Новости

23 декабря, 2024 16:14

Высоковольтные полупроводниковые приборы в несколько раз превзойдут зарубежные аналоги

Ученые ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН усовершенствуют высоковольтные полупроводниковые приборы с наносекундным временем переключения для ПАО «Электровыпрямитель». В дальнейшем оборудование найдет применение в лазерной и ускорительной технике, медицине, очистке воздуха и воды, и многих других областях.
Полупроводниковый коммутатор. Источник: Сергей Коротков

Высоковольтные полупроводниковые приборы с наносекундным временем переключения – это электронные компоненты, способные работать при высоких напряжениях и переключаться между состояниями включения и выключения за чрезвычайно короткие промежутки времени, измеряемые в наносекундах (миллиардных долях секунды). 

Ранее ученые ФТИ создали базовые полупроводниковые приборы с наносекундным временем переключения и сегодня в рамках проекта они модифицируют конструкции и технологии производства, чтобы повысить коммутационные характеристики и уменьшить их разброс. 

Принцип действия базовых приборов позволяет при уровне напряжения несколько тысяч вольт коммутировать наносекундные импульсы тока с плотностью несколько тысяч ампер на квадратный сантиметр рабочей площади, что в несколько раз превышает возможности зарубежных аналогов.

Базовые приборы надежно работают при последовательном соединении и позволяют разрабатывать полупроводниковые коммутаторы на напряжение десятки и сотни киловольт, способные в наносекундном диапазоне коммутировать килоамперные импульсы тока.

Благодаря характеристикам этих приборов уменьшаются потери энергии при переключении, а также снижаются затраты на модернизацию производства, ведь приборы могут выпускаться на уже существующем оборудовании с минимальными изменениями технологических процессов. 

Руководитель проекта – Сергей Коротков, доктор технических наук, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Заказчик - ПАО «Электровыпрямитель»

Прикладной проект «Разработка технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов с наносекундным временем переключения» (№ 23-91-06100) поддержан грантом Российского научного фонда.

23 декабря, 2024
Отечественные OLED-структуры и микродисплеи на их основе будут ярче и стабильнее импортных аналогов
Ученые ИСПМ РАН намерены синтезировать более эффективные и стабильные по сравнению с используем...
23 декабря, 2024
Ученые запустят производство особо чистого хлороводорода для микроэлектроники мощностью 10 тонн в год
Команда исследователей из ООО «Силтрон» совместно с АО «Эпиэл» запустит первое в России производст...