КАРТОЧКА ПРОЕКТА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ И ПОИСКОВЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер проекта 25-19-20049
НазваниеСверхвысокоомные слои с ловушками в низкоомной подложке структур кремний-на-изоляторе для систем-на-кристалле
Руководитель Попов Владимир Павлович, Доктор физико-математических наук
Организация финансирования, регион Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук , Новосибирская обл
Конкурс №101 - Конкурс 2025 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами» (региональный конкурс)
Область знания, основной код классификатора 09 - Инженерные науки; 09-703 - Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники
Ключевые слова системы-на-кристалле (SoC), кремний-на-изоляторе (SOI), имплантация ионов СО+, высокоомные слои c ловушками носителей заряда (TR-HR), импеданс-спектроскопия (IS), волноводы, СВЧ и оптические потери, пробивное напряжение.
Код ГРНТИ47.09.00
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Ожидаемые результаты
1. Разработан способ минимизации проводимости и установлен основной механизм изоляции приборных структур в низкоомном кремнии имплантацией ионов молекул газа и формированием нанокристаллических высокоомных областей с включениями карбооксидов кремния, обогащенных ловушками носителей заряда (TR-HR).
2. Определены основные дефекты, ответственные за деактивацию легирующих примесей и захват свободных электронов и дырок в TR-HR слоях после COII.
3. Увеличено пробивное напряжение приборных структур на UTB TR-HR SOI структурах в два раза.
4. Снижены потери в СВЧ волноводах на UTB TR-HR SOI структурах на 20-30%.
5. Уменьшена рабочая температура СВЧ- и силовых приборов на UTB TR-HR SOI структурах на 30-40 оС.
6. Предложен способ интегрирования СВЧ- и силовых приборов с низковольтной КМОП логикой на низкокоомных UTB TR-HR SOI структурах.
7. Разработаны методы характеризации и испытаний UTB TR-HR SOI структур для интеграции СВЧ- и силовых приборов с КМОП логикой.