КАРТОЧКА ПРОЕКТА ОПЫТНО-КОНСТРУКТОРСКОЙ РАБОТЫ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 23-91-06002
НазваниеИсследование и разработка технологических процессов атомно-слоевого осаждения с использованием разрабатываемых в РФ материалов для современных технологий микроэлектроники, шифр «Атом-О»
Руководитель Резванов Аскар Анварович, Кандидат физико-математических наук
Организация финансирования, регион Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" , г Москва
Конкурс №3011 - Конкурс 2023 года «Выполнение ориентированных и прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно – технологической сфере в области производства интегральных схем»
Область знания, основной код классификатора 11 - Технологическое направление «Микроэлектроника»; 11-111 - Технологии (технологические маршруты) изготовления интегральных схем
Ключевые слова Атомно-слоевое осаждение, атомно-слоевое травление, прекурсоры, оксиды, нитриды, металлы, оксид гафния, ИСО6, резистивная память, система металлизации, новые материалы
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Ожидаемые результаты
В результате выполнения опытно-конструкторских и технологических работ «Атом-О» будут получены следующие результаты:
• исследованы перспективные прекурсоры для реализации процесса АСО оксидов, нитридов, металлов;
• разработаны технологические процессы осаждения тонких пленок оксидов, нитридов, металлов с использованием разрабатываемых в РФ прекурсоров;
• изучено влияния параметров технологического процесса на однородность по толщине формируемых пленок по поверхности пластины;
• изготовлены структуры для изучения характеристик формируемых пленок;
• изучены характеристики формируемых пленок – хим. структура, состав, диэлектрическая проницаемость, шероховатость и др;
• изучено влияние поверхности пластины на процесс осаждения тонких пленок оксидов, нитридов, металлов;
• проведена сепарация проверенных материалов по их применению по перспективным направлениям;
• изучено влияние параметров технологического процесса на скорость и однородность АСТ по пластине;
• разработаны технологические процессы АСТ осаждаемых функциональных слоев;
Использование новых и разрабатываемых в РФ материалов позволит существенно снизить себестоимость проводимых экспериментов, а также себестоимость производимой продукции. Кроме того, разработка технологических процессов на отечественном оборудовании также позволит ощутимо снизить стоимость продукции, потенциально созданной с использованием разработанных технологий, а также позволит значительно сократить процесс внедрения данных технологий на существующие в РФ производственные площадки, что является актуальным для обеспечения технологического суверенитета.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ