КАРТОЧКА ПРОЕКТА ОПЫТНО-КОНСТРУКТОРСКОЙ РАБОТЫ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 23-91-01009
НазваниеРазработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5
Руководитель Пихтин Никита Александрович, Кандидат физико-математических наук
Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук , г Санкт-Петербург
Конкурс №3010 - Конкурс 2023 года «Проведение ориентированных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно – технологической сфере» и «Проведение прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно – технологической сфере»
Область знания, основной код классификатора 11 - Технологическое направление «Микроэлектроника»; 11-311 - Технологии (технологические маршруты) изготовления оптоэлектронных приборов в т.ч. полупроводниковых лазеров, микродисплеев, фотоприемных матриц
Ключевые слова МОС-гидридная эпитаксия, наногетероструктуры, лазерные квантово-размерные гетероструктуры, лазерные диоды, полупроводниковые лазеры, фотонные интегральные схемы, гетерогенная интеграция
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Ожидаемые результаты
Должно быть проведено моделирование, обосновывающее возможность получения оптимизированного дизайна планарных гетероструктур Al-In-Ga-As-P/InP с точки зрения состава, толщин, профилей легирования для инжекционных источников лазерного излучения на длину волны из спектрального диапазона из 1280-1360нм на основе гетерогенно-интегрированных КНИ /A3B5 структур со связанными волноводами. В моделировании должен быть продемонстрирован вывод излучения лазерной моды связанного волновода, сформированного в гетерогенно-интегрированной КНИ /A3B5 планарной структуре, в волновод, сформированный в КНИ структуре.
Разработанная технология МОС-гидридной эпитаксии должна позволять создавать конструкции полупроводниковых гетероструктур А3В5, для формирования связанных волноводов, для которых часть волноводной структуры сформирована в А3В5 гетероструктуре, а другая часть в структуре КНИ. Разработанные планарные гетероструктуры для гетерогенной интеграции КНИ/A3B5 должны демонстрировать возможность создания торцевых Фабри-Перо источников лазерного излучения.
Разработанные планарные гетероструктуры должны демонстрировать возможность создания инжекционных источников лазерного излучения на длину волны 1300нм, реализованных за счет формирования планарных волноводных конструкций при гетерогенной интеграции КНИ/A3B5.
Должен быть разработан следующий комплект документов:
- Отчет о НИР в соответствии с ГОСТ 7.32-2017
- Отчеты о патентных исследованиях в соответствии с ГОСТ Р 15.011-2022
- Эскизная документация на базовую технологию роста методом МОС-гидридной эпитаксии экспериментальных образцов гетероструктур In-Ga-Al-As-P/InP для гетерогенно-интегрированных КНИ /A3B5 источников лазерного излучения.
- Маршрутные карты изготовления лабораторных и экспериментальных образцов.
- Акты изготовления лабораторных и экспериментальных образцов.
- Методики исследования лабораторных и экспериментальных образцов.
- Протоколы исследования лабораторных образцов.
- Программа и методики испытаний экспериментальных образцов.
- Протоколы испытаний экспериментальных образцов.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ