КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 21-72-00140
НазваниеЭлектронные свойства магнитных топологических изоляторов
Руководитель Скрябина Ольга Викторовна, Кандидат физико-математических наук
Организация финансирования, регион федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)" , г Москва
Конкурс №60 - Конкурс 2021 года «Проведение инициативных исследований молодыми учеными» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными
Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе; 02-209 - Низкие температуры и сверхпроводимость
Ключевые слова Сверхпроводимость, магнитные топологические изоляторы, наноструктуры
Код ГРНТИ29.19.29
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Аннотация
Магнитные топологические изоляторы в сочетании с наведенной в них сверхпроводимостью привлекают все больше внимания современных исследователей. Интерес к такому типу материалов вызван необычной конфигурацией зонной структуры, обладающей топологически защищенными поверхностными состояниями описываемыми дираковским законом дисперсии, а также дополнительным присутствием спонтанной намагниченности, которая приводит к нарушению симметрии обращения времени и появлению магнитной обменной щели дираковского конуса. Впервые этот эффект был обнаружен в эпитаксиальных тонких пленках (Bi,Sb)2Te3, допированных хромом [Cui-Zu Chang et al., Science 340, 167-170 (2013)]. Оптимальные условия получения устойчивого квантования холловской проводимости заключаются в нахождении уровня Ферми внутри магнитной щели, и достаточное его удаление от валентной зоны. В работе [Arakane, T et al., Nat. Commun. 3:636 (2012)] показано, что варьируя состав в четырехкомпонентном материале Bi(2-x)SbxTe(3-y)Sey, можно поднять точку Дирака вверх по энергии, тем самым увеличив расстояние до валентной зоны. Допирование железом материала BiSbTe2Se [Y. Rikizo et al., Condens. Matter 4, 9 (2019)] продемонстрировало успешное индуцирование ферромагнитного порядка.
В данном проекте предлагается детальное изучение топологических изоляторов состава Bi2Te2Se (BTS) и BiSbTe2Se (BSTS), допированных железом (FM-TI), которые получены нами в рамках коллаборации с группой Satoshi Kashiwaya, Япония. Ряд теоретических результатов предполагает, что киральный топологический сверхпроводник на основе FM-TI может быть источником одномерных майорановских фермионных мод, поскольку киральное холловское состояние может быть достигнуто без сильных внешних магнитных полей (около 0.1 Т) при сохранении сверхпроводимости. Мы предлагаем исследовать устройства с наведенной сверхпроводимостью в контексте изучения сосуществования сверхпроводимости и нетривиальных топологических состояний. Для этого будут использованы два подхода: исследование спектров электронных состояний FM-TI с использованием сверхвысоковакуумного низкотемпературного сканирующего туннельного микроскопа (JT-SPM производства SPECS), а также электронно-транспортные измерения структур сверхпроводник/FM-TI/сверхпроводник в криостате растворения (LD250 производства BlueFors) в диапазоне температур 20 мК - 10 К, в том числе в магнитном поле до 9 Т. Такой комплексный подход позволит изучить спектры элементарных возбуждений в зависимости от зонной структуры FM-TI, ток-фазовые соотношения сверхпроводящих устройств, магнитные характеристики, в том числе аномальный эффект Холла.
Результаты работы будут опубликованы в высокорейтинговых журналах и приблизят к экспериментальному подтверждению существования майорановских мод.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Публикации
1.
Столяров В.С., Родичев Д., Гуртовой В.Л., Козлов С.Н., Яковлев Д.С., Скрябина О.В., Винокур В.М., Голубов А.А.
Resonant Oscillations of Josephson Current in Nb-Bi2Te2.3Se0.7-Nb Junctions
Advanced Quantum Technologies, vol. 5, issue 3, 2100124 (год публикации - 2022)
10.1002/qute.202100124
2.
Д.С. Яковлев, Д.С. Львов, О.В. Емельянова, П.С. Джумаев, И.В. Щетинин, О.В. Скрябина, С.В. Егоров, В.В. Рязанов, А.А. Голубов, Д. Родичев, В.С. Столяров.
Physical Vapor Deposition Features of Ultrathin Nanocrystals of Bi2(TexSe1- x)3
J. Phys. Chem. Lett., 13, 39, 9221–9231 (год публикации - 2022)
10.1021/acs.jpclett.2c02664
3.
А. Кудряшов, И. Бабич, Р.А. Хованнисян, А.Г. Шишкин, С.Н. Козлов, А. Федоров, Д.В. Вялых, Е. Хестанова, М.Ю. Куприянов, В.С. Столяров
Revealing Intrinsic Superconductivity of the Nb/BiSbTe2Se Interface
Advanced Functional Materials, 32, 49, 2209853 (год публикации - 2022)
10.1002/adfm.202209853
Публикации
1.
Столяров В.С., Родичев Д., Гуртовой В.Л., Козлов С.Н., Яковлев Д.С., Скрябина О.В., Винокур В.М., Голубов А.А.
Resonant Oscillations of Josephson Current in Nb-Bi2Te2.3Se0.7-Nb Junctions
Advanced Quantum Technologies, vol. 5, issue 3, 2100124 (год публикации - 2022)
10.1002/qute.202100124
2.
Д.С. Яковлев, Д.С. Львов, О.В. Емельянова, П.С. Джумаев, И.В. Щетинин, О.В. Скрябина, С.В. Егоров, В.В. Рязанов, А.А. Голубов, Д. Родичев, В.С. Столяров.
Physical Vapor Deposition Features of Ultrathin Nanocrystals of Bi2(TexSe1- x)3
J. Phys. Chem. Lett., 13, 39, 9221–9231 (год публикации - 2022)
10.1021/acs.jpclett.2c02664
3.
А. Кудряшов, И. Бабич, Р.А. Хованнисян, А.Г. Шишкин, С.Н. Козлов, А. Федоров, Д.В. Вялых, Е. Хестанова, М.Ю. Куприянов, В.С. Столяров
Revealing Intrinsic Superconductivity of the Nb/BiSbTe2Se Interface
Advanced Functional Materials, 32, 49, 2209853 (год публикации - 2022)
10.1002/adfm.202209853