КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ

Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.

 

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ


Номер проекта 24-73-10072

НазваниеМультикатионные смешанно-галогенидные полупроводниковые нано- и микролазеры, устойчивые к фотоиндуцированной ионной сегрегации

Руководитель Пушкарев Анатолий Петрович, Кандидат химических наук

Организация финансирования, регион Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования «Сколковский институт науки и технологий» , г Москва

Конкурс №98 - Конкурс 2024 года «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными

Область знания, основной код классификатора 03 - Химия и науки о материалах; 03-601 - Химия новых неорганических функциональных и наноразмерных материалов

Ключевые слова смешанно-галогенидный полупроводник, мультикатионный полупроводник, нанолазер, микролазер, коллоидный синтез, сублимация, оптические свойства, фотолюминесценция, лазерная генерация, фотостабильность, структурные свойства, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, комбинационное рассеяние, порошковая рентгеновская дифракция

Код ГРНТИ31.15.00


 

ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ


Аннотация
Переход от электронной к оптической платформе, использующей фотон в качестве переносчика единицы информации, позволит осуществить революцию в развитии вычислительной техники вследствие появления новых технологий быстрого кодирования и передачи колоссальных объемов информации. Для создания фотонного чипа необходимо решить две задачи: (i) уменьшение размеров функциональных элементов до величины длины волны передаваемого оптического сигнала либо меньше ее; (ii) уменьшение стоимости используемых материалов и подходов к созданию интегральных схем. Для решения данных задач необходимо использовать современные концепции нанофотоники, позволяющие миниатюризировать высокоэффективные светоизлучающие элементы до субволнового масштаба, а также необходим переход от дорогого эпитаксиального роста полупроводниковых нано- и микроструктур на основе стандартной полупроводниковой технологии к коммерчески доступному и масштабируемому химическому синтезу миниатюрных элементов на основе галогенидных перовскитов (ГП). Галогенидные перовскиты APbX3 объединяют возможность управления их фотофизическими свойствами путем синтетических модификаций компонентов системы (атомов галогенов), преимущества твердотельных полупроводниковых материалов, и простые масштабируемые технологии изготовления. Дополнительным преимуществом данных материалов является их достаточно высокий показатель преломления (n > 2), необходимый для использования перовскитов для задач нанофотоники, а именно изготовления из них одиночных резонансных наночастиц, которые впоследствии могут послужить элементарными компонентами фотонного чипа. Перовскитный нитевидный нанокристалл (ННК) и пластинчатый микрокристалл (ПМК) являются резонаторами Фабри-Перо. При импульсном оптическом возбуждении ННК и ПМК способны генерировать лазерное излучение. В настоящее время единственным подходом к настройке длины волны лазерной генерации в ННК и ПМК представляется получение смешанно-галогенидных перовскитов (СГП) методом осаждения на подложку из паров прекурсоров (CVD - chemical vapor deposition), тогда как фотоустойчивость лазеров, выраженная в количестве возбуждающих стабильную генерацию импульсов, составляет 10^8-10^10 шт, что является недостаточным для их применения в фотонных интегральных схемах и оптических чипах. Научной проблемой, на решение которой направлен проект, является увеличение фотостабильности миниатюрных оптически активных элементов – мультикатионных СГП нано- и микрокристаллов, – которые впоследствии могут послужить базовыми компонентами при разработке фотонных чипов. Актуальность решения проблемы обусловлена необходимостью проведения обширных исследований по поиску компактных, функциональных, и в то же время фотостабильных источников когерентного излучения для разработки фотонных чипов, с появлением которых произойдет качественный скачок в области оптоэлектроники и нанофотоники, а многие важные области индустрии перейдут на качественно новый уровень. Научная новизна проекта заключается в разработке оригинального коллоидного синтеза новых мультикатионных СГП ННК и ПМК типа A1-xA’xB1-yB’yX3 (A - Cs+; A’ - Rb+; B - Pb2+; B’ - Cd2+, Zn2+; X - (Cl-,Br-), (Br-,I-)) демонстрирующих излучение в широком диапазоне длин волн 400-700 нм, исследование их структурных и оптических свойств, в том числе фотостабильности лазерной генерации. Целью проекта является получение нано- и микролазеров, показывающих эффективную и устойчивую (10^11-10^12 лазерных импульсов) генерацию на разных длинах волн видимого диапазона. Научной проблемой, на решение которой направлен проект, является увеличение фотостабильности миниатюрных оптически активных элементов – мультикатионных смешанно-галогенидных перовскитных нано- и микрокристаллов,– которые впоследствии могут послужить базовыми компонентами при разработке фотонных чипов.


 

ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ


Аннотация результатов, полученных в 2025 году
Был разработан модифицированный протокол создания перовскитных ННК и НМК методом горячей инжекции CsPbBr3 с использованием дифенилового эфира и малого количества олеиновой кислоты и олеиламина. Изготовление смешанно-галогенидных кристаллов CsPb(Br,Cl)3 осуществлялось путем ионного обмена между Br и Cl с использованием хлорида иттрия (YCl3), растворенного в дифениловом эфире. Реакция обмена длилась три дня при комнатной температуре. Варьируя количество YCl3, получались ННК и ПМК с длиной волны ФЛ 515-460 нм. Аналогичные эксперименты с YI3 для создания бром-йодных кристаллов показали более быстрое время реакции из-за высокой реакционной способности йода, что приводило к неравномерной замене галогенов уже через три часа, с получением суспензией кристаллов с ФЛ 540-670 нм. С помощью изображений СЭМ для ННК и ПМК была выявлена правильная геометрическая форма кристаллов и высокое качество их граней. Методом АСМ были получены данные двумерного профилирования ННК CsPb(Br,Cl)3 и ПМК CsPb(Br,I)3 . Была определена низкая шероховатость поверхности R=0.33 и 0.49 нм соответственно. С помощью метода HAADF-STEM для кристаллов была определена симметрия и межплоскостные расстояния, которые согласуются с примитивной орторомбической ячейкой с параметрами а ~ 8.2 Å, b ~ 8.3 Å, c ~ 11.8 Å как для трибромидных, так и для CsPbBr2.5Cl0.5 кристаллов. Были получены ПЭМ изображения перовскитных НК на разных этапах синтеза в течение 1 часа после введения в раствор CsOA. Данные результаты позволили предположить процесс эволюции ННК. Так, после инжекции CsOA сначала образуются ромбоэдрические Cs4PbBr6 и кубические CsPbBr3 нанокристаллы. Затем НК образуют квантовые нити, которые объединяются в крупные ННК. В дальнейшем тонкие концы ННК откалываются и приобретают оформленные торцы с субмикронным поперечным сечением, тем самым формируя структуры, способные поддерживать резонансы типа Фабри-Перо. Количественное содержание хлора x в смешанных ННК было определено расчетами в зависимости от длины волны ФЛ, а также подтверждены методом ЭРС (для ННК с пиком ФЛ λ=505 и 470 нм x=0.5 и 1.37). Экспериментальное исследование изменения кристаллической структуры смешанно-галогенидных перовскитов со стехиометрией, приближенной к CsPbCl0.9Br2.1 и CsPbBr1.5I1.5 при воздействии на них интенсивного УФ-излучения было проведено методом рентгеновской дифракции. В результате длительного УФ облучения образца CsPbCl0.9Br2.1 визуально наблюдалось изменение его фотолюминесценции в сторону красного смещения. Спустя 10 мин облучения, цвет люминесценции образца сменился с голубого на зеленый. Наряду с этим, наблюдалось смещение дифракционных рефлексов в область меньших углов, что подтверждает изменение кристаллической структуры перовскита. Однако, кроме изменения положения максимумов рефлексов также было отмечено уменьшение интенсивности рефлексов и их уширение, что свидетельствует об ухудшении кристалличности образца. Аналогичные измерения были проведены для дифракционного пика 29.81o перовскита CsPbBr1.5I1.5. Однако, в этом случае было обнаружено, что уже через 10 мин облучения УФ светом в пик приобретает асимметричную форму с выраженным плечом в области 30.4o, принадлежащим насыщенному ионами брома перовскиту. Далее это плечо превращается в выраженный пик, а сигнал дифракции при 29.81o постепенно снижается и уширяется. Было проведено квантово-механическое моделирование геометрии ячейки кристаллической структуры и самосогласованный расчет зонной структуры для перовскитов CsPbBr3 и CsPbCl3. Сравнивая с предыдущими теоретическими исследованиями, было принято решение проверить, как полная оптимизация геометрии влияет на параметры электронной структуры. Расчеты проводились с использованием теории функционала плотности и функционала PBE в рамках обобщенной градиентной аппроксимации. Определена граничная кинетическая энергия плоских волн, равная 680 эВ. Были получены следующие значения Eg: 2.21 эВ, 2.35 эВ и 2.70 эВ для структур CsPbBr3, CsPbCl1.5Br1.5 и CsPbCl3. Для CsPbI3 НК Eg: 1.3336 эВ для кубической фазы и 1.8205 эВ для орторомбической фазы, соответственно. Исследование лазерной генерации с полученных ННК CsPbBrx-3Clx (x=0, 0.5 и 1.05) показало многомодовую лазерную генерацию. Увеличение концентрации хлора уменьшало интенсивности сигнала и увеличивало порог лазерной генерации. В ПМК наблюдалась одномодовая лазерная генерация, а пик ФЛ составил 493 и 468 нм, при этом порог лазерной генерации значительно увеличился для кристаллов с большим содержанием хлора (80 и 200 мкДж/см2 соответственно). Кинетика фотолюминесценции исследовалась с использованием лавинного диода и системы счёта одиночных фотонов. Установлено, что увеличение концентрации хлора увеличивает времена жизни ФЛ, при этом уменьшается интенсивность сигнала. Для смешанных йодных кристаллов время затухания не удалось измерить из-за низкой интенсивности сигнала. Изучение фотостабильности показало, что для ПМК с йодом наблюдается фазовая нестабильность и быстрая сегрегация. Хлорные структуры показали улучшенную стабильность ФЛ и лазерной генерации, однако увеличение концентрации хлора также приводило к деградации. В результате дополнительных исследований были получены массивы микродисков CsPb1-xCdxBr3 с помощью метода высокотемпературной перекристаллизации под давлением пленок CsPbBr3, легированных Cd. СЭМ снимки полученных микродисков демонстрировали правильную круглую форму и четкие грани, что являются важными параметрами для резонатора типа МШГ. Исследования спектров ФЛ продемонстрировали пики в диапазоне 480-520 нм в зависимости от концентрации Cd в структуре. С помощью количественного анализа ЭРС и спектров ФЛ была установлена надежная зависимость смещения пика люминесценции от содержания кадмия в структуре. Исследование временной стабильности ФЛ продемонстрировало, что нелегированные и слаболегированные микродиски демонстрируют схожую тенденцию уменьшения интегрированного сигнала во времени. Сначала интенсивность ФЛ заметно падает в течение 10 мин и далее медленно уменьшается в течение 50 мин. Микродиски с высоким содержанием Cd (x = 0.15, 0.18, 0.2) показали более низкую интенсивность ФЛ, однако ее значение практически не уменьшается в течение 1 ч. Исследование лазерной генерации с полученных структур продемонстрировало пороги лазерной генерации Fth=10-30 мкДж*см-2 в зависимости от концентрации Cd. Лазерная генерация не наблюдалась в случае микродисков с содержанием кадмия выше 7 %. Это можно объяснить низким КВФЛ сильнолегированных перовскитов. Слаболегированные микродиски (x = 0.02, 0.066), напротив, демонстрировали в 3 раза улучшенную устойчивость лазерной генерации по сравнению с микродисками CsPbBr3, несмотря на увеличение Fth и уменьшение Q с увеличением концентрации Cd2+.

 

Публикации

1. Татаринов Д.А., Сапожникова Е.В., Хмелевская Д., Джу Ю., Долгинцев Д.М., Бодяго Е.В., Марунченко А.А., Жуков А.Е., Цонг Х., Щеблыкин И.Г., Пушкарев А.П. Composition tunable and stable spontaneous emission and lasing in Cd-alloyed perovskite microdisks Chemical Communications (год публикации - 2024)
10.1039/d4cc04488f