Разработка магнитных мемристоров на основе оксидных полупроводников с имплантированной примесью 3d-элементов

КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

Номер проекта 22-19-00712

НазваниеРазработка магнитных мемристоров на основе оксидных полупроводников с имплантированной примесью 3d-элементов

Руководитель Хайбуллин Рустам Ильдусович, Кандидат физико-математических наук

Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр «Казанский научный центр Российской академии наук» , Республика Татарстан (Татарстан)

Конкурс №68 - Конкурс 2022 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами»

Область знания, основной код классификатора 09 - Инженерные науки; 09-701 - Электронная элементная база информационных систем

Ключевые слова ионная имплантация, ионы переходной группы железа, диоксид титана (олова, ванадия), магниторазбавленные оксидные полупроводники, ферромагнетизм, магнитный резонанс, магнитооптический эффект Керра, кислородные вакансии, электромиграция, мемристор, энергонезависимая память

Код ГРНТИ29.03.35

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ

Аннотация
Хранение и быстрая обработка больших объемов информации – одна из насущных проблем, с которой столкнулось человечество в 21 веке. В настоящее время для хранения больших объемов данных широко применяются накопители на жестких магнитных дисках и память на основе флеш-технологий. При этом все большую популярность приобретает именно флеш-память, которая обладает быстродействием на порядок и выше, чем в обычных жестких дисках. Мемристор или резистивная память с произвольным доступом (Resistive random-access memory - RRAM) является многообещающей альтернативой существующим видам флеш-памяти. Мемристивная память обладает большими перспективами для применения в искусственных биологических системах и в энергонезависимых запоминающих устройствах нового поколения. Данный проект нацелен на развитие ионно-лучевой технологии получения нового функционального элемента микроэлектроники – магнитного мемристора. Появление дополнительной магнитной степени свободы существенно расширяет функциональные возможности использования мемристоров, как новых элементов энергонезависимой памяти. В проекте в качестве функциональной среды для магнитного мемристора предлагается использовать магниторазбавленные оксидные полупроводники на основе рутила (TiO2) или других оксидов со структурой рутила (SnO2, VO2), легированных магнитными ионами 3d-элементов. Впервые предлагается сочетать мемристивные свойства данных легированных оксидов с их магнитными свойствами. Принципиальным и ключевым элементом проекта является использование технологии ионно-лучевой имплантации для получения желаемых магниторазбавленных оксидных полупроводников, как функциональной среды для магнитного мемристора. В основе метода ионно-лучевой имплантации лежит процесс принудительного внедрения ускоренных до высоких энергий ионов примеси в облучаемую подложку с любой желаемой концентрацией. Преимущество предлагаемого подхода, по сравнению с другими методами получения мемристоров, является то, что ионная имплантации позволяет не только легировать оксидные полупроводники 3d-примесью (или их сочетанием) с атомарной точностью, но и порождает в облученном слое оксида большое количество точеных радиационных дефектов – кислородных вакансий. Другими словами, нет необходимости создавать кислородные вакансии – медиаторов мемристивного эффекта в нестехиометрических оксидах, поскольку они формируются непосредственно в процессе ионного легирования. Более того, как показали наши предварительные исследования, радиационно-стимулированная диффузия кислородных вакансий (или, по сути, атомов кислорода) в облученном оксиде более чем на три порядка величины может превышать коэффициент диффузии вакансий в исходном оксидном материале. Это открывает перспективу существенного увеличения быстродействия и эффективности работы магнитного мемристора, полученного методом ионной имплантации. Известно, что количественное содержание кислородных вакансий (электронных доноров) в оксидных полупроводниках определяет величину их электросопротивления. Наличие и перемещение кислородных вакансий по оксидному материалу под действием электрического поля является, по сути, основой мемристорного эффекта в нестехиометрических оксидах, включая TiO(2-y), SnO(2-y) и ряда других. Наши предварительные исследования показали, что значение величины концентрации кислородных вакансий в оксидных полупроводниках с имплантированной примесью 3d-элементов оказывает также существенное влияние на величину их магнитного отклика (намагниченность материала). Вышеназванное определяет основную научную задачу данного проекта – детально исследовать влияние концентрации кислородных вакансий на резистивные и магнитные свойства оксидных полупроводников, (в первую очередь TiO2, также SnO2 и VO2) с имплантированной примесью ионов 3d-элементов. Для решения научной задачи, предлагается использовать две оригинальные (авторские) методики: 1) пространственное перемещение кислородных вакансий (их электромиграции) в заданную область оксидного материала и 2) инжекцию дополнительных кислородных вакансий в имплантированный оксид путем приложения электрического потенциала. В результате решения научной задачи будут определены зависимости величины намагниченности магнитноразбавленного оксидного полупроводника от его электросопротивления (т.е. содержания в оксиде кислородных вакансий). Это позволит приступить к решению второй, практической, задачи проекта – создания лабораторного прототипа ячейки энергонезависимой памяти, в которой информация будет записываться за счет пропускания импульсов электрического тока в двух взаимно перпендикулярных направлениях (путем изменения электросопротивления магнитного мемристора), а ее считывание будет осуществляться путем измерения магнитооптического эффекта Керра (фактически, путем регистрации изменения интенсивности линейно-поляризованного света за счет поворота плоскости поляризации света при его отражении от поверхности магнитного материала). Актуальность запланированных в проекте исследований заключается в поиске и создание новых функциональных материалов с пониженным энергопотреблением для индустрии записи и хранения цифровой информации с повышенной плотностью, а их новизна в предложенных и описанных выше подходах для решения научно-практической задачи получения магнитных мемристоров на основе магниторазбавленных оксидных полупроводников.

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Публикации

1. Бегишев Е.М., Вахитов И.Р., Лядов Н.М., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Базаров В.В., Кузина Д.М., Хайбуллин Р.И. Ферромагнетизм и две магнитные фазы в рутиле (TiO2), имплантированном ионами кобальта: влияние температуры и ориентации рутила Известия Российской академии наук. Серия физическая (год публикации - 2023)

2. Вахитов И.Р., Лядов Н.М., Вдовин В.И., Гутаковский А.К., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Тагиров Л.Р., Хайбуллин Р.И. Ion-beam synthesis and magnetic properties of iron nanoparticles in rutile (TiO2) Book of Abstracts Euro-Asian Symposium «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2022, August 22–26, 2022, Kazan, Russia), Vol. 1. - p. 123-124. (год публикации - 2022)

3. Суханов А.А., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Magnetic resonance studies of Ar-ion implanted rutile (TiO2): effect of oxygen vacancies concentration Book of Abstracts Euro-Asian Symposium «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2022, August 22–26, 2022, Kazan, Russia), Vol. 1. - P. 298-299 (год публикации - 2022)

4. Бегишев Е.М., Вахитов И.Р., Лядов Н.М., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Базаров В.В., Кузина Д.М., Хайбуллин Р.И, Ferromagnetism and two magnetic phases in cobalt ion implanted rutile: effect of substrate temperature Book of Abstracts Euro-Asian Symposium «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2022, August 22–26, 2022, Kazan, Russia), Vol. 2. - P. 308-309 (год публикации - 2022)

5. Бегишев Е.М., Базаров В.В., Вахитов И.Р., Валеев В.Ф., Гумаров А.И., Лядов Н.М., Хайбуллин Р.И. Магнитные и электрические свойства рутила (TiO2), имплантированного кобальтом при высокой температуре подложки Тезисы докладов VIII Всероссиской конференции и Школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Казань, Россия, 11-14 октября 2022 г.), C. 76 (год публикации - 2022)

6. Суханов А.А., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Magnetic resonance studies of Ar-ion irradiated rutile Magnetic Resonance in Solids. Electronic Journal (год публикации - 2022)

7. Вахитов И.Р., Лядов Н.М., Нуждин В.И., Вдовин В.И., Гутаковский А.К., Тагиров Л.Р., Хайбуллин Р.И. Ионный синтез гранулярных пленок железа и никеля в рутиле (TiO2) Тезисы докладов VIII Всероссиской конференции и Школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Казань, Россия, 11-14 октября 2022 г.), С. 77 (год публикации - 2022)

Публикации

1. Суханов А.А. , Валеев В.Ф., Нуждин В.И. , Хайбуллин Р.И. Oxygen defects in titanium dioxide crystals. EPR study Abstracts of the international conferences “Modern development of magnetic resonance” and “Spin physics, spin chemistry, and spin technology”, pp.218-219 (год публикации - 2023)

2. Суханов А.А., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Photo-stimulated EPR spectroscopy of oxygen defects in a rutile (TiO2) crystal irradiated with Ar ions Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2024. V.88. Iss. 7. (год публикации - 2024)
10.1134/S1062873824707116

3. Вахитов И.Р., Лядов Н.М., Вдовин В.И., Гутаковский А.К., Нуждин В.И., Тагиров Л.Р., Хайбуллин Р.И. Ion-Beam Synthesis of Structure-Oriented Iron Nanoparticles in Single-Crystalline Rutile TiO2 Crystals, Crystals 2023. Vol. 13. No. 2. Art. num. 355. (год публикации - 2023)
10.3390/cryst13020355

4. Бегишев Е.М., Вахитов И.Р., Лядов Н.М., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Базаров В.В., Кузина Д.М., Хайбуллин Р.И. Ферромагнетизм и две магнитные фазы в рутиле (TiO2), имплантированном ионами кобальта: влияние температуры и ориентации рутила Известия РАН. Серия физическая, ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ. 2023. Т. 87. № 3. с.450–456 (год публикации - 2023)
10.31857/S036767652270082X

5. Суханов А.А., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Magnetic resonance studies of Ar-ion irradiated rutile Magnetic Resonance in Solids. Electronic Journal, Short cite this: Magn. Reson. Solids. 2023. V. 25. No. Art. num. 23102 (год публикации - 2023)
10.26907/mrsej-23102

6. Базаров В.В., Бегишев Е.М., Валеев В.Ф, Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Оптические характеристики приповерхностного слоя рутила, имплантированного ионами кобальта Журнал прикладной спектроскопии/Journal of Applied Spectroscopy, Журнал прикладной спектроскопии. 2023. Т.90. №4. С.648-650 (год публикации - 2023)
10.1007/s10812-023-01604-9

7. Хайбуллин Р.И., Базаров В.В., Вахитов И.Р., Гумаров А.И., Гумаров Г.Г., Жарков Д.К., Лядов Н.М., Суханов А.А., Шмелев А.Г., Тагиров Л. Р. Влияние кислородных вакансий на явление ферромагнетизма в оксидном полупроводнике (TiO2) с имплантированной примесью кобальта Физика конденсированных состояний : Сборник тезисов III Международной конференции, посвященной 60-летию ИФТТ РАН, Черноголовка, 29 мая – 02 2023 года http://www.issp.ac.ru/fks2023/, Сборник тезисов "Третья Международная Конференция «Физика конденсированных состояний» ФКС-2023, стр. 8 (год публикации - 2023)
10.26201/ISSP.2023/FKS-3.05

8. Базаров В.В., Бегишев Е.М., Валеев В.Ф., Вахитов И.Р., Гумаров А.И., Зиннатуллин А.Л., Киямов А.Г., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Структурные, магнитные и электрические свойства эпитаксиальных пленок TiO2 c имплантированной примесью кобальта Взаимодействие излучения с твердым телом. Материалы 15-й Международной конференции, Минск, Беларусь, 26–29 сентября 2023 г., Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы 15-й Международной конференции, Минск, Беларусь, 26–29 сентября 2023 г. стр. 356-358 (год публикации - 2023)

9. Хайбуллин Р.И., Гумаров А.И., Суханов А.А., Рогов А.М., Киямов А.Г., Вахитов И.Р., Валеев В.Ф., Зинатуллин А.Л. Features of ferromagnetism in epitaxial SnO2 films implanted with Co-ions at different temperatures Abstracts of the international conferences “Modern development of magnetic resonance” and “Spin physics, spin chemistry, and spin technology”, pp. 230-231 (год публикации - 2023)

Аннотация результатов, полученных в 2024 году
Путем имплантации ионов аргона (Ar+), кобальта Co+ или индия (In+) в тонкие оксидные пленки, SnO2 и TiO2, а также в монокристаллические подложки рутила (TiO2) при различных режимах ионного облучения, получена серия образцов для последующих структурных, оптических, магнитных и электрических измерений, а также для создания на их основе новых ячеек памяти. Показано, что высокодозная имплантация примеси кобальта вызывает значительные изменения в микроструктуре имплантированных оксидных материалов за счет формирования в них двух магнитных фаз: наночастиц и твердого раствора примеси кобальта. Установлено, что имплантированные кобальтом образцы проявляют ферромагнетизм с температурой Кюри выше комнатной. Определены режимы ионной имплантации, при которых в имплантированных кобальтом образцах TiO2 доминирует, либо фаза магнитного твердого раствора ионов кобальта в оксидной матрице, либо фаза магнитных наночастиц примеси кобальта. Наблюдение гистерезиса в вольтамперных характеристиках позволило установить оптимальные значения (R=3-12 кОм) слоевого сопротивления имплантированных кобальтом (или аргоном) образцов рутила TiO2 для многократного циклического перемещения вакансий и регистрации мемристорного эффекта. На основе анализа результатов проведенных исследований, были выбраны образцы рутила (TiO2) с примесью кобальта, наиболее перспективные (высокое содержание фазы твердого раствора магнитных ионов кобальта, высокие значения намагниченности, полупроводниковый тип проводимости) для создания на их основе новых ячеек памяти – магнитных мемристоров. С помощью электроннолучевой литографии и метода ионно-лучевого осаждения золотых контактов были изготовлены литографические структуры ячеек памяти различного типа: либо в форме чередующих контактных полосок длиной 2-4 мм и шириной рабочей области ячейки в диапазоне от 100 до 800 нм, либо в форме большой квадратной ячейки размером ≈2 x 2 мм2, либо в форме массива четырех квадратных ячеек размером 400 мкм, к каждой из которых подведены четыре контактных площадки. Изготовлен лабораторный стенд (магнитополяриметр) для регистрации в литографических ячейках памяти магнитооптического меридионального эффекта Керра (МОКЕ). Изготовленный магнитополяриметр позволил провести измерения петель гистерезиса МОКЕ в локальных точках исследуемых образцов, регистрацию магнитооптического сигнала во время записи и перезаписи одного бита информации в различных литографических структурах, а также регистрацию 4 битов информации в структуре, состоящей из 4 ячеек памяти, используя режим керровского микроскопа. Наблюдение процессов перемещения кислородных вакансий в полосовых литографических ячейках в режиме реального времени позволило определить среднюю скорость (~3 мкм/c) перемещения положительно заряженных вакансий под действием электрического поля при комнатной температуре. Экспериментально показано, что толщина обедненного слоя (с низким содержанием вакансий) около анода меняется в диапазоне от 100 мкм до 700 мкм в зависимости от приложенного напряжения и продолжительности проведения процедуры электромиграции кислородных вакансий в полосовой литографической структуре с шириной ячейки 800 мкм. Установлено сильное влияние концентрации положительно заряженных кислородных вакансий на величину намагниченности и магнитооптический отклик (МОКЕ) в магниторазбавленных кобальтом образцах рутила. Показано, что после электромиграции кислородных вакансий в литографической ячейке величина сигнала МОКЕ может увеличиваться в два-три раза с ростом концентраций вакансий, по сравнению с начальным состоянием, или спадать, практически, до нуля в обедненной вакансиями области образца. С другой стороны, установлено, что электромиграция и концентрация кислородных вакансий никак не влияет на намагниченность и величину сигнала MOKE в имплантированных образцах TiO2, в которых доминирует фаза магнитных наночастиц кобальта. Впервые экспериментально продемонстрирован потенциал использования магниторазбавленных оксидных полупроводников, полученных на основе монокристаллических пластинок TiO2, в качестве функциональной среды для магнитного мемристора. На примере литографических структур, содержащих 1 большую (миллиметрового размера) или четыре маленьких ячеек памяти размером 400 мкм, показана принципиальная возможность записи и стирания бита информации в ячейках памяти. Проведены детальные исследования процессов записи, перезаписи и считывания информации в литографической структуре с четырьмя ячейками памяти размером 400 мкм. Показано, что приложение электрического потенциала к контактным площадкам ячейки в магнитном поле 200 мТл позволяет управлять углом поворота плоскости поляризации света, что было интерпретировано, как кодирование логических состояний "0" и "1". Показана принципиальная возможность увеличения уровня магнитооптического сигнала за счет инжекции кислородных вакансий путем подачи на дополнительные контактные площадки больших по величине импульсов напряжения, что позволяет изменять регистр в ячейках битовой информации. Среди других полученных результатов, отметим следующие: Путем имплантации ионов Co+ с энергией 40 кэВ в тонкие эпитаксиальные пленки SnO2 получены магнитные изоляторы, проявляющие необычные ферромагнитные свойства. Как пример, это сильное уменьшение (в два раза) величины намагниченности насыщения имплантированной пленки и исчезновение сигналов ФМР с понижением температуры измерения, что не типично для ферромагнитных материалов в целом. Методами фотолюминесцентной спектроскопии уточнено положение электронных уровней в запрещенной зоне рутила, относящиеся к кислородным вакансиям в различном зарядовом состояние. Экспериментально подтвержден факт накоплению двух- и однократно положительно заряженных вакансий в области катода во время проведения процедуры электромиграции кислородных вакансий. Методом фото-стимулированной ЭПР спектроскопии рутила, облученного ионами аргона, впервые наблюден новый парамагнитный центр с g-фактором 2.0168, соотнесенный к положительно заряженной вакансии кислорода, локализованной на поверхности рутила. Установлено, что после выключения фотовозбуждения время жизни центра составляет величину около 1000 сек при T=15 K и быстро уменьшается с повышением температуры образца. Полученные результаты были апробированы на 4 международных и российских конференциях и опубликованы в виде 3-х научных статей и 1 статьи, принятой в печать.

Публикации

1. Суханов А.А., Базаров В.В., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Ferromagnetic resonance in Co-ions implanted SnO2 films: Effects of oxygen vacancies Magnetic Resonance - Current State and Future Perspectives (EPR-80) : Abstracts of Internat. conf. (Kazan, Russia, September 23-27, 2024) / Editors: Kev M. Salikhov and Dmitry F. Taurskii. – Kazan: FRC Kazan Scientific Center of RAS Publ., Magnetic Resonance - Current State and Future Perspectives (EPR-80) : Abstracts of Internat. conf. (Kazan, Russia, September 23-27, 2024) / Editors: Kev M. Salikhov and Dmitry F. Taurskii. – Kazan: FRC Kazan Scientific Center of RAS Publ., 2024. – P.152-153 (год публикации - 2024)

2. Бегишев Е.М., Базаров В.В., Вахитов И.Р., Лядов Н.М., Нуждин В.И., Самошкина Ю.Э., Петров Д.А., Суханов А.А., Хайбуллин Р.И. Микроструктура, магнитооптика и ферромагнетизм рутила (TiO2), имплантированного ионами кобальта при повышенной температуре подложки Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов IX Всеросс. конф. и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, Россия, 22-25 октября 2024 г.). – Н. Новгород: Изд-во ННГУ, 2024. – 70 c., Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов IX Всеросс. конф. и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, Россия, 22-25 октября 2024 г.). – Н. Новгород: Изд-во ННГУ, 2024. – 70 c. – С. 59. (год публикации - 2024)

3. Окзал Б., Казан С., Караташ О., Экинчи Г., Арда Л., Рамеев Б.З. Fabrication and characterization of TiOx based single-cell memristive devices Materials Research Express, Vol. 10, Iss. 12. – Art. 125901 (15 страниц) (год публикации - 2023)
10.1088/2053-1591/ad1125

4. Базаров В.В., Бегишев Е.М., Валеев В.Ф., Вахитов И.Р., Гумаров А.И., Зиннатуллин А.Л., Киямов А.Г., Лядов Н.М., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Высокотемпературный ферромагнетизм в эпитаксиальной плёнке TiO2, имплантированной примесью кобальта при повышенной температуре Письма в журнал технической физики, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург (год публикации - 2025)

5. Озкал Б., Аль-Джави Н., Экинчи Г., Рамеев Б.З., Хайбуллин Р.И., Казан С. Artificial Synapses Based on HfOx/TiOy Memristor Devices for Neuromorphic Applications Nanotechnology, Vol. 36, Iss. 2, Art. 025701 (12 страниц) (год публикации - 2025)
10.1088/1361-6528/ad857f

6. Караташ Об Окай Ч., Озкал Б., Казан С., Рамеев Б.З., Черкашин Н., Бегишев Е.М., Хайбуллин Р.И. Magnetic anisotropy in rutile (TiO2) heavily implanted with cobalt ions: FMR, VSM and TEM studies Magnetic Resonance - Current State and Future Perspectives (EPR-80) : Abstracts of Internat. conf. (Kazan, Russia, September 23-27, 2024) / Editors: Kev M. Salikhov and Dmitry F. Taurskii. – Kazan: FRC Kazan Scientific Center of RAS Publ., 2024., Magnetic Resonance - Current State and Future Perspectives (EPR-80) : Abstracts of Internat. conf. (Kazan, Russia, September 23-27, 2024) / Editors: Kev M. Salikhov and Dmitry F. Taurskii. – Kazan: FRC Kazan Scientific Center of RAS Publ., 2024. – P.181 (год публикации - 2024)

7. Хайбуллин Р.И., Гумаров А.И., Вахитов И.Р., Суханов А.А., Лядов Н.М., Киямов А.Г., Кузина Д.М., Базаров В.В., Зиннатуллин А.Л. Microstructure and Unusual Ferromagnetism of Epitaxial SnO2 Films Heavily Implanted with Co Ions Condensed Matter, Vol. 9, Iss. 2, Art. 27 (15 страниц) (год публикации - 2024)
10.3390/condmat9020027

8. Бегишев Е.М., Шмелев А.Г., Жарков Д.К., Базаров В.В., Лядов Н.М., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Optical spectroscopy of oxygen vacancies in rutile (TiO2) irradiated with argon ions Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, Vol. 88, No. 12, pp. 2035-2042 (год публикации - 2024)
10.1134/S106287382470864X

9. Бегишев Е.М., Базаров В.В., Шмелев А.Г., Жарков Д.К., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Оптическая спектроскопия кислородных вакансий в рутиле (TiO2), облученном ионами аргона Научный семинар «Нанооптика, фотоника и когерентная спектроскопия – 2024»: Сборник статей и тезисов. Казань, 10–12 июля 2024 г. / под ред. к.ф.-м.н. К.Р. Каримуллина [Электронное издание]. – Москва: Тровант, 2024. – 162 с.: ил., Нанооптика, фотоника и когерентная спектроскопия – 2024 : Сборник статей и тезисов, Казань, 10–12 июля 2024 года. – Москва: Тровант, 2024. – С. 65-67. – EDN THRNBU. (год публикации - 2024)

10. Бегишев Е., Базаров В., Шмелев А., Жарков Д., Валеев В., Хайбуллин Р. Photoluminescence of oxygen defects in Ar-ions irradiated rutile (TiO2) Defects in Insulating Materials : Abstracts of Internat. conf. (ICDIM-2024). Astana Kazakhstan, 19 - 23 August, 2024. – Astana: L.N. Gumilyov ENU Printing House, 2024. – P.72, Defects in Insulating Materials : Abstracts of Internat. conf. (ICDIM-2024). Astana Kazakhstan, 19 - 23 August, 2024. – Astana: L.N. Gumilyov ENU Printing House, 2024. (год публикации - 2024)

11. Хайбуллин Р.И., Бегишев Е.М., Базаров В.В., Валеев В.Ф., Вахитов И.Р., Гумаров А.И., Зиннатуллин А.Л., Киямов А.Г., Лядов Н.М., Суханов А.А. Особенности ферромагнетизма в эпитаксиальных пленках диоксида олова (SnO2), имплантированных ионами 3d-элементов Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов IX Всеросс. конф. и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, Россия, 22-25 октября 2024 г.). – Н. Новгород: Изд-во ННГУ, 2024. – 70 c., Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов IX Всеросс. конф. и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, Россия, 22-25 октября 2024 г.). – Н. Новгород: Изд-во ННГУ, 2024. – 70 c. – С. 28. (год публикации - 2024)

12. Бегишев Е., Базаров В., Гумаров А., Лядов Н., Вахитов И., Суханов А., Шустов В., Файзрахманов И., Зиннатуллин А., Хайбуллин Р.И. Ferromagnetism induced in SnO2 films by Co ions implantations Defects in Insulating Materials : Abstracts of Internat. conf. (ICDIM-2024). Astana Kazakhstan, 19 - 23 August, 2024. – Astana: L.N. Gumilyov ENU Printing House, 2024. – P.34, Defects in Insulating Materials : Abstracts of Internat. conf. (ICDIM-2024). Astana Kazakhstan, 19 - 23 August, 2024. – Astana: L.N. Gumilyov ENU Printing House, 2024 (год публикации - 2024)

Возможность практического использования результатов
Результаты данного проекта имеют значительный потенциал для применения в экономике и социальной сфере Российской Федерации. Разработанные методы управления концентрацией и распределением кислородных вакансий в материалах на основе оксида титана могут быть использованы для создания новых типов энергонезависимых ячеек памяти с высокой плотностью хранения данных и улучшенной долговечностью. Это открывает возможности для развития отечественной микроэлектронной промышленности, способствуя созданию конкурентоспособной продукции и уменьшению зависимости от импортных компонентов. Кроме того, внедрение таких технологий может привести к снижению затрат на производство электронных устройств и повышению их надежности, что положительно скажется на экономическом росте и социальном развитии страны.