КАРТОЧКА ПРОЕКТА ОПЫТНО-КОНСТРУКТОРСКОЙ РАБОТЫ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 23-91-01006
НазваниеИсследование и моделирование конструкции транзисторных наногетероструктур типа AlGaN/GaN на подложках кремния и специальных подложках кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si).
Руководитель Царик Константин Анатольевич, Кандидат технических наук
Организация финансирования, регион федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" , г Москва
Конкурс №3010 - Конкурс 2023 года «Проведение ориентированных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно – технологической сфере» и «Проведение прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно – технологической сфере»
Область знания, основной код классификатора 11 - Технологическое направление «Микроэлектроника»; 11-221 - Конструкционные материалы для изготовления и корпусирования полупроводниковых приборов
Ключевые слова Нитрид галлия, наногетероструктура, двумерный электронный газ, силовой GaN транзистор, моделирование, карбид кремния, кремний
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Ожидаемые результаты
В первый год реализации проекта:
- анализ литературы по теме НИР
- физическая модель буферного слоя (Al)GaN на Si подложке и на 3С-SiC/Si подложке;
- физическая модель конструкции барьерных и подзатворных слоев для силовых транзисторов нормально-закрытого типа.
- физическая модель конструкции барьерных и подзатворных слоев для СВЧ транзисторов нормально-открытого типа
- результаты формирования эпитаксиальным выращиванием подзатворного слоя p-GaN
- результаты эпитаксиального роста буферных слоев гетероструктуры на основе (Al)GaN на кремниевой подложке и на специальной подложке 3C-SiC/Si.
Во второй год реализации проекта:
- физическая модель GaN транзистора с экранирующим электродом затвора;
- физическая модель GaN транзистора с экранирующим электродом истока;
- физическая модель конструкции нитридных гетероструктур для силовых транзисторов c p- каналом на кремниевых и 3С-SiC/Si подложках;
- макетные образцы нитридных гетероструктур с высоколегированными локальными областями под контактами стока и истока.
В третий год реализации проекта:
- физическая модель конструкции нитридных гетероструктур для СВЧ транзисторов на кремниевых и 3С-SiC/Si подложках;
- результаты исследования особенностей топологии СВЧ и силовых GaN транзисторов c n- и p-каналом
- результаты исследования особенностей технологических процессов формирования затворов нормально открытого и нормально закрытого GaN транзистора;;
- лабораторная технологическая инструкция по созданию GaN транзистора на 3С-SiC/Si подложках;.
- макетные образцы нитридной гетероструктуры AlGaN/GaN с p-GaN подзатворным слоем для создания нормально закрытых транзисторов.
- макетные образцы нитридной гетероструктуры с высоколегированными локальными областями под контактами стока истока.;
- результаты исследования особенностей формирования эпитаксиальным выращиванием нитридной гетероструктуры AlGaN/GaN с p-GaN подзатворным слоем для создания нормально-закрытых транзисторов
Разработанные модели смогут применяться для прогнозирования результатов эксперимента. Ожидается, что рабочие параметры моделей будут удовлетворять стандартам построения силовых транзисторов.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ