КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 22-22-00990
НазваниеПоверхностный электронный транспорт в коррелированных топологических изоляторах на основе редкоземельных боридов
Руководитель Глушков Владимир Витальевич, Доктор физико-математических наук
Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук" , г Москва
Конкурс №64 - Конкурс 2021 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами»
Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе; 02-202 - Полупроводники
Ключевые слова топологические изоляторы, гексабориды, электронный транспорт, поверхностная проводимость, низкие температуры, эффект поля, изгиб зон
Код ГРНТИ29.19.24
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Аннотация
Проект направлен на исследование механизмов поверхностного электронного транспорта и на поиск эффективных способов управления параметрами поверхностной проводимости в трехмерных топологических изоляторах (ТИ). В этом макроскопическом квантовом состоянии инверсия зон различной симметрии приводит к возникновению поверхностных носителей заряда с безмассовым дираковским спектром и жесткой связью между спином и импульсом, обеспечивающей бездиссипативный перенос заряда в отсутствии магнитных примесей. Идентификация микроскопических механизмов поверхностного электронного транспорта в ТИ крайне важна как для развития теоретических подходов к описанию квантового электронного транспорта в полупроводниках, так и для перспективных применений ТИ в спинтронике и квантовых компьютерах.
Для объектов исследования – коррелированных ТИ SmB6, YbB6 и соединений на их основе – нетривиальная топология электронного спектра реализуется в режиме промежуточной валентности редкоземельных ионов (Sm+2,6). Вопрос о специфике влияния быстрых зарядовых и спиновых флуктуаций между 4f- и 5d-состояниями редкоземельного иона на параметры электронного спектра поверхностных состояний остается открытым. Кроме того, на поверхностный электронный транспорт в этих ТИ сильно влияет высокая степень полярности поверхностей, формируемых из положительно заряженных редкоземельных ионов и отрицательно заряженных кластеров бора.
Для выяснения механизмов поверхностного электронного транспорта и способов управления параметрами поверхностных состояний в коррелированных ТИ планируется выполнить комплексное исследование электрофизических свойств монокристаллических образцов SmB6, YbB6 и Sm1-xRxB6 (R= Eu, Gd, Yb и др.) с концентрациями примеси замещения до 10 ат.% при температурах 1,8 - 300 К в магнитных полях до 8 Тл. Основное внимание в проекте отводится развитию методов идентификации и управления параметрами электронного транспорта на поверхностях различной ориентации, подвергнутых специальной (механической, химической и ионно-плазменной) обработке, с использованием эффекта поля. Предполагается, что сопоставление характеристик носителей заряда, определяющих проводящие свойства поверхностей исследуемых соединений, позволит выделить эффективные механизмы управления параметрами поверхностных состояний, определяющих электронный транспорт в основном состоянии ТИ, а также окончательно классифицировать исследуемые материалы как топологические изоляторы или как традиционные полупроводники с тривиальными поверхностными состояниями.
Актуальность решения научной задачи определяет отсутствие систематического подхода к исследованию поверхностного электронного транспорта в гексабориде самария и родственных соединениях (текущее состояние проблемы представлено в Physical Review Research 3, 023162 (2021)), а также ряд оригинальных результатов, включающих обнаружение температурно-индуцированных магнитных моментов при переходе к режиму поверхностной проводимости ниже 5,5 К (Scientific Reports, 8, 7125 (2018)). Реализация экспериментальной программы проекта позволит получить новую информацию о механизмах формирования поверхностных состояний в коррелированных ТИ с прогнозом их возможных практических применений.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Публикации
1.
Глушков В.В., Журкин В.С., Божко А.Д., Кудрявцев О.С., Андрюшечкин Б.В., Комаров Н.С., Воронов В.В., Шицевалова Н.Ю., Филипов В.Б.
Критерий поверхностного электронного транспорта в коррелированном топологическом изоляторе SmB6
Письма в ЖЭТФ, том 116, вып. 11, с. 770 – 776 (год публикации - 2022)
10.31857/S1234567822230057
Публикации
1.
Анисимов М., Воронов В., Гаврилкин С., Цветков А., Мицен К., Щицевалова Н., Левченко Г., Филипов В., Демишев С., Глушков В.
Phonon, defect and magnetic contributions to heat capacity of EuxYb1-xB6 solid solutions
Solid State Sciences, т. 142, стр. 107233-7 (год публикации - 2023)
10.1016/j.solidstatesciences.2023.107233
2.
Глушков В.В., Журкин В.С., Божко А.Д., Воронов В.В., Филипов В.Б., Габани С., Флахбарт К., Шицевалова Н.Ю.
Surface conductivity in SmB6
Solid State Sciences, т. 142, стр. 107247-4 (год публикации - 2023)
10.1016/j.solidstatesciences.2023.107247
3.
Артёмов Е.А., Мантузов А.В., Журкин В.С., Божко А.Д., Кудрявцев О.С., Андрюшечкин Б.В., Шевлюга В.М., Шицевалова Н.Ю., Филипов В.Б., Глушков В.В.
Особенности структуры поверхности и поверхностного электронного транспорта в коррелированном топологическом изоляторе SmB6
Физика и техника полупроводников, т. 57, вып. 4, стр. 232-236 (год публикации - 2023)
10.21883/FTP.2023.04.55891.02k