КАРТОЧКА ПРОЕКТА ОПЫТНО-КОНСТРУКТОРСКОЙ РАБОТЫ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 23-91-06003
НазваниеИсследование и разработка технологических процессов формирования функциональных слоев методом АСО на основе оксидов переходных металлов для нового типа энергонезависимой ReRAM памяти с их апробацией для создания ячеек памяти в BEOL и FEOL, шифр «Память-Р»
Руководитель Резванов Аскар Анварович, Кандидат физико-математических наук
Организация финансирования, регион Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" , г Москва
Конкурс №3011 - Конкурс 2023 года «Выполнение ориентированных и прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно – технологической сфере в области производства интегральных схем»
Область знания, основной код классификатора 11 - Технологическое направление «Микроэлектроника»; 11-111 - Технологии (технологические маршруты) изготовления интегральных схем
Ключевые слова Атомно-слоевое осаждение, резистивная память, энергонезависимая память, филамент, мемристор, ресурс, время хранения.
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Ожидаемые результаты
В результате выполнения опытно-конструкторских и технологических работ «Память-Р» будут получены следующие результаты:
• Исследовано пространство конструктивно-технологических решений и разработан оптимальный стек материалов создания элемента хранения, селектора, ячейки памяти по параметрам энергоэффективности и скорости;
• Разработаны и исследованы технологические операции атомно-слоевого осаждения используемые в процессе получения элементов хранения, селекторов;
• Предложено математическое описание технологических операций получения элемента хранения, определены контролируемые параметры технологических процессов и их допустимый диапазон;
• Разработана математическая модель образования проводящего канала в функциональном слое ReRAM памяти на основе оксидов и нитридов;
• Апробированы отечественные прекурсоры АСО для получения элементов хранения ReRAM, селекторов, ячеек памяти;
• Исследованы процессы формирования проводящего канала в ReRAM памяти на основе оксидов и нитридов;
• Исследовано влияние переходных областей (интерфейса) на характеристики ReRAM памяти.
Использование новых и разрабатываемых в РФ материалов позволит существенно снизить себестоимость проводимых экспериментов, а также себестоимость производимой продукции. Кроме того, разработка технологических процессов на отечественном оборудовании также позволит ощутимо снизить стоимость продукции, потенциально созданной с использованием разработанных технологий, а также позволит значительно сократить процесс внедрения данных технологий на существующие в РФ производственные площадки, что является актуальным для обеспечения технологического суверенитета.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ