Диэлектрические микро- и нанорезонаторы с контролируемым позиционированием излучателей

КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

Номер проекта 21-72-20184

НазваниеДиэлектрические микро- и нанорезонаторы с контролируемым позиционированием излучателей

Руководитель Зиновьев Владимир Анатольевич, Кандидат физико-математических наук

Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук , Новосибирская обл

Конкурс №51 - Конкурс 2021 года по мероприятию «Проведение исследований на базе существующей научной инфраструктуры мирового уровня» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными

Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе; 02-204 - Нано- и микроструктуры

Ключевые слова Диэлектрическая нанофотоника, Ми-резонаторы, наноантенны, микрорезонаторы, фотонный кристалл, кремний, германий, квантовые точки, пространственное упорядочение, фотолюминесценция, рекомбинация, моделирование, эффект Парселла

Код ГРНТИ29.19.22

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ

Аннотация
Модификация оптических свойств материалов за счет их встраивания в различные типы микро- и нанорезонаторов широко используется для создания лазеров с малыми пороговыми мощностями и узкими линиями генерации, оптических фильтров с контролируемой полосой пропускания, однофотонных источников и др. Данный подход может стать основой для решения актуальной задачи создания компактных, эффективных источников излучения на основе полупроводниковых гетероструктур для оптоэлектронных и фотонных приложений. Особенно важным является решение этой задачи для структур, сформированных на кремнии, так как её решение приведет к большому прогрессу в развитии кремниевой фотоники. Для успешного решения отмеченной задачи необходимо иметь возможность точного позиционирования активной излучающей среды в резонаторе и установление связи между положением излучателя и эффективностью его взаимодействия с модами резонатора. Предлагаемый проект направлен на разработку и создание микро- и нанорезонаторов на основе фотонных кристаллов и ансамблей связанных Ми-резонаторов с контролируемым расположением GeSi квантовых точек. Теоретическое и экспериментальное исследование связи между положением источника излучения и эффективностью его взаимодействия с модами резонатора позволит создать высокоэффективные источники излучения на основе массивов пространственно-упорядоченных GeSi квантовых точек. Выбор GeSi квантовых точек в качестве излучающей среды для решения поставленных в проекте задач определяется несколькими факторами. Локализация носителей заряда на GeSi квантовых точках ослабляет влияние поверхностных дефектов на излучательные свойства среды. Возможность роста структур с GeSi наноостровками на подложках «кремний на изоляторе» (КНИ) позволяет ограничить распространение света в одном из направлений и упрощает получение диэлектрических резонаторов. Сигнал люминесценции GeSi наноостровков характеризуется большой шириной, что позволяет использовать его для исследований взаимодействия с различными модами резонаторов. Кроме того, для этого типа гетероструктур авторами проекта уже хорошо развиты методы пространственного упорядочения наноостровков, которые при выполнении проекта будут оптимизированы с учётом дизайна резонаторов. GeSi наноостровки, сформированные на кремнии, излучают при комнатной температуре в диапазоне длин волн 1.3-1.55 мкм, что делает их перспективными для создания источников излучения для кремниевой фотоники. Для резонаторов на основе фотонных кристаллов (ФК) планируется исследовать влияние точного позиционирования наноостровков в ФК на взаимодействие их излучения как с модами микрорезонатора ФК, так и с различными модами самого ФК. В первом случае отдельный GeSi наноостровок или группа наноостровков будут встроены в определенные позиции внутри микрорезонатора, обеспечивающие наилучшее взаимодействие с модами микрорезонатора. Во втором случае будет исследовано влияние точного позиционирования наноостровков в ФК на взаимодействие с радиационными и высокодобротными модами ФК. Радиационные моды, располагающиеся внутри светового конуса, обеспечивают эффективный вывод излучения GeSi островков из полупроводника. Высокодобротные моды ФК, которые часто в последние годы отождествляют со связанными состояниями в континууме (bound state in continuum, BIC), реализуются в определенных точках дисперсионной диаграммы ФК вследствие симметрии распределения поля этих мод. Эта симметрия приводит к деструктивной интерференции излучения в дальнем поле, и, как следствие, к уменьшению радиационных потерь. Поскольку распределение электромагнитного поля имеет определенную симметрию, различную для различных мод ФК, ожидается, что позиционирование GeSi островков в ФК в специально выбранные положения существенно увеличит эффективность взаимодействия излучения от островков с соответствующей ФК модой. Для повышения локальной плотности GeSi островков в местах концентрации электромагнитного поля радиационных мод будет использоваться развитая авторами проекта методика формирования групп GeSi наноостровков (квантовых точек). По мнению авторов проекта, исследование эффекта пространственного упорядочения GeSi квантовых точек на их взаимодействие с собственными модами ФК (в том числе с модами BIC) будут выполнены впервые. Основным методом получения пространственно упорядоченных наноостровков является гетероэпитаксия на предварительно структурированых подложках. Этот метод предполагает создание на поверхности мест преимущественного зарождения наноостровков в виде системы периодически расположенных ямок (канавок) определённой формы и глубины. При выполнении проекта будет теоретически определено и экспериментально реализовано такое пространственное расположение GeSi квантовых точек на структурированной поверхности кремния, которое обеспечивало бы максимальный рост интенсивности люминесценции от них. Отдельное внимание будет уделено влиянию точного позиционирования GeSi наноостровков внутри как отдельного Ми-резонатора, так и ансамбля связанных Ми-резонаторов на взаимодействие излучения активной среды с их индивидуальными и коллективными модами резонаторов. В последние годы физика Ми-резонаторов является активно развивающейся областью. К настоящему времени имеется лишь ограниченное число работ в которых продемонстрировано эффективное взаимодействие излучения активной среды, помещенной внутри Ми-резонаторов, с их модами. При этом авторам проекта не известны работы, где изучалось бы влияние точного позиционирования излучателя на эффективность его взаимодействия с модами Ми-резонаторов. В рамках проекта будет решена задача точного позиционирования квантовых точек внутри Ми-резонаторов. Это позволит помещать активную среду в максимум электрического поля и усиливать взаимодействие излучения с активной средой. Когда размер резонатора является сравнимым с длиной волны и в резонаторе содержится лишь несколько квантовых точек, их положение может играть существенную роль. Отдельной задачей проекта является модификация развитых подходов для пространственного упорядочения самоформирующихся наноостровков и квантовых точек с учетом их встраивания в микрорезонаторы. В частности, будут отработаны методы получения пространственно упорядоченных массивов как отдельных островков, так и их групп для решеток различной симметрии (гексагональной или квадратной) в широком диапазоне их периодов. Развитые в рамках проекта подходы и полученные результаты могут быть применены к широкому классу излучающих объектов, встроенных в диэлектрические резонаторы. Это касается и более эффективных излучателей на основе прямозонных материалов III-V. В связи с этим, значимость ожидаемых результатов выходит далеко за рамки исследуемой гетеропары Ge/Si.

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Публикации

1. Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Степихова М.В., Перетокин А.В., Дьяков С.А., Родякина Е.Е., Новиков А.В., Двуреченский А.В. Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки "кремний на изоляторе" Физика и техника полупроводников, том 55, вып. 12 (год публикации - 2021)
10.21883/FTP.2021.12.51707.9722

2. Полева М. А., Фризюк К. С., Барышникова К. В., Евлюхин А. Б. Nontrivial optical response of silicon triangular prisms Journal of Physics: Conference Series, 2015, 012111 (год публикации - 2021)
10.1088/1742-6596/2015/1/012111

3. Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Родякина Е.Е, Степихова М.В., Перетокин А.В., Рудин С.А., Дьяков С.А., Новиков А.В., Двуреченский А.В. Структурные и излучательные свойства упорядоченных Ge(Si) квантовых точек, встроенных в фотонные кристаллы Сибирское отделение РАН, г. Новосибирск, 180 (год публикации - 2021)
10.34077/RCSP2021-76

4. Громыко Д.А., Дьяков С. А., Зиновьев В.А., Тиходеев С.Г., Гиппиус Н.А Resonant mode approximation of the scattering matrix of photonic crystal slabs near several Wood-Rayleigh anomalies Photonics and Nanostructures: Fundamentals and Applications (год публикации - 2021)

Публикации

1. Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Зиновьева А.Ф., Степихова М.В., Перетокин А.В., Родякина Е.Е., Дьяков С.А., Новиков А.В., Двуреченский А.В. Luminescent properties of spatially ordered Ge/Si quantum dots epitaxially grown on a pit-patterned “silicon-on-insulator” substrate Elsevier Science Publishing Company, Inc., v. 249, p. 119033 (год публикации - 2022)
10.1016/j.jlumin.2022.119033

2. Перетокин А.В., Степихова М.В., Новиков А. В., Дьяков С. А., Зиновьева А. Ф., Смагина Ж. В., Насимов Д.А., Родякина Е. Е., Зиновьев В. А. Photonic crystal band structure in luminescence response of samples with Ge/Si quantum dots grown on pit-patterned SOI substrates Elsevier Science Publishing Company, Inc., v. 53, pp. 101093 (год публикации - 2023)
10.1016/j.photonics.2022.101093

3. Рудин С.А., Зиновьев В.А., Смагина Ж.В., Новиков П.Л., Ненашев А.В., Павский К.В Groups of Ge nanoislands grown outside pits on pit-patterned Si substrates Elsevier Science Publishing Company, Inc., v. 593, pp. 126763 (год публикации - 2022)
10.1016/j.jcrysgro.2022.126763

4. Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Степихова М.В., Перетокин А.В., Родякина Е.Е., Рудин С.А., Новиков А.В., Двуреченский А.В. Методы получения и оптические свойства фотонно-кристаллических структур со встроенными в них массивами упорядоченных квантовых точек GeSi Издательство «Перо», КРЕМНИЙ 2022: Тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, с. 87 (год публикации - 2022)
10.34077/SILICON2022

5. Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Степихова М.В., Перетокин А.В., Родякина Е.Е., Кучинская П.А., Барышникова К.В., Сергаева О.Н., Дьяков С.А., Новиков А.В. Диэлектрические резонаторы со встроенными GeSi квантовыми точками Издательство «Перо», КРЕМНИЙ 2022: Тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, с. 133 (год публикации - 2022)
10.34077/SILICON2022

6. Зиновьев В.А., Смагина Ж.В., Рудин C.А., Новиков П.Л. Группы наноостровков Ge, выращиваемых снаружи от ямок на структурированных подложках Si Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, Труды XXVI Международного симпозиума Нанофизика и наноэлектроника, Том 2, с. 812-813 (год публикации - 2022)

7. Перетокин А.В., Степихова М.В., Новиков А.В., Смагина Ж.В., Дьяков С.А. Экспериментальное исследование люминесцентных свойств двумерных фотонных кристаллов с упорядоченными наноостровками Ge(Si) при различных подходах к упорядочению Издательство Нижегородского госуниверситета, Труды XXVI Международного симпозиума Нанофизика и наноэлектроника, Том 2, с. 974-975 (год публикации - 2022)

8. Смагина Ж.В., Степихова М.В., Зиновьев В.А., Перетокин А.В., Дьяков C.A., Родякина Е.Е., Новиков А.В., Двуреческий А.В. Светоизлучающие структуры на основе пространственно упорядоченных GeSi квантовых точек, встроенных в фотонные кристаллы Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, Труды XXVI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Том 2, с. 1012-1013 (год публикации - 2022)

9. Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Степихова М.В., Перетокин А.В., Родякина Е.Е., Кучинская П.А., Барышникова К.В., Сергаева О.Н., Дьяков С.А., Новиков А.В. Диэлектрические резонаторы со встроенными GeSi квантовыми точками ИПМ РАН, Тезисы докладов XV Российская конференция по физике полупроводников, с. 319 (год публикации - 2022)

Публикации

1. Зиновьев В.А., Смагина Ж.В., Зиновьева А.Ф., Родякина Е.Е., Кацюба А.В., Астанкова К.Н., Володин В.А., Барышникова К.В., Петров М.И., Михайловский М.С., Вербус В.А., Степихова М.В., Новиков А.В. Collective Modes in the Luminescent Response of Si Nanodisk Chains with Embedded GeSi Quantum Dots MDPI, Basel, Switzerland, 10, 1248 (год публикации - 2023)
10.3390/photonics10111248

2. Зиновьев В.А., Смагина Ж.В., Зиновьева А.Ф., Блошкин А.А., Двуреченский А.В., Родякина Е.Е., Степихова М.В., Перетокин А.В., Новиков А.В. Emission Enhancement of Ge/Si Quantum Dots in Hybrid Structures with Subwavelength Lattice of Al Nanodisks MDPI, Basel, Switzerland, 13, 2422 (год публикации - 2023)
10.3390/nano13172422

3. Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Степихова М.В., Дьяков С.А., Смагин И.А., Родякина Е.Е., Вербус В.А., Кацюба А.В., Михайловский М.С., Астанкова К.Н., Кучинская П.А., Новиков А.В. Излучающие свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками Издательство "Перо", Новосибирск, Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника-2023», с. 47 (год публикации - 2023)
10.34077/RCSP2023-47

4. Степихова М.В., Перетокин А.В., Вербус В.А., Петров М.И., Юрасов Д.В., Шенгуров Д.В., Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Дьяков С.А., Новиков А.В. Явления резонансного взаимодействия в люминесцентном отклике низкоразмерных фотонных структур с наноостровками Ge(Si), Издательство "Перо", г. Новосибирск, Российская конференция и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника-2023», с. 96 (год публикации - 2023)
10.34077/RCSP2023-95

5. Зиновьев В. А., Зиновьева А. Ф., Смагина Ж. В., Блошкин А. А., Кучинская П. А., Двуреченский А. В., Родякина Е. Е., Дьяков С. А., Фрадкин И. М., Смагин И. А., Степихова М. В., Новиков А. В. Усиление интенсивности излучения Ge/Si квантовых точек в гибридных структурах с субволновыми решетками Al-нанодисков ИПФ РАН, Нижний Новгород, Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Т. 2, с. 98-99 (год публикации - 2023)

6. Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Степихова М.В., Перетокин А.В., Кучинская П.А., Барышникова К.В., Родякина Е.Е., Сергаева О.Н., Петров М.И., Новиков А.В. Светоизлучающие структуры на основе пространственно-упорядоченных GeSi квантовых точек, встроенных в дисковые резонаторы ИПФ РАН, Нижний Новгород, Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», т. 2, с. 258-259 (год публикации - 2023)

7. Степихова М.В., Вербуc В.А., Барышникова К.В., Петров М.И., Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Дьяков C.А., Новиков А.В. Коллективные моды в люминесцентном отклике массивов дисковых резонаторов с наноостровками Ge(Si) ИПФ РАН, Нижний Новгород, Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», т. 2, с. 260-261 (год публикации - 2023)

8. Рудева Я.С., Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Степихова М.В., Родякина Е.Е. Упорядоченные GeSi квантовые точки, встроенные в дисковые резонаторы Типография ООО "ДигитПро", г. Новосибирск, Тезисы докладов "Школы молодых ученых по оптическим и фотоэлектрическим свойствам полупроводниковых квантовых систем "Оптика и фотоэлектрика квантовых систем (ОФКС-2023)", с. 38-39 (год публикации - 2023)

9. Смагина Ж.В., Степихова М.В., Зиновьев В.А., Дьяков С.А., Родякина Е.Е., Шенгуров Д.В., Кацюба А.В., Новиков В.А. Светоизлучающие структуры на основе периодических массивов кремниевых нанодисков со встроенными GeSi квантовыми точками А.Н. Вараксин, Минск, Сборник докладов X Международной научной конференции "Актуальные проблемы физики твердого тела", с. 521-524 (год публикации - 2023)

10. Михайловский М.С., Полева М.А., Сидоренко М.С., Садриева З.Ф., Петров М.И., Богданов А.А., Савелев Р.С. High-Q resonances in one-dimensional arrays of dipolar scatterers Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE, Санкт-Петербург, Proceedings of the International Conference “Days on Diffraction 2023”, pp. 139–144 (год публикации - 2023)
10.1109/DD58728.2023.10325819

Аннотация результатов, полученных в 2024 году
На этапе проекта 2024 года были выполнены все запланированные работы. Разработана технология и созданы структуры с ансамблями связанных Ми-резонаторов (димеры и тримеры), позволяющими модифицировать диаграмму направленности излучения за счёт точного позиционирования квантовых точек внутри Ми-резонаторов. Созданы ансамбли кремниевых дисковых резонаторов со стеком GeSi КТ, расположенным в центре и на краю второго резонатора. Получено, что спектр излучения созданных структур зависит от положения GeSi КТ. Разработана технология и созданы фотонно-кристаллические структуры с нарушенной симметрией, позволяющей наблюдать высокодобротные резонансы в Г-точке. Нарушение симметрии достигалось двумя способами: 1) за счёт различия периода структуры вдоль осей x и y; 2) за счёт контролируемого изменения диаметра дисков, образующих фотонный кристалл. В результате исследований методом микро-ФЛ фотонно-кристаллических структур с нарушением симметрии за счет различия периода структуры вдоль осей x и y, получено, что постепенное увеличение расстояния между дисками вдоль оси у, приводит к немонотонному поведению интенсивности сигнала ФЛ при сканировании вдоль ряда. Интенсивность пиков вначале растет с увеличением номера цепочки, достигая некоторого максимума, а затем начинает уменьшаться. При этом, для различных размеров дисков наблюдается либо простое падение интенсивности пиков (D=870 нм), либо осциллирующая зависимость (D=900 нм) с постепенным уменьшением интенсивности сигнала. В результате исследований методом микро-ФЛ фотонно-кристаллических структур, представляющих собой две подрешетки дисков с разными диаметрами, получено, что нарушение симметрии приводит к модификации спектра фотолюминесценции: в окрестности исходных интенсивных пиков ФЛ происходит многократное усиление их сателлитов, сопровождающееся небольшим изменением их положения, при этом интенсивность исходного пика падает. Наибольший эффект усиления сателлитов ( ~ на порядок) был получен на длине волны ~1.4 мкм для структуры с различием диаметров \Delta D \approx 3%. Для объяснения данных результатов был проведен расчет дисперсионных зависимостей интенсивности излучения в дальнее поле для модельных структур, представляющих собой две решетки дисков с разными диаметрами, вставленными друг в друга. Получено хорошее согласие эксперимента и расчетных результатов, а именно, изменение диаметров дисков в одной подрешётке приводит к снятию вырождения в точке Г на определенных длинах волн, что приводит к появлению в эксперименте сателлитных пиков. Также были проведены теоретические исследования излучательных свойств фотонных кристаллов с одинаковым смещением GeSi квантовых точек от центров кремниевых нанодисков (либо в центре, либо на краю). Получено, что расположение излучателя в резонаторе сильно влияет на выход излучения в определенных направлениях. Для краевого положения диполя наблюдается максимальная интенсивность излучения, выходящего из структуры при малых углах вблизи нуля (~1^{\circ}) на длинах волн 1.15 мкм и 1.55 мкм. Для положения диполя в центре резонатора на длине волны 1.15 мкм интенсивность излучения, выходящего при углах больших 10^{\circ}, многократно превышает интенсивность излучения при малых углах. В результате теоретического исследования излучательных свойств муаровых структур, формируемых за счет совмещения массива квантовых точек, упорядоченных в квадратную решетку, и гексагональной решетки отверстий фотонного кристалла, объяснены экспериментальные результаты по осциллирующей зависимости интенсивности ФЛ квантовых точек, полученной при сканировании вдоль рядов фотонного кристалла. При определенном периоде ФК (a=525 нм) формируется крупномасштабная периодичность, которая и объясняет осцилляции интенсивности микро-ФЛ. Также проведено теоретическое исследование линейных цепочек кремниевых нанодисков со встроенными GeSi квантовыми точками и продемонстрирована возможность реализации высокодобротных состояний, имеющих природу, близкую состояниям типа связанных состояний в континууме (ССК), которые можно называть квази-ССК. Определены параметры структур оптимальные для реализаций этих состояний. Проведено теоретическое исследование ансамблей связанных Ми-резонаторов, позволяющих модифицировать диаграмму направленности излучения за счёт точного позиционирования квантовых точек внутри Ми-резонаторов. Получено, что положение источника значительно влияет на вид диаграмм направленности.

Публикации

1. Зиновьев В.А., Степихова М.В., Смагина Ж.В., Зиновьева А.Ф., Блошкин А.А., Родякина Е.Е., Михайловский М.С., Петров М.И., Новиков А.В. Selective excitation of photon modes in silicon microdisk resonator by deterministic positioning of GeSi quantum dots Journal of Applied Physics, AIP Publishing, J. Appl. Phys. 136, 153103 (год публикации - 2024)
10.1063/5.0236022

2. Зиновьев В.А., СмагинаЖ.В., Зиновьева А.Ф., Родякина Е.Е., Кацюба А.В., АстанковаК.Н., Барышникова К.В., Петров М.И., Михайловский М.С., Вербус В.А., Степихова М.В., Новиков А.В. Коллективные моды в люминесцентном отклике структур с линейными цепочками Si нанодисков со встроенными GeSi квантовыми точками Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с, Труды XXVIII Международного симпозиума Нанофизика и наноэлектроника, т. 2, с. 669-670 (год публикации - 2024)

3. Степихова М.В., Шаров С.А., Вербус В.А., Петров М.И., Михайловский М.С., Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Родякина Е.Е., Новиков А.В. Особенности люминесцентного отклика низкоразмерных дисковых резонаторов и их массивов, сформированных на кремниевых структурах с наноостровками Ge(Si) Тезисы докладов XV Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний–2024» (Иркутск, 15–20 июля 2024 г.). – Иркутск: Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 2024. – 123 с., Тезисы докладов XV Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний–2024», с. 64 (год публикации - 2024)

4. Степихова М.В., Шаров С.А., Вербус В.А., Волковская И.И., Смагина Ж.В. , Зиновьев В.А., Родякина Е.Е., Новиков А.В. Люминесцентный анализ мод низкоразмерных дисковых резонаторов, сформированных на кремниевых структурах с наноостровками Ge(Si) Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с, Труды XXVIII Международного симпозиума Нанофизика и наноэлектроника, т. 2, с. 829-830 (год публикации - 2024)

5. Зиновьев В. А., Зиновьева А. Ф., Смагина Ж. В., Блошкин А. А., Кучинская П. А., Двуреченский А. В., Родякина Е. Е., Дьяков С. А., Смагин И. А., Степихова М. В., Новиков А.В. Усиление излучения GeSi квантовых точек в волноводной структуре за счёт совмещения с метаповерхностью из наночастиц Ge Тезисы докладов XVI Российской конференции по физике полупроводников (XVI РКФП). — СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. —с. 438., Тезисы докладов. XVI РОССИЙСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, с. 329 (год публикации - 2024)

6. Смагина Ж. В., Зиновьев В. А., Зиновьева А. Ф., Родякина Е. Е., Кацюба А. В., Степихова М. В., Новиков А. В., Михайловский М. С., Петров М. И. Кремниевые дисковые резонаторы с контролируемым позиционированием излучателей Тезисы докладов XVI Российской конференции по физике полупроводников (XVI РКФП). — СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. —с. 438., Тезисы докладов XVI Российской конференции по физике полупроводников (XVI РКФП), с. 319 (год публикации - 2024)

7. Зиновьев В.А., Смагина Ж.В., Зиновьева А.Ф., Родякина Е.Е., Кацюба А.В., Кучинская П.А., Астанкова К.Н., Барышникова К.В., Петров М.И., Михайловский М.С., Вербус В.А., Степихова М.В., Новиков А.В. Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками Физика и техника полупроводников, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, том 58, вып. 5, с. 238-241 (год публикации - 2024)
10.61011/FTP.2024.05.58758.6351H