КАРТОЧКА ПРОЕКТА ОПЫТНО-КОНСТРУКТОРСКОЙ РАБОТЫ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 23-91-06100
НазваниеРазработка технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов с наносекундным временем переключения
Руководитель Коротков Сергей Владимирович, Доктор технических наук
Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук , г Санкт-Петербург
Конкурс №3012 - Выполнение ориентированных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно – технологической сфере в области производства полупроводниковых приборов
Область знания, основной код классификатора 11 - Технологическое направление «Микроэлектроника»; 11-211 - Технологии (технологические маршруты) изготовления полупроводниковых приборов
Ключевые слова Мощные полупроводниковые приборы с наносекундным временем переключения.
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Ожидаемые результаты
- Разработанная технология должна позволить реализовывать возможность получения модифицированных ДДРВ и ДУИ с улучшенными коммутационными характеристиками путем соответствующего выбора удельного сопротивления исходного кремния, толщины пластин, глубин и поверхностных сопротивлений диффузионных слоев, градиента концентрации легирующей примеси, времени жизни неосновных носителей и топологии шунтов.
- Разработанная конструкция и технология изготовления бескорпусных образцов ДДРВ и ДУИ должны обеспечить возможность их качественного соединения с термокомпенсатором, обеспечивающее возможность формировании высоковольтных сборок.
- Разработанная конструкция и технология изготовления боковой поверхности ДУИ должны обеспечить высокую надежность их работы в условиях запуска наносекундным импульсом высокого напряжения.
- Результаты НИР должны обеспечить целевые характеристики модифицируемых приборов с наносекундным временем переключения.
1. Для ДДРВ:
Максимальное импульсное напряжение – не менее 1 кВ
Максимально допустимая плотность тока – 250 А/см2
Время обрыва тока – не более 3 нс
Выход годных приборов – не менее 50%
2. Для ДУИ:
Диаметр структур – до 24 мм
Величина повторяющегося напряжения – до 2500 В
Величина предельного стационарного напряжения – до 2700 В
Ток утечки в закрытом состоянии при приложении повторяющегося напряжения –
- не более 15 мкА при 25 град Цельсия
Ток утечки после частотных испытаний – не более 100 мкА
Амплитуда коммутируемого тока длительностью 200 нс на частоте 250 Гц – не менее 2500 А (уточняется после изготовления устройств для тестирования ДУИ).
- В результате выполнения НИР должно быть разработано и изготовлено специализированное контрольно-измерительное оборудование для испытаний модифицированных ДДРВ и ДУИ.
1. Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей в базовых областях ДДРВ с параметрами:
Длительность импульса прямого тока – не менее 200 мкс
Диапазон измеряемого времени жизни неосновных носителей – 0,1 мкс до 100 мкс
2. Устройство для измерения коммутационных характеристик ДДРВ с параметрами:
Максимальное импульсное напряжение – 1,5 кВ
Максимальный импульсный ток через структуру ДДРВ – 200 А
Минимальное измеряемое время переключения – 2 нс
Режим работы – однократный, 10 Гц
3. Устройство для измерения коммутационных характеристик ДУИ с параметрами:
Максимальное стационарное напряжение на структуре ДУИ – до 2500 В
Максимальный импульсный ток через структуру ДУИ – до 2500 А
Длительность импульсов тока через структуру ДУИ – до 200 нс
Режим работы – однократный и частотный с регулировкой до 250 Гц
Технические требования к специализированному контрольно-измерительному оборудованию могут корректироваться в ходе выполнения НИР.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ