и пространственная яркость. В последние годы ведущие лаборатории мира, разрабатывающие мощные лазерные системы на основе полупроводниковых гетероструктур, начали развивать принципиально новый подход к созданию полупроводниковых лазерных излучателей кВт уровня. Поэтому на сегодняшний день проблема повышения доступности современных технологических лазеров и создания высокоэнергетических лазерных установок связана с работами в области создания высокоэффективных интегральных мультикиловаттных лазерных систем на основе полупроводниковых гетероструктур с предельной спектральной и пространственной яркостью. Несмотря на наличие понятных внешних факторов, характеризующих проявление проблемы достижения предельной спектральной и пространственной яркости при сверхвысоких уровнях возбуждения, к настоящему времени отсутствуют теоретические модели, и практические подходы, позволяющие решать данную проблему. Научная значимость предлагаемого проекта сводится к тому, что впервые будет разработана платформа, объединяющая: (i) многомерную физическую модель, обладающую полнотой экспериментальных исследований, построенную на базе современных вычислительных ресурсов;(ii) технологические методы формирования интегрированных многоэлементных лазерных систем с элементами управления оптическими потоками на базе современных эпитаксиальных и постростовых методик; (iii) методы и подходы, обеспечивающие полноту измерения характеристик процессов с пространственно временным разрешением в образцах мощных лазерных систем в режимах сверхвысоких уровней электрооптического возбуждения. Для решения поставленной проблемы в рамках предлагаемого проекта впервые будут разработаны физико-технологические основы создания интегральных многоэлементных фотонных схем на основе полупроводниковых наногетероструктур Al-Ga-In-As-P/GaAs для мощных источников лазерного излучения, излучающих в спектральном диапазоне 800-1100нм, с использованием технологии селективной эпитаксии. Новый тип полупроводниковых гетероструктур, обеспечит модовую и спектральную селекцию при сверхвысоких уровнях возбуждения, и, таким образом позволит решить проблему достижения предельной пространственной и спектральной яркости за счет сохранения одномодовых или маломодовых характеристик лазерного излучения для кВт диапазона выходной оптической мощности. Для решения задач модовой и спектральной селекции впервые будет разработана технология селективной эпитаксии наногетероструктур Al-Ga-In-As-P/GaAs, позволяющая формировать вертикальные решетки активных областей с заданным пространственным распределением, что обеспечит кратное повышение яркости и пиковой мощности. Разработка дизайна гетероструктур будет основываться на использовании разработанных ранее подходов по модовой селекции в одномерных лазерных волноводах и 3D моделях, которые будут созданы в проекте. В рамках проекта будет разработана производственная технология линейки мощных лазерных излучателей, превосходящих по своим характеристикам мировые аналоги: мощные одномодовые лазеры с узким полосковым контактом и мощностью до 5Вт, линейки полупроводниковых лазеров для накачки твердотельных активных сред, обеспечивающие возможность генерации выходной оптической мощности кВт диапазона с апертуры не более 1см, в том числе с предельной пространственной и спектральной яркостью, оптоволоконные модули с пиковой мощностью кВт диапазона, в том числе при нс- и суб-нс длительностях импульса и интегрироваными источниками питания. Внедрение результатов проекта позволит Партнерам проекта развить российское производство высокоэффективных мультикиловаттных систем на основе полупроводниковых гетероструктур, а также сформировать физико-технологические заделы в области критических технологий, отсутствующих в России, в частности технологий создания фотонных интегральных схем для решения задач информационных технологий.

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Публикации

1. Золотарев В.В., Лешко А.Ю., Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Головин В.С., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Continuous wave and pulse (2–100 ns) high power AlGaAs/GaAs laser diodes (1050 nm) based on high and low reflective 13th order DBR Semiconductor Science and Technology, 35(1) 015009 (год публикации - 2020)
10.1088/1361-6641/ab5435

2. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Головин В.С., Романович Д.Н., Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Шашкин И.С., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А. High peak optical power of 1ns pulse duration from laser diodes – low voltage thyristor vertical stack Optics Express, Vol. 27, Issue 22, pp. 31446-31455 (год публикации - 2019)
10.1364/OE.27.031446

3. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Головин В.С., Гаврина П.С., Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Золотарев В.В., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А. Low-Voltage AlGaAs/GaAs Thyristors as High-Peak-Current Pulse Switches for High-Power Semiconductor Laser Pumping IEEE Transactions on Electron Devices (год публикации - 2019)
10.1109/TED.2019.2951033

4. Подоскин А.А., Головин В.С., Гаврина П.С., Веселов Д.А., Золотарев В.В., Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Лешко А.Ю., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Ultrabroad tuning range (100 nm) of external-cavity continuous-wave high-power semiconductor lasers based on a single InGaAs quantum well Applied Optics, Vol. 58, Issue 33, pp. 9089-9093 (год публикации - 2019)
10.1364/AO.58.009089

5. Веселов Д.А., Бобрецова Ю.К., Лешко А.Ю., Шамахов В.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Measurements of internal optical loss inside an operating laser diode Journal of Applied Physics, Volume 126, Issue 21, p 213107 (год публикации - 2019)
10.1063/1.5115117

6. Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Головин В.С., Веселов Д.А., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Study of multimode semiconductor lasers with buried mesas Quantum Electronics, 49 (12), 1172–1174 (год публикации - 2019)
10.1070/QEL17135

7. Головин В.С., Шашкин И.С., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ Quantum Electronics (год публикации - 2020)

8. Шашкин И.С., Лешко А.Ю., Николаев Д.Н., Шамахов В.В., Веселов Д.А., Рудова Н.А., Бахвалов К.В., Золотарев В.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Одномодовые лазеры (1050нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом Semiconductors (год публикации - 2020)

9. Шашкин И.С., Лешко А.Ю., Николаев Д.Н., Шамахов В.В., Рудова Н.А., Бахвалов К.В., Лютецкий А.В., Капитонов В.А., Золотарев В.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом Semiconductors (год публикации - 2020)

10. Шашкин И.С., Подоскин А.А., Головин В.С., Гаврина П.С., Веселов Д.А., Золотарев В.В., Шамахов В.В., Николаев Д.Н., С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, П.С. Копьев Properties of external-cavity high-power semiconductor lasers based on a single InGaAs quantum well at high pulsed current pump Journal of the Optical Society of America B, Vol. 37, Issue 3, pp. 784-788 (2020) (год публикации - 2020)
10.1364/JOSAB.384971

11. Соболева О.С., Юферев В.С., Подоскин А.А., Пихтин Н.А., Золотарев В.В., Головин В.С., Слипченко С.О. Numerical Study of Carrier Transport in n+/n/n+ GaAs/AlGaAs Heterostructure at High Current Densities IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, no. 2, pp. 438-443, Feb. 2020. (год публикации - 2020)
10.1109/TED.2019.2960936

12. Соболева О.С., Золотарев В.В., Головин В.С., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. The Effect of the Carrier Drift Velocity Saturation in High-Power Semiconductor Lasers at Ultrahigh Drive Currents IEEE Transactions on Electron Devices, 67, 11, стр 4977-4982 (год публикации - 2020)
10.1109/TED.2020.3024353

13. Бобрецова Ю.К., Веселов Д.А., Климов А.А., Крючков В.А., Шашкин И.С., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров Quantum Electronics, 50, 8, стр 722-726 (год публикации - 2020)
10.1070/QEL17323

14. Шашкин И.С., Лешко А.Ю., Шамахов В.В., Воронкова Н.В., Капитонов В.А., Бахвалов К.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции SEMICONDUCTORS (год публикации - 2021)

15. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Головин В.С., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Near-field dynamics of ultra-wide-aperture(800 µm) diode lasers under nanosecond pulse excitation IEEE Photonics Technology Letters (год публикации - 2021)
10.1109/LPT.2020.3040063

16. Гаврина П.С., Подоскин А.А., Фомин Е.В., Веселов Д.А., Шамахов В.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных температурах (до 90 °С) QUANTUM ELECTRONICS (год публикации - 2021)

17. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Головин В.С, Растегаева М.Г., Казакова А.С., Воронкова Н.В., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А. High Power and Repetion Rate Nanosecond Pulse Generation in “Diode Laser – Thyristor” Stacks IEEE Photonics Technology Letters (год публикации - 2021)
10.1109/LPT.2020.3040026

18. Слипченко С.О., Золотарев В.В., Лешко А.Ю., Подоскин А.А., Шамахов В.В., Капитонов В.А., Копьев П.С., Пихтин Н.А. High-power semiconductor lasers with surface diffraction grating (1050nm) Proc. SPIE 11301, Novel In-Plane Semiconductor Lasers XIX, 11301, стр 113011U (год публикации - 2020)
10.1117/12.2546174

19. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Романович Д.Н., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А., Копьев П.С. Hybrid vertically integrated thyristor-semiconductor laser assemblies for generating ns laser pulses Proc. SPIE 11284, Smart Photonic and Optoelectronic Integrated Circuits, 11284, стр 1128425 (год публикации - 2020)
10.1117/12.2545098

20. Слипченко С.О., Соболева О.С., Бобрецова Ю.К., Гаврина П.С., Рудова Н.А., Копьев П.С. Energy balance model of high-power semiconductor lasers at high-pumping current Proc. SPIE 11274, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices, 11274, стр 112740K (год публикации - 2020)
10.1117/12.2546263

21. Слипченко С.О., Шашкин И.С., Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Веселов Д.А., Бобрецова Ю.К., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Single-mode AlGaAs/InGaAs/GaAs lasers with a ultra narrow waveguide heterostructure Proc. SPIE 11274, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices, 11274, стр 112742C (год публикации - 2020)
10.1117/12.2546240

22. Бобрецова Ю.К., Веселов Д.А., Подоскин А.А., Слипченко С.О., Ладугин М.А., Багаев Т.А., Мармалюк А.А., Пихтин Н.А. Исследование поглощения на свободных носителях в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур QUANTUM ELECTRONICS (год публикации - 2021)

23. Шашкин И.С., Лешко А.Ю., Шамахов В.В., Романович Д.Н., Капитонов В.А., Бахвалов К.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки Technical Physics Letters (год публикации - 2021)

24. Веселов Д.А., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Бахвалов К.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Internal optical loss and internal quantum efficiency of a high-power GaAs laser operating in the CW mode Semiconductor Science and Technology, 36 115005 (год публикации - 2021)
10.1088/1361-6641/ac1f83

25. Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Слипченко С.О., Фомин Е.В., Смирнов А.Н., Елисеев И.А., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Surface Nanostructuring during Selective Area Epitaxy of Heterostructures with InGaAs QWs in the Ultra-Wide Windows Nanomaterials, 11(1), 11 (год публикации - 2021)
10.3390/nano11010011

26. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Головин В.С., Растегаева М.Г., Казакова А.С., Воронкова Н.В., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А. Low-Voltage Thyristor Heterostructure for High-Current Pulse Generation at High Repetition Rate IEEE Transactions on Electron Devices, 68 (6) 2855-2860 (год публикации - 2021)
10.1109/TED.2021.3072606

27. Бобрецова Ю. К., Веселов Д.А., Климов А.А., Бахвалов К.В., Шамахов В.В., Слипченко С.О., Андрюшкин В.В., Пихтин Н.А. Optical absorption in a waveguide based on an n-type AlGaAs heterostructure Quantum Electronics, 51(11) 987-991 (год публикации - 2021)
10.1070/QEL17640

28. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Гаврина П.С., Пихтин Н.А., Копьев П.С., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А. High-power pulsed semiconductor lasers (905 nm) with an ultra-wide aperture (800 µm) based on epitaxially integrated triple heterostructures 2021 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe and European Quantum Electronics Conference, CLEO/Europe-EQEC 2021, 9541707 (год публикации - 2021)
10.1109/CLEO/Europe-EQEC52157.2021.9541707

29. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Веселов Д.А., Ефремов Л.С., Золотарев В.В., Казакова А.Е., Копьев П.С., Пихтин Н.А. Вертикальные стеки мощных импульсных (100нc) полупроводниковых лазеров кВт уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой апертурой (800мкм) на длине волны 1060нм Квантовая электроника (год публикации - 2022)

30. Слипченко С.О., Романович Д.Н., Капитонов В.А., Бахвалов К.В., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060нм) со сверхширокой излучающей апертурой Квантовая Электроника (год публикации - 2022)

31. Слипченко С.О., Романович Д.Н., Гаврина П.С., Веселов Д.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Марамалюк А.А., Пихтин Н.А. Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs Квантовая электроника (год публикации - 2022)

32. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Веселов Д.А., Стрелец В.А., Рудова Н.А., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Копьев П.С. Tunnel-coupled laser diode microarray as a kW-level 100-ns pulsed optical power source (λ=910 nm) IEEE Photonics Technology Letters (год публикации - 2022)
10.1109/LPT.2021.3134370

33. Слипченко С.О., Шашкин И.С., Веселов А.Д., Крючков В.А., Казакова А.Е., Лешко А.Ю., Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А. Stable Lateral Far Field of Highly Dense Arrays of Uncoupled Narrow Stripe Ridge Waveguide 1060 nm Lasers Journal of Lightwave Technology, 40 (9) 2933-2938 (год публикации - 2022)
10.1109/JLT.2022.3144663

34. Головин В.С., Слипченко С.О., Подоскин А.А., Казакова А.Е., Пихтин Н.А. Systematic Optimization of QW Semiconductor Laser Design for Subnanosecond Pulse Generation by Gain Switching Journal of Lightwave Technology, 40(13) 4321-4325 (год публикации - 2022)
10.1109/JLT.2022.3159574

35. Слипченко С.О., Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Фомин Е.В., Сошников И.П., Бондарев А.Д., Митрофанов М.И., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Basics of surface reconstruction during selective area metalorganic chemical vapour-phase epitaxy of GaAs films in the stripe-type ultra-wide window Applied Surface Science, 588 152991 (год публикации - 2022)
10.1016/j.apsusc.2022.152991

36. Веселов Д.А., Бобрецова Ю.К., Лютецкий А.В., Бахвалов К.В., Ладугин М.А., Рябоштан Ю.Л., Волков Н.А., Светогоров В.Н., Мармалюк А.А., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Heterostructure Designs for High-power 1450 nm Lasers 2021 27th International Semiconductor Laser Conference (ISLC), #WP1.8 (год публикации - 2021)
10.1109/ISLC51662.2021.9615700

37. Слипченко С.О., Шашкин И.С., Воронкова Н.В., Бондарев А.Д., Николаев Д.Н., Лютецкий А.В., Лешко А.Ю., Пихтин Н.А., Копьев П.С. High-power ridge-waveguide laser diodes and highly dense arrays with stable lateral far field based on them (1060nm) 2022 International Conference Laser Optics (ICLO), Proceedings pp. 1-1 (год публикации - 2022)
10.1109/ICLO54117.2022.9839740

38. Головин В.С., Слипченко С.О., Подоскин А.А., Растегаева М.Г., Пихтин Н.А. Gain switching sub-ns pulse laser diode optimization for time-of-ﬂight laser rangeﬁnding 2022 International Conference Laser Optics (ICLO), Proceedings pp. 1-1 (год публикации - 2022)
10.1109/ICLO54117.2022.9839888

39. Подоскин А.А., Слипченко С.О., Веселов Д.А., Стрелец В.А., Рудова Н.А., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Копьёв П.С. High fill-factor kW-level tunnel-coupled diode laser bar (λ=910 nm) for 100-ns pulse sources 2022 International Conference Laser Optics (ICLO), Proceedings pp. 1-1 (год публикации - 2022)
10.1109/ICLO54117.2022.9839763

40. Шашкин И.С., Слипченко С.О., Романочич Д.Н., Соболева О.С., Стрелец В.А., Капитонов В.А., Бахвалов К.В., Казакова А.Е., Фомин Е.В., Пихтин Н.А. Far field dynamics of strongly coupled narrow stripe ridge-waveguide laser arrays (1060 nm) 2022 International Conference Laser Optics (ICLO), Proceedings pp. 1-1 (год публикации - 2022)
10.1109/ICLO54117.2022.9840046

41. Золотарев В.В., Ризаев А.Э., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Lateral mode selection in a surface DBR ridge-waveguide laser diode 2022 International Conference Laser Optics (ICLO), Proceedings pp. 1-1 (год публикации - 2022)
10.1109/ICLO54117.2022.9840220

42. Подоскин А.А., Золотарев В.В., Шашкин И.С., Слипченко С.О., Романочич Д.Н., Соболева О.С., Стрелец В.А., Капитонов В.А., Бахвалов К.В., Казакова А.Е., Фомин Е.В., Пихтин Н.А. Mode selection in the external cavity of a single-mode lasers microarray (1060nm) 2022 International Conference Laser Optics (ICLO), Proceedings pp. 1-1 (год публикации - 2022)
10.1109/ICLO54117.2022.9839768

43. Шашкин И. С., Рыбкин А. Д., Крючков В. А., Казакова А. Е., Романович Д. Н., Рудова Н. А., Слипченко С. О., Пихтин Н. А. Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм) Квантовая Электроника, 52:9, 794–798 (год публикации - 2022)

44. Слипченко С. О., Головин В. С., Соболева О. С., Ламкин И. А., Пихтин Н. А. Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели Квантовая Электроника, 52:4, 343–350 (год публикации - 2022)
10.1070/QEL18015

45. Золотарев В.В., Ризаев А.Э., Лютецкий А.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Селекция мод латерального волновода для реализации одномодового режима лазеров с распределенным брэгговским зеркалом Квантовая Электроника, 52: 10, 889-894 (год публикации - 2022)

46. Подоскин А.А., Шушканов И.В., Шамахов В.В., Ризаев А.Э., Кондратов М.И., Климов А.А., Зазулин С.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Лазерные диоды (850нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных суб-нс оптических импульсов Квантовая Электроника (год публикации - 2023)

47. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Крючков В.А., Стрелец В.А., Шашкин И.С., Пихтин Н.А. Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ=976нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом Квантовая Электроника (год публикации - 2023)

48. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Николаев Д.Н., Шамахов В.В., Шашкин И.С., Кондратов М.И., Гордеев И.Н., Гришин А.Е., Казакова А.Е., Гаврина П.С., Бахвалов К.В., Копьев П.С., Пихтин Н.А. Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ=976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью в перпендикулярной плоскости Квантовая Электроника (год публикации - 2023)

49. Слипченко С.О., Соболева О.С., Головин В.С., Пихтин Н.А. Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ=1060нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки Квантовая Электроника (год публикации - 2023)

50. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Золотарев В.В., Вавилова Л.С., Лешко А.Ю., Растегаева М.Г., Мирошников И.В., Шашкин И.С., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060нм) с высокой частотой повторения на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива опто-тиристоров, как высокоскоростного токового ключа Квантовая Электроника (год публикации - 2023)

51. Слипченко С.О., Шашкин И.С., Николаев Д.Н., Шамахов В.В., Подоскин А.А., Соболева О.С., Бахвалов К.В., Крючков В.А., Пихтин Н.А., Копьев П.С. Multiple increase in the radiative efficiency of 1060-nm laser diodes based on heterostructures with tunnel-coupled injection and a single waveguide mode Optics Letters (год публикации - 2023)

52. Бобрецова Ю.К., Веселов Д.А., Рудова Н.А., Воронкова Н.В., Растегаева М.Г., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Experimental Research of Optical Absorption in Semiconductor Laser Waveguide Layers 2021 27th International Semiconductor Laser Conference (ISLC), ArtNo: #WP1.7 (год публикации - 2021)
10.1109/ISLC51662.2021.9615651

53. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Соболева О.С., Казакова А.Е., Лунев А.Ю., Растегаева М.Г., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А., Копьев П.С. Integral and hybrid approaches for high-power laser pulse generation (900-1060nm) by semiconductor heterostructures with electrical bistability 2021 27th International Semiconductor Laser Conference (ISLC), ArtNo: #WP1.10 (год публикации - 2021)
10.1109/ISLC51662.2021.9615866

54. Слипченко С.О., Подоскин А.А., Шашкин И.С., Гаврина П.С., Михайлов В.Ю., Рудова Н.А., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Копьев П.С. High-power pulsed (100 ns) laser sources (900 nm) based on epitaxially integrated heterostructures with tunnel p-n junctions 2021 27th International Semiconductor Laser Conference (ISLC), ArtNo: #WP1.11 (год публикации - 2021)
10.1109/ISLC51662.2021.9615693

55. Слипченко С.О., Шашкин И.С., Шамахов В.В., Крючков В.А., Николаев Д.Н., Вавилова Л.С., Рудова Н.А., Пихтин Н.А., Копьёв П.С. High-power laser diodes with multiplied efficiency based on single transverse mode multi-junction heterostructures 2022 International Conference Laser Optics (ICLO), Proceedings pp. 1-1 (год публикации - 2022)
10.1109/ICLO54117.2022.9839745

56. Гаврина П.С., Подоскин А.А., Шушканов И.В., Соболева О.С., Мирошников И.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А. Effect of current localization on the output optical power in high-power laser-thyristors based on AlGaAs/GaAs/InGaAs heterostructures 2022 International Conference Laser Optics (ICLO), Proceedings pp. 1-1 (год публикации - 2022)
10.1109/ICLO54117.2022.9839936

57. Слипченко С.О., Веселов Д.А., Золотарев В.В., Лютецкий А.В., Подоскин А.А., Соколова З.Н., Шамахов В.В., Шашкин И.С., Копьев П.С., Пихтин Н.А. Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями Квантовая Электроника (год публикации - 2023)

Публикации